Infineon BSM50GB100D

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового модуля Infineon BSM50GB100D.

Описание

Infineon BSM50GB100D — это силовой модуль IGBT-инвертора второго поколения (IGBT2), предназначенный для трехфазных приводов переменного тока. Он представляет собой законченный силовой сборку (Intelligent Power Module, IPM), которая интегрирует в одном корпусе:

• 6 быстрых IGBT-транзисторов с обратными диодами (FRD), образующих трехфазный мостовой инвертор.
• Встроенную схему драйвера нижних ключей (LVIC), обеспечивающую гальваническую развязку и управление.
• Защитные функции: защита от короткого замыкания (SC), защита от перегрузки по току (OC), защита от перегрева (OT) на кристалле и контроль напряжения питания драйвера (UV).
• Встроенные NTC-термисторы для контроля температуры основания модуля.

Этот модуль предназначен для управления трехфазными асинхронными или синхронными двигателями в широком спектре применений: промышленные приводы, насосы, вентиляторы, компрессоры, бытовая техника и другие системы с мощностью на уровне нескольких киловатт.

Ключевые преимущества:

• Компактность и простота: Значительно уменьшает количество внешних компонентов и площадь платы по сравнению с дискретными решениями.
• Высокая надежность: Встроенная защита предотвращает выход из строя при аварийных ситуациях.
• Упрощенный тепловой монтаж: Все силовые элементы на одной медной подложке (изолированной от основания).
• Легкость в разработке: Упрощает проектирование силовой части благодаря интегрированному драйверу.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Классификация | Трехфазный IGBT-инвертор (IPM 6-в-1) | | | Корпус | DIP-26 (SDIP-26L) | Пластиковый, с изолированным основанием. | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1000 В | | | Номинальный ток коллектора (Ic @ Tc=25°C) | 50 А | Для каждого IGBT/диода. | | Номинальный ток инвертора (Io) | 50 А | Макс. выходной ток фазы. | | Ток короткого замыкания (Isc) | 100 А | | | Падение напряжения на IGBT (Vce(sat)) | ~2.15 В (тип.) @ Ic=50A | | | Прямое напряжение диода (Vf) | ~1.8 В (тип.) @ If=50A | | | Встроенная защита | КЗ (SC), Перегрузка (OC), Перегрев (OT), Недопитание (UV) | Сигнал ошибки выводится на отдельный контакт (FO). | | Напряжение питания драйвера (Vcc) | 15 В (ном.), 20.5 В (макс.) | | | Логический интерфейс | TTL/CMOS-совместимый (3.3В / 5В) | Входы IN, ITRIP. | | Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | 0.45 °C/Вт (на IGBT) | | | Макс. температура перехода (Tj) | 150 °C | | | Встроенный NTC-термистор | R25 = 10 кОм, B25/100 = 3435 K | Для контроля температуры основания. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

BSM50GB100D — это полное и основное название модуля. Иногда в спецификациях или на корпусе может указываться с дополнительными суффиксами, обозначающими версию упаковки или маркировку (например, BSM50GB100DLC).

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Полных пин-в-пин аналогов с абсолютно идентичными характеристиками и корпусом у других брендов может не быть, но существуют функционально и конструктивно аналогичные модули. При замене необходим тщательный анализ даташитов.

| Производитель | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Mitsubishi Electric | PM50RL1A060 (600В) или PM50RLA120 (1200В) | Один из самых популярных прямых конкурентов в том же форм-факторе. PM50RLA120 по напряжению ближе, но по току и корпусу аналогичен. | | Fuji Electric | 6MBP50RA120 (600В) или 6MBP50RA120 (1200В) | Аналогичные модули серии 6MBP. | | SEMIKRON | SKiiP 10 или SKiiP 15 | Конструктивно другой (пресс-фит), но схожий по мощности класс модулей. | | ON Semiconductor (быв. Fairchild) | FNA41060 (600В, 10А) | Меньшая мощность, но похожая архитектура IPM. | | STMicroelectronics | STGIPS10C60 (600В, 10А) | Меньшая мощность, семейство SLLIMM. |

ВАЖНО: Модули на 600В (например, PM50RL1A060) рассчитаны на сеть ~400В AC, а на 1200В (как BSM50GB100D) — для сетей ~575В AC или применений с высокими перенапряжениями. Напряжение — ключевой параметр при замене.

Модели из того же семейства Infineon (совместимые по корпусу и управлению):

Эти модули имеют одинаковый корпус и интерфейс управления, но различаются по току и напряжению. Могут быть прямыми заменяющими решениями для других мощностей.

• BSM50GB60DLD — 600В, 50А
• BSM75GB100D — 1000В, 75А
• BSM100GB100D — 1000В, 100А
• BSM150GB100D — 1000В, 150А

Рекомендации по применению и замене

1. При замене BSM50GB100D на аналог обязательно сверяйте:

   • Распиновку (pinout).
   • Напряжение питания драйвера (Vcc) и логических входов.
   • Пороги срабатывания защиты (OC, SC).
   • Характеристики встроенного NTC-термистора.
   • Геометрию корпуса и монтажные отверстия.

2. BSM50GB100D является устаревшей, но все еще распространенной моделью. Для новых разработок Infineon предлагает более современные поколения (например, с IGBT4 или SiC-технологиями), которые имеют лучшие показатели эффективности.

3. Для корректной работы модуля требуется правильно рассчитанный и установленный радиатор, так как максимальный ток сильно зависит от температуры корпуса (Tc).

Данное описание является обзорным. Для проектирования и замены необходимо использовать официальные даташиты (datasheet) от Infineon и производителя-аналога.