Infineon BUP303

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для силового биполярного транзистора Infineon BUP303.

Описание

Infineon BUP303 — это мощный n-p-n биполярный транзистор (BJT), выполненный по технологии Mesa (MDMesh™). Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, особенно в топологиях прямого хода (Forward) и двухтактных преобразователях.

Его ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CE0): 900 В, что делает его пригодным для работы в сетях 220/380В с учетом выбросов напряжения.
• Низкое напряжение насыщения (V_CE(sat)): Обеспечивает малые потери проводимости и высокий КПД.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии Mesa, транзистор имеет короткое время восстановления, что снижает коммутационные потери.
• Встроенный демпферный диод: Диод между коллектором и эмиттером ускоряет выключение и защищает структуру транзистора.
• Корпус TO-247: Обеспечивает хороший отвод тепла и удобство монтажа.

Основные области применения:

• Импульсные блоки питания (SMPS) средней и высокой мощности.
• Преобразователи для телекоммуникационного оборудования.
• Промышленные источники питания.
• Сварочные инверторы.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | 900 В | I_C = 100 мА | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | 1000 В | I_C = 100 мА | | Постоянный ток коллектора | I_C | 12 А | | | Пиковый ток коллектора | I_CM | 24 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 0.8 В (макс.) | I_C = 8 А, I_B = 1.6 А | | Коэффициент усиления по току | h_FE | 8 - 40 | I_C = 8 А, V_CE = 5 В | | Рассеиваемая мощность коллектора | P_tot | 125 Вт | T_C = 25°C | | Температура перехода | T_j | -40 до +150 °C | | | Время включения | t_on | 0.3 мкс (тип.) | | | Время выключения | t_f | 0.25 мкс (тип.) | | | Корпус | - | TO-247 (изолированный или неизолированный вариант) | |

Part-номера (артикулы Infineon)

Официальные номера деталей для заказа. Суффиксы указывают на особенности:

• BUP303 — базовая модель.
• BUP303T — вероятно, обозначение для поставки в катушке/ленте (Tape & Reel).
• BUP303-904 — вариант с конкретными техническими пределами или из определенной производственной партии.

Важно: При заказе всегда уточняйте точный артикул у дистрибьютора, так как могут быть незначительные изменения в маркировке.

Совместимые и аналогичные модели

Аналоги подбираются по ключевым параметрам: V_CEO ≥ 900В, I_C ≥ 12А, корпус TO-247/TO-3P и низкое V_CE(sat).

1. Прямые аналоги и замены (от других производителей):

Эти транзисторы имеют максимально близкие характеристики и часто являются взаимозаменяемыми в схемах:

• STMicroelectronics: ST13009E, ST13009D (очень популярный и распространенный аналог, 400В, но часто используется в схемах, рассчитанных на BUP303, требует проверки по напряжению). Более точный аналог по напряжению — ST13007 (700В, 8А).
• ON Semiconductor (Fairchild): MJE13009, KSE13009.
• NXP (Philips): BUW13A (старая, но надежная серия).
• Toshiba: 2SC4242.

2. Более современные и эффективные аналоги (часто с лучшими параметрами):

• Super-Junction MOSFET (替代 в новых разработках): Для новых проектов вместо биполярных транзисторов часто выбирают MOSFET, так как они проще в управлении и имеют меньше динамических потерь.
  • Infineon: SPW47N60C3 (600В, 47А, TO-247), IPP60R190C6 (600В, 18А, CoolMOS™).
  • STMicroelectronics: STP20NM60FD (600В, 20А, MDmesh™ II), STW20NK50Z (500В, 20А, SuperFET®).
  • ON Semiconductor: FCP20N60 (600В, 20А).

3. Аналоги с более высокими параметрами (на замену в ремонте):

Если требуется повышенная надежность или запас по току:

• BUP314 (Infineon) — 16А, 900В, TO-247.
• 2SC3320 (Toshiba) — 15А, 900В.
• MJE13009 в корпусе TO-3P (более мощном).

Важные замечания при замене:

1. Проверьте распиновку (pinout): У разных производителей в корпусе TO-247 расположение базы, коллектора и эмиттера может отличаться. Это критически важно!
2. Характеристики переключения: Время включения/выключения и задержки должны быть сопоставимы, особенно в высокочастотных схемах.
3. Коэффициент усиления (h_FE): Сильно отличающийся коэффициент может потребовать корректировки цепи драйвера базы.
4. Встроенный демпферный диод: Наличие и характеристики этого диода влияют на работу.

Рекомендация: При ремонте лучшим выбором является оригинальный BUP303 или прямой аналог MJE13009/KSE13009 (при условии достаточного напряжения). При разработке нового устройства стоит рассмотреть современные Super-Junction MOSFET. Всегда сверяйтесь с даташитами обоих компонентов перед заменой.