Infineon BSP308

Infineon BSP308
Артикул: 562455

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BSP308

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для Infineon BSP308.

Общее описание

BSP308 — это N-канальный MOSFET-транзистор в компактном корпусе SOT-223, разработанный компанией Infineon Technologies. Он принадлежит к серии OptiMOS™, что означает его оптимизацию для высокой эффективности и низких потерь при переключении.

Ключевые особенности этого транзистора:

  • Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери проводимости, что повышает общий КПД системы и уменьшает нагрев.
  • Высокая скорость переключения: Позволяет эффективно работать в импульсных схемах (DC-DC преобразователи, ШИМ-управление).
  • Низкий пороговый напряжение (VGS(th)): Упрощает управление от низковольтных микроконтроллеров (логический уровень, Logic Level).
  • Компактный корпус SOT-223: Занимает мало места на плате, но при этом имеет вывод для теплоотвода (таблетка), что позволяет рассеивать мощность лучше, чем в корпусе SOT-23.

Основные области применения:

  • Системы управления питанием (POL - Point of Load).
  • DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие).
  • Коммутация нагрузок (например, управление светодиодами, реле, моторами малой мощности).
  • Импульсные источники питания (SMPS).
  • Схемы защиты от обратной полярности (обратный диод является частью структуры MOSFET).

Технические характеристики (Типовые / Максимальные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 55 | В | Максимальное напряжение | | Ток стока (непрерывный) | ID | 3.5 | А | При TC = 25°C | | Сопротивление открытого канала | RDS(on) | 0.065 | Ом | Типовое, при VGS = 10 В, ID = 3.5 А | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 1.8 - 3.0 | В | Диапазон, при ID = 250 мкА | | Емкость затвора (входная) | Ciss | 350 | пФ | Типовая | | Заряд затвора | Qg | 12 | нКл | Типовой, ключевой параметр для расчета драйвера | | Максимальная рассеиваемая мощность | Ptot | 2.5 | Вт | При TA = 25°C (на плате) | | Диапазон рабочих температур | TJ | -55 ... +150 | °C | Температура перехода | | Тип канала | — | N-Channel | — | N-канальный, обогащения |


Парт-номера (Part Numbers) и варианты маркировки

Официальное полное наименование от Infineon: BSP308.

На корпусе SOT-223 транзистора наносится маркировка:

  • Первая строка: 308
  • Вторая строка: Дата-код (например, K34).

Таким образом, при поиске на компоненте нужно искать цифры 308.


Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При подборе замены важно учитывать не только электрические параметры, но и распиновку корпуса.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии OptiMOS™):

  • BSP315 (100V, 1.7A, RDS(on) ~0.3 Ом) — на более высокое напряжение, но с большим сопротивлением.
  • BSP320 (60V, 2.5A, RDS(on) ~0.1 Ом) — очень близкий аналог, чуть более высокое сопротивление.
  • BSZ038N06NS3 (60V, 30A, RDS(on) ~3.8 мОм) — в корпусе SuperSO8, НЕ ПРЯМОЙ АНАЛОГ по корпусу, но пример из OptiMOS для сравнения.

2. Аналоги от других производителей (функционально близкие в корпусе SOT-223):

  • STMicroelectronics:
    • STD3NK50Z-1 (500V, 3A) — на высокое напряжение, для других применений.
    • STD85N3LLH6 (30V, 8.5A, RDS(on)=9.5 мОм) — Logic Level, более мощный.
  • Vishay / Siliconix:
    • SQJ431EP (60V, 5.5A, RDS(on)=0.03 Ом) — в корпусе PowerPAK® SO-8, очень мощный, но другой корпус.
    • SiS414DN (40V, 5.8A, RDS(on)=0.022 Ом) — в корпусе TSLP, более современный и эффективный.
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FDC653N (20V, 5.5A, RDS(on)=0.04 Ом) — Logic Level, в корпусе SO-8.
    • NDT3055L (20V, 4.2A, RDS(on)=0.07 Ом) — Logic Level, в корпусе SOT-223, один из самых популярных прямых аналогов.
  • Diodes Incorporated:
    • DMP3056LSS-13 (60V, 3.5A, RDS(on)=0.1 Ом) — Logic Level, в корпусе SOT-223, практически полный аналог.

3. Ключевые параметры для поиска аналога:

  1. Тип: N-Channel MOSFET.
  2. Корпус: SOT-223 (критически важно для разводки платы).
  3. Напряжение VDSS: ≥ 55В.
  4. Ток ID: ≥ 3.5А.
  5. Сопротивление RDS(on): чем ниже, тем лучше (желательно < 0.1 Ом при VGS=10В).
  6. Пороговое напряжение VGS(th): если управление от 3.3В/5В, нужно искать Logic Level (< 2.5В макс.).

Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами (datasheet) обоих компонентов, уделяя особое внимание распиновке (pinout) и характеристикам в ваших конкретных условиях работы (ток, температура). Наиболее безопасными для прямой замены в серийном производстве являются аналоги, специально указанные в документации Infineon или подобранные через инструменты подбора аналогов (например, на сайтах Octopart, LCSC, или в системах CAD).

Товары из этой же категории