Infineon BUZ102S

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon BUZ102S.

Описание

Infineon BUZ102S — это классический N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по технологии HEXFET. Он принадлежит к поколению проверенных временем компонентов, которые зарекомендовали себя высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.

Основное назначение: Коммутация больших токов в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, импульсных регуляторах, драйверах двигателей, инверторах и других силовых электронных схемах.

Ключевые особенности:

• Высокая устойчивость к перегрузкам: Обладает большим запасом по току и напряжению, что делает его надежным в жестких условиях работы.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Позволяет минимизировать потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Быстрое переключение: Технология HEXFET обеспечивает высокую скорость переключения, что важно для эффективной работы в импульсных режимах.
• Улучшенная стойкость к лавинным breakdown: Повышенная надежность при работе с индуктивными нагрузками.
• Проверенная конструкция: Корпус TO-220 обеспечивает удобный монтаж и эффективный отвод тепла через радиатор.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, MOSFET, HEXFET | — | | Корпус | — | TO-220 (без изолирующей прокладки) | — | | Макс. напряжение "сток-исток" | V_DSS | 100 В | — | | Макс. постоянный ток стока | I_D | 30 А | T_c = 25°C | | Макс. импульсный ток стока | I_DM | 120 А | — | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.040 Ом (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 15 А | | | | 0.055 Ом (макс.) | V_GS = 5 В, I_D = 10 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | I_D = 250 мкА | | Макс. напряжение "затвор-исток" | V_GSS | ±20 В | — | | Общий заряд затвора | Q_g | ~ 60 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Макс. рассеиваемая мощность | P_D | 75 Вт | T_c = 25°C | | Диод "сток-исток" | — | Встроенный обратный диод (Body Diode) | — | | Температура перехода | T_J | от -55 до +175 °C | — |

Прямые аналоги и парт-номера (Direct Replacements)

Эти транзисторы имеют идентичные или практически идентичные электрические характеристики, распиновку и корпус, и могут служить прямой заменой без изменений в схеме.

• International Rectifier (ныне часть Infineon):
  • IRF1010E — один из самых популярных и распространенных аналогов.
  • IRF100B201
  • IRF1404
• Vishay Siliconix:
  • SUD50N10-09 (более современный аналог с низким Rds(on))
• STMicroelectronics:
  • STP55NF10 (очень близкие параметры, часто используется как аналог)
  • STW55NF10
• Fairchild (ныне часть ON Semiconductor):
  • FDP55N10 (прямой функциональный аналог)
• ON Semiconductor:
  • NTD55N10R (аналог в корпусе TO-220)

Совместимые и близкие по параметрам модели (Cross-Reference)

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (напряжение ~100В, ток 30-55А), но могут отличаться сопротивлением Rds(on), зарядом затвора или корпусом. Требуется проверка даташита и, возможно, подстройка схемы управления (драйвера затвора).

• Более современные/эффективные модели (ниже Rds(on)):

  • Infineon IPP055N10N5 (OptiMOS 5, 5.5 мОм!)
  • Infineon IPB055N10N5 (в корпусе TO-263)
  • STMicroelectronics STH55N10F7-6 (STripFET F7, 6.5 мОм)
  • Vishay SUD50N10-09 (уже упомянут как прямой аналог)
  • ON Semiconductor FDPF55N10 (Logic Level, 55А)

• Классические аналоги с близкими параметрами:

  • IRFZ44N (более слабый: 55В, 49А, 22 мОм) — подходит для схем с меньшим напряжением.
  • IRF3205 (более мощный: 55В, 110А, 8 мОм) — для низковольтных схем.
  • IRF540 (100В, 28А, 44 мОм) — практически полный функциональный аналог.
  • BUZ11 (50В, 30А) — аналог по току, но с меньшим напряжением.

Важные замечания при замене:

1. Напряжение V_DSS: Нельзя использовать транзистор с рабочим напряжением ниже, чем в исходной схеме.
2. Ток I_D: Новый транзистор должен иметь номинальный ток не меньше.
3. Rds(on): Меньшее сопротивление — это лучше (меньше нагрев), но может повлиять на динамические характеристики.
4. Параметры затвора (Q_g, V_GS(th)): Критически важны для схем быстрого переключения. Если заряд затвора (Q_g) сильно отличается, драйвер может не справиться. У современных аналогов он часто меньше.
5. Корпус и монтаж: Обращайте внимание на расположение выводов (pinout) и возможность крепления на тот же радиатор.

Вывод: Infineon BUZ102S — это надежный "рабочая лошадка" для силовых схем. При замене оптимальным выбором являются IRF1010E или STP55NF10. Для модернизации схемы стоит рассмотреть более современные модели из серий OptiMOS (Infineon) или STripFET (ST), которые обеспечат более высокий КПД.