Infineon BSM50GD60DLC

Конечно, вот подробное описание модуля Infineon BSM50GD60DLC.

Описание

Infineon BSM50GD60DLC — это двунаправленный (реверсивный) силовой полупроводниковый модуль, выполненный по технологии IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с диодом Шоттки (RC-H5). Он представляет собой законченный силовой ключ, собранный в одном изолированном корпусе.

Его ключевая особенность — встроенный встречно-параллельный диод, который позволяет эффективно работать в схемах, где требуется проводить ток в обоих направлениях. Это делает его идеальным решением для построения:

• Трехфазных мостовых инверторов (3-Phase Bridge Inverter): Основное применение — это частотные преобразователи и сервоприводы.
• Двунаправленных переключателей: Например, в матричных преобразователях.
• Систем рекуперативного торможения: Где энергия возвращается обратно в сеть.

Модуль разработан для работы на высоких частотах переключения (до 20 кГц и выше) благодаря использованию технологии Trenchstop 5, которая обеспечивает низкие потери проводимости и переключения.

Основные преимущества:

• Высокая интеграция: В одном корпусе собраны 6 ключей (транзистор + диод) для трехфазной мостовой схемы.
• Низкие динамические потери: Благодаря технологии Trenchstop 5.
• Высокотемпературная стабильность: Может работать с температурой кристалла до 175°C.
• Электрическая изоляция: Медная основа корпуса изолирована от силовых выводов (теплопроводящая, но электрически изолирующая подложка), что позволяет монтировать весь модуль на общий радиатор без изолирующих прокладок, улучшая тепловой отвод.
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры радиатора.

Технические характеристики

Здесь приведены ключевые параметры. Полные данные следует смотреть в официальном даташите (Datasheet).

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура модуля | 3-фазный мостовой инвертор (6 IGBT + 6 диодов) | Двунаправленный ключ | | Технология IGBT | Trenchstop 5 | | | Коллектор-Эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В | | | Номинальный ток коллектора (I_C @ 80°C) | 75 А | | | Макс. импульсный ток коллектора (I_CM) | 150 А | | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.65 В (тип.) | При I_C = 50А, V_GE=15В | | Напряжение насыщения диода (V_FC) | ~1.8 В (тип.) | | | Мощность потерь при переключении (E_on+E_off) | ~3.5 мДж (тип.) | При I_C = 50А, V_GE=15В | | Напряжение управления затвором (V_GE) | ±20 В (макс.) / ±15 В (рекоменд.) | | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 0.25 К/Вт (тип.) | На один IGBT/диод | | Температура перехода (T_vj) | -40 ... +175 °C | | | Встроенный NTC-термистор | Да | Сопротивление: 10 кОм при 25°C | | Степень защиты (IPM) | Нет | Это "силовой модуль", а не "интеллектуальный" (IPM). Требует внешней драйверной платы. |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры, но и распиновку выводов (pinout) и механические габариты.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon

Это модули из той же серии или серий-преемников с аналогичными или улучшенными характеристиками. Они часто являются прямой заменой как по электрике, так и по механическому исполнению.

• BSM50GP60: Более старая версия (технология NPT IGBT). Характеристики схожи, но потери переключения выше.
• BSM50GD60DLC — это основное и полное название модели.
• Модули из серии BSMxxGDxxDLC с другими номиналами (например, BSM75GD60DLC, BSM100GD60DLC) — имеют аналогичный корпус и распиновку, но рассчитаны на больший ток.

Совместимые и аналогичные модели от других производителей

Следующие модели являются функциональными и, часто, механическими аналогами. Перед заменой ОБЯЗАТЕЛЬНО необходимо свериться с даташитами обоих модулей.

• SEMIKRON:
  • SKM75GB063D — очень популярный и распространенный аналог.
  • SKM50GB063D — аналог по току.
• Fuji Electric:
  • 2MBi50U4B-060 (или аналоги из серии 2MBi)
  • 6MBP50RA060 — классический модуль в похожем корпусе.
• Mitsubishi Electric:
  • CM50DY-12H (более старая, но очень известная модель).
  • CM50DY-24H (на 1200В).
• ON Semiconductor:
  • NVCN50S6C3
• STMicroelectronics:
  • Производит IGBT-модули, но прямая механическая замена в этой линейке может отсутствовать. Нужно искать по параметрам (600В, 50-75А, 6-in-1).

Важно: При замене всегда обращайте внимание на:

1. Распиновку (pinout) силовых и управляющих выводов.
2. Габаритные размеры и расположение монтажных отверстий.
3. Рекомендуемое напряжение драйвера затвора и заряд затвора (Q_g), так как это может потребовать корректировки драйверной схемы.
4. Наличие и параметры встроенного NTC-термистора.

Для критически важных применений всегда рекомендуется обращаться к официальной документации производителя.