Infineon BSP129H6327XTSA1

Infineon BSP129H6327XTSA1
Артикул: 562437

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BSP129H6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSP129H6327XTSA1 — это мощный и надежный N-канальный MOSFET, разработанный специально для коммутации высоких нагрузок в автомобильных и промышленных приложениях. Вот его подробное описание и характеристики.


Описание

Infineon BSP129H6327XTSA1 — это N-канальный MOSFET в компактном корпусе PG-TSDSON-8-10 (TSNP) с флип-чип технологией. Он является частью линейки OptiMOS™ 5 40V, которая славится исключительно низким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективностью.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Высокая эффективность: Чрезвычайно низкое RDS(on) минимизирует потери мощности и нагрев.
  • Автомобильной класс: Соответствует стандарту AEC-Q101, что гарантирует надежность в жестких условиях эксплуатации (перепады температур, вибрации).
  • Компактность и эффективный теплоотвод: Корпус TSNP с открытой тепловой подложкой снижает тепловое сопротивление, позволяя рассеивать большую мощность при малых размерах.
  • Быстрое переключение: Малая емкость затвора обеспечивает высокую скорость работы, что важно для ШИМ-управления.
  • Надежность: Высокая стойкость к лавинным пробоям (Avalanche rugged).
  • Логический уровень управления: Полностью открывается при напряжении на затворе VGS = 10 В, но имеет хорошую проводимость уже при VGS = 4.5 В, что позволяет работать со многими современными микроконтроллерами.

Типичные области применения:

  • Автомобильная электроника: Управление двигателями (дверные замки, стеклоподъемники, насосы), соленоидами, лампочками, подогревателями.
  • Силовые ключи в DC-DC преобразователях.
  • Управление нагрузкой в промышленных системах (ПЛК, реле).
  • Активная защита от обратной полярности (eFuse).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | | | Корпус | PG-TSDSON-8-10 (TSNP) | Размеры: ~ 3.3 x 3.3 мм | | Стандарт качества | AEC-Q101 | Ключевой параметр для автоэлектроники | | Сток-Исток максимальное напряжение (VDSS) | 40 В | | | Постоянный ток стока (ID) | 70 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | < 1.3 мОм | Ключевой параметр! VGS = 10 В, ID = 40 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.7 - 2.4 В | Тип. 2.05 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (±VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 45 нКл | Типичное значение, влияет на драйвер | | Тепловое сопротивление (RthJC) | ~ 1.5 К/Вт | От кристалла к корпусу | | Диапазон рабочих температур (Tj) | от -55°C до +175°C | Макс. температура перехода | | Особенности | Лавинная стойкость, Логический уровень, Диод обратного восстановления с мягкой характеристикой | |


Парт-номер (Part Number) и аналоги в других корпусах

Основной номер, который вы указали, — это полный порядковый код, включающий корпус и упаковку.

  • BSP129H6327XTSA1 = BSP129H (базовая модель) + 6327 (код характеристик) + XTSA1 (корпус TSNP-8-10 на ленте).

Ближайшие аналоги от Infineon в том же семействе (OptiMOS™ 5 40V), но в других корпусах:

  • BSP129H6327XKSA2 — Аналог в корпусе PG-TDSON-8 (DSON-8). Более распространенный и простой для пайки корпус, но с чуть худшим теплоотводом.
  • IPB129N10N5ATMA1 — Аналог в корпусе PG-TO263-7 (D2PAK-7). Для применений, где требуется максимальное рассеивание мощности и ручная пайка.

Совместимые и конкурирующие модели от других производителей

При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: VDSS (40В), ID (не менее 70А), RDS(on) (желательно < 1.5 мОм), корпус и AEC-Q101.

Прямые аналоги / конкуренты:

| Производитель | Парт-номер | Корпус | Ключевые отличия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STL160N4F7AG | PowerFLAT 5x6 | VDSS = 40В, ID = 160А, RDS(on) = 0.7 мОм. Более мощный, корпус другой. | | Vishay / Siliconix | SQJ414EP-T1_GE3 | PowerPAK 8x8 | VDSS = 40В, ID = 100А, RDS(on) = 1.7 мОм. | | ON Semiconductor | NTMFS5C404NLT1G | SO-8FL | VDSS = 40В, ID = 100А, RDS(on) = 1.6 мОм. | | Nexperia | PSMN4R0-40YLDX | LFPAK56 (Power-SO8) | VDSS = 40В, ID = 100А, RDS(on) = 4.0 мОм. Менее эффективный, но надежный. | | Alpha & Omega Semiconductor | AONV040A60B2 | DFN 5x6 | VDSS = 40В, ID = 100А, RDS(on) = 0.8 мОм. |

Важные замечания при замене:

  1. Корпус: TSNP (TSDSON-8-10) — специфический корпус с открытой площадкой снизу. Прямая механическая замена на DSON-8 или SO-8 возможна не всегда.
  2. Параметры: Всегда сравнивайте RDS(on) при одинаковых условиях (VGS, ID), заряд затвора (Qg) для совместимости с драйвером и переходные характеристики.
  3. Схема подключения: Особенно важно для корпусов с тепловой подложкой (как TSNP), которая обычно соединяется со стоком (Drain). На плате должен быть соответствующий thermal pad.

Вывод: Infineon BSP129H6327XTSA1 — это премиальный, высокоэффективный и надежный MOSFET для требовательных автомобильных задач. При поиске аналога в первую очередь стоит рассматривать другие модели из семейства OptiMOS™ 5/6 40V от Infineon, а затем сравнивать параметры с предложениями STMicroelectronics, Vishay и ON Semiconductor.

Товары из этой же категории