Infineon BSM35GD120DN2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового модуля Infineon BSM35GD120DN2.

Общее описание

BSM35GD120DN2 — это изолированный силовой модуль (IGBT модуль) второго поколения в популярном корпусе 34mm D. Он представляет собой полностью собранный и протестированный полупроводниковый переключатель, предназначенный для управления мощными трехфазными двигателями (например, в промышленных приводах, насосах, вентиляторах) и преобразователями энергии.

Модуль интегрирует в одном компактном корпусе:

• 6 быстрых IGBT-транзисторов с обратными диодами (антипараллельными диодами), образующих трехфазный мостовой инвертор.
• Встроенные NTC-термисторы для контроля температуры.
• Изолированный медный базис (керамическая подложка), обеспечивающий электрическую изоляцию между силовыми выводами и радиатором (теплоотводом) с эффективной теплопередачей.

Ключевые преимущества:

• Высокая надежность и компактность: Готовая сборка устраняет проблемы с паразитной индуктивностью и упрощает монтаж по сравнению с дискретными компонентами.
• Низкие потери: Быстрые IGBT и диоды с мягким восстановлением обеспечивают высокий КПД.
• Упрощенный тепловой менеджмент: Все силовые элементы на общей изолированной подложке монтируются на один радиатор.
• Защита от перегрева: Встроенный NTC-термистор для мониторинга температуры.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Класс напряжения | 1200 В | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | | Номинальный ток | 35 А | Ток коллектора (I_C) при T_case = 80°C | | Конфигурация | Трехфазный мостовой инвертор (6-in-1) | 3 плеча (верхний + нижний ключ) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.85 В (тип.) | При I_C = 35А, V_GE=15В | | Падение на диоде (V_F) | ~1.9 В (тип.) | При I_F = 35А | | Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для работы на частотах 8-20 кГц) | Меньшие потери на переключение по сравнению со стандартными IGBT | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.45 К/Вт (на IGBT/диод) | Сопротивление кристалл-корпус | | Максимальная температура перехода (T_vj(max)) | +150 °C (рабочая) / +175 °C (хранение) | | | Напряжение изоляции (V_iso) | 2500 В (эфф.) | Между силовыми выводами и базисной пластиной (минимальное) | | Напряжение управления (V_GE) | ±20 В (макс.) / +15 В (рек.) | Стандартный уровень для управления | | Встроенная термозащита | NTC-термистор | Сопротивление: 10 кОм при 25°C (B=3435) | | Вес | ~ 60 г | | | Корпус | 34mm D (DIP-26) | Стандартизированный корпус для монтажа на радиатор |

Типовые условия работы:

• Напряжение шины постоянного тока (VDC): до 600-800 В (для сетей 380В 3~)
• Выходной фазный ток (RMS): до ~25 А
• Выходная мощность (для двигателя): ~15-18 кВт (при 400В 3~)

Парт-номера и аналоги

Часто один и тот же модуль имеет разные парт-номера в зависимости от региона, упаковки или незначительных маркетинговых особенностей.

Прямые парт-номера Infineon:

• BSM35GD120DN2E3011 — стандартный номер для заказа, включающий, как правило, полную спецификацию.
• BSM35GD120DN2K — может обозначать версию в тубе (на ленте) для автоматического монтажа.

Совместимые / Аналогичные модели (прямая или близкая замена)

1. От Infineon (в том же корпусе 34mm D):

• BSM35GD120DN2 (основная модель)
• BSM35GD120DLC — модель первого поколения (более старый аналог). Имеет несколько большие потери на переключение. Часто используется как прямая замена, но проверка параметров в конкретной схеме обязательна.
• BSM50GD120DN2 — аналог на 50А. Механически и электрически совместим по выводам и корпусу, но рассчитан на больший ток. Является надежным апгрейдом при запасе по току.
• BSM35GD120DL2 — модель с встроенными драйверами уровня (LVIC). Внимание! Не является прямой заменой, так как имеет другую распиновку и требует другого подхода к управлению.

2. От других производителей (механически и функционально совместимые в корпусе 34mm D):

• Fuji Electric:
  • 2MBI35S-120 (серия SlimDIP)
  • 2MBI35S-120-01 (с NTC)
• Mitsubishi Electric:
  • CM35TF-12H (серия L1)
• SEMIKRON:
  • SKM35GB12T4 (серия SEMITRANS 3)
• ON Semiconductor (Fairchild):
  • FNA35S120 (серия Smart Power Module (SPM) 2, частичная совместимость — может отличаться распиновка и наличие драйверов).

Важные замечания по замене и применению:

1. Распиновка (pinout): Перед заменой модуля от другого производителя обязательно необходимо свериться с даташитами и сравнить распиновку. Хотя корпус стандартный, расположение выводов G/E, фаз, NTC может отличаться.
2. Характеристики переключения: Параметры (dead time, скорость нарастания, рекомендуемые затворные резисторы) могут различаться между поколениями и производителями.
3. Термопаста и момент затяжки: Критически важно использовать качественную теплопроводящую пасту и затягивать монтажные винты с рекомендованным моментом (указан в даташите, обычно ~1.0-1.2 Н·м). Неравномерное прилегание ведет к перегреву и отказу.
4. Схема управления: Модуль требует внешних драйверов затворов с гальванической развязкой (например, на опто- или трансформаторной изоляции) для каждого из 6 ключей. Также необходима защита от КЗ, перегрева и блокировки (с помощью детектора насыщения DESAT).

Вывод: BSM35GD120DN2 — это современный, надежный и широко распространенный силовой модуль для построения компактных инверторов средней мощности. При поиске замены в первую очередь следует рассматривать модели BSM35GD120DLC (старая версия) или BSM50GD120DN2 (версия с запасом по току) от Infineon, а также проверять механически совместимые аналоги от Fuji, Mitsubishi и Semikron, тщательно сравнивая распиновку.