Infineon BSS214NWH6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSS214NWH6327XTSA1 — это высококачественный N-канальный MOSFET-транзистор в современном корпусе, предназначенный для управления нагрузками в низковольтных системах.

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание

BSS214NWH6327XTSA1 — это N-канальный MOSFET с логическим уровнем затвора, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (3.3В или 5В) без дополнительных драйверов. Он выполнен в сверхкомпактном и экономичном корпусе TSOP-6 (также известном как SOT-363), который занимает минимум места на печатной плате.

Ключевая особенность этой модели — очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при низком напряжении затвора. Это делает его идеальным для ключевых применений, где важны минимальные потери мощности и нагрев.

Основные области применения:

• Коммутация нагрузок в портативной электронике (смартфоны, планшеты, носимые устройства).
• Управление питанием (Power Management) — включение/выключение цепей, нагрузочные переключатели.
• Модули DC-DC преобразователей (синхронное выпрямение, низковольтные стороны).
• Системная логика, интерфейсы.
• Драйверы светодиодов, моторчиков, реле.

Технические характеристики (ключевые параметры)

Параметры приведены для типичных условий (если не указано иное). Все данные из официального даташита Infineon.

| Параметр | Обозначение | Значение / Условие | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | - | N-канальный, Enhancement Mode | | | Корпус | - | TSOP-6 (SOT-363) | Очень малый размер | | Сток-Исток напряжение | V_DSS | 20 В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Ток стока (непрерывный) | I_D | 2.3 А | При T_C = 25°C | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 45 мОм (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 1.5 А | | | | 60 мОм (макс.) | При V_GS = 2.5 В, I_D = 1.2 А | Ключевой параметр для логических уровней | | Напряжение затвор-исток | V_GS | ±12 В | Максимальное (от -12В до +12В) | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 0.6 - 1.5 В | При I_D = 250 мкА | Гарантирует срабатывание от 2.5В | | Общий заряд затвора | Q_g | ~3.2 нКл (тип.) | При V_GS = 4.5 В | Низкий заряд = высокая скорость переключения | | Диод обратного восстановления | - | Интегрированный (Body-Diode) | Есть | | Температура хранения/перехода | T_j, T_stg | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера и совместимые модели (Direct Replacements / Cross-Reference)

Полных 100% аналогов с идентичными характеристиками и корпусом может не быть, но существует множество функционально совместимых и взаимозаменяемых моделей от других производителей. При замене всегда следует сверяться с даташитами, особенно по распиновке (Pinout) корпуса TSOP-6/SOT-363, так как она может отличаться!

Аналоги и совместимые модели от других брендов:

• Diodes Incorporated:
  • DMN3012LSSQ (30В, 3.2А, RDS(on) ~50мОм @ 4.5В) — очень популярный и доступный аналог.
  • DMP3012LSSQ
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDN337N (30В, 2.3А, RDS(on) ~50мОм @ 4.5В) — классический аналог в SOT-23, но корпус другой (SOT-23-3). Для TSOP-6 нужно искать аналоги с 6 выводами.
  • NVTFS4C10N (20В, 4.1А, RDS(on) ~11мОм @ 2.5В) — более мощный, но также в TSOP-6.
• Nexperia:
  • PMV65XN (20В, 2.3А, RDS(on) ~60мОм @ 2.5В) — близкие параметры, корпус TSOP-6.
• Toshiba:
  • SSM3K123TU (20В, 2А, RDS(on) ~55мОм @ 2.5В) — хороший функциональный аналог.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AO3400A (30В, 5.8А, RDS(on) ~28мОм @ 4.5В) — но корпус SOT-23. Один из самых популярных MOSFET в мире. Внимание на распиновку и размер!

Другие модели из линейки Infineon (в том же корпусе TSOP-6):

• BSS215NH6327XTSA1 — P-канальный комплементарный транзистор для создания пар (Complementary Pair).
• BSS216NH6327XTSA1 — N-канальный, с чуть другими параметрами (30В, 1.8А).
• BSS218NH6327XTSA1 — N-канальный, 20В, 3.8А (более мощный).

Важные замечания при замене:

1. Распиновка (Pinout): Корпус TSOP-6 имеет 6 ножек, которые могут быть сконфигурированы по-разному (например, два стока, два истока для лучшего теплоотвода/проводимости). Всегда проверяйте распиновку в даташите перед заменой!
2. Ключевые параметры для подбора аналога: Основное, на что нужно смотреть — V<sub>DSS</sub> (>=20В), I<sub>D</sub> (>=2.3А) и, самое главное, R<sub>DS(on)</sub> при напряжении управления V_GS, которое есть в вашей схеме (2.5В или 4.5В).
3. Паразитные емкости (C<sub>iss</sub>, C<sub>rss</sub>) и заряд затвора (Q<sub>g</sub>): Если ваша схема работает на высоких частотах (сотни кГц и выше), эти параметры становятся критичными.

Рекомендация: Для поиска наиболее точных аналогов используйте электронные базы данных на сайтах дистрибьюторов (LCSC, Mouser, Digi-Key, Octopart), где есть фильтры по параметрам и функция cross-reference.