Infineon BSM50GP120

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для IGBT-транзистора Infineon BSM50GP120.

Описание

Infineon BSM50GP120 — это дискретный IGBT-транзистор (Insulated-Gate Bipolar Transistor) в популярном промышленном корпусе TO-247. Он является частью серии GP (General Purpose), которая оптимизирована для обеспечения надежности, простоты использования и хорошего баланса между скоростью переключения и насыщенным напряжением.

Ключевые особенности и применение:

• Назначение: Предназначен для работы в импульсных режимах на средних и высоких частотах (обычно до 20-30 кГц).
• Основные области применения: Инверторы, импульсные источники питания (SMPS), сварочное оборудование, приводы двигателей (частотные преобразователи), системы индукционного нагрева и UPS (источники бесперебойного питания).
• Конструкция: Модуль представляет собой одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллельным диодом (FWD - Free Wheeling Diode). Это позволяет эффективно работать в индуктивных цепях, обеспечивая путь для обратного тока.
• Преимущества серии GP: Хороший компромисс между низкими потерями проводимости (Vce(sat)) и приемлемым временем переключения, что делает его универсальным решением для многих промышленных задач.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток коллектора | I_C = 50 А при T_c=25°C | При температуре корпуса 25°C. | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM = 100 А | Максимальный кратковременный импульсный ток. | | Напряжение насыщения | V_CE(sat) ≈ 2.35 В (тип.) при I_C=50А | Показывает падение напряжения в открытом состоянии. Чем меньше, тем лучше. | | Падение на диоде | V_F ≈ 1.8 В (тип.) при I_F=50А | Параметр встроенного обратного диода. | | Энергия включения/выключения | E_on ≈ 2.8 мДж, E_off ≈ 1.4 мДж (тип.) | Показывает динамические потери при переключении. | | Тепловое сопротивление | R_thJC = 0.45 К/Вт | Сопротивление "кристалл-корпус". Важно для расчета радиатора. | | Температура перехода | T_j = -40 ... +150 °C | Рабочий диапазон температуры кристалла. | | Корпус | TO-247 (также известен как TO-3PF) | Стандартный корпус для силовой дискретной электроники. |

Полный Part Number (Парт-номер) и аналоги от Infineon

Официальное полное обозначение обычно включает в себя суффиксы, указывающие на упаковку и класс токсичности (бессвинцовый).

• BSM50GP120 — базовый номер.
• BSM50GP120D1 — распространенный вариант, где "D1" может указывать на специфическую ревизию или упаковку (например, Tube/пакет).
• BSM50GP120DLC — вариант, где "LC" часто означает "Lead-free with Gold-clip" (бессвинцовый с золотым покрытием выводов для лучшей паяемости и надежности).

Важно: При заказе всегда уточняйте точный номер у поставщика.

Совместимые модели и аналоги

Аналоги можно искать по ключевым параметрам: 1200В, 50А, TO-247, наличие встроенного диода.

1. Прямые аналоги и кроссплатформенные замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, ныне Infineon) — очень близкий аналог по параметрам и корпусу.
• FGH50N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor) — 600В, но часто используется в схемах на 400В, быстрее, но с меньшим напряжением. Внимание на напряжение!
• HGTG50N120B3D (Fairchild/ON Semiconductor) — также 1200В, 50А, TO-247.
• STGW50H120DF (STMicroelectronics) — 1200В, 50А, TO-247 с CoPack диодом.
• Серии GT50QRxxx (Toshiba) — например, GT50QR121.

2. Модели в других корпусах с близкими параметрами (для новой разработки):

• IKW50N120T2 (Infineon) — в корпусе TO-247 Plus (больше площадь теплоотвода).
• IKW50N120H3 (Infineon) — в корпусе TO-247, но из более быстрой серии H3 (меньше потери на переключение, но выше Vce(sat)).
• IRGP50B120PD1 (Infineon) — также в TO-247.

3. Важные замечания по совместимости:

• Всегда сверяйте распиновку (pinout)! У большинства IGBT в TO-247 стандартная распиновка (1-Gate, 2-Collector, 3-Emitter), но возможны исключения.
• Проверяйте динамические характеристики (Eon/Eoff, заряд затвора Qg) при замене в существующей схеме, особенно если она работает на предельной частоте. Различия могут привести к перегреву или проблемам с управлением.
• Наличие встроенного диода критически важно. Нельзя заменять транзистор со встроенным диодом на транзистор без него, если в схеме не предусмотрен внешний диод.
• Рекомендуется для критичных применений использовать официальные datasheet и сравнивать ключевые параметры, а не только ток и напряжение.

Вывод

Infineon BSM50GP120 — это проверенный, надежный и универсальный IGBT-транзистор для мощных преобразовательных устройств на напряжение до 600-800В в звене постоянного тока. Благодаря популярности серии GP и корпуса TO-247, он имеет множество аналогов от других производителей, что упрощает поиск замены или альтернативы при проектировании.