Infineon BUZ103

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon BUZ103.

Описание

Infineon BUZ103 — это классический N-канальный MOSFET транзистор (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор), выполненный по технологии High Voltage DMOS. Он принадлежит к легендарной серии BUZ10x, которая десятилетиями была отраслевым стандартом для мощных ключевых приложений.

Основное назначение: Коммутация высоких напряжений и токов в импульсных режимах. Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток: Позволяет работать в цепях с напряжением до 500В.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает малые потери проводимости и высокий КПД.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии DMOS, подходит для импульсных преобразователей.
• Корпус TO-220: Универсальный, удобный для монтажа и теплоотвода (с использованием радиатора).

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры)
• Управление двигателями (H-мосты, приводы)
• Инверторы (например, для бесперебойных источников питания)
• Силовые ключевые каскады

Технические характеристики (основные)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 500 В | Максимальное напряжение | | Непрерывный ток стока | I_D | 12 А | При T_c=25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 48 А | | | Сопротивление канала "сток-исток" | R_DS(on) | 0.4 Ом | Максимум, при V_GS=10В, I_D=6A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | Типовое ~3В | | Емкость входная/выходная | C_iss / C_oss | ~1200 пФ / ~350 пФ | При V_DS=25В, V_GS=0В | | Время включения/выключения | t_d(on) / t_d(off) | ~20 нс / ~100 нс | | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 75 Вт | На радиаторе при T_c=25°C | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | | | Тип корпуса | — | TO-220 | Изолированная версия — BUZ103S (TO-220 Fullpack) |

Парт-номера и прямые аналоги

Поскольку BUZ103 — очень распространенная деталь, у него множество прямых аналогов от других производителей с идентичными или очень близкими характеристиками и цоколевкой (TO-220).

Прямые аналоги (с cross-reference):

• STMicroelectronics: STP12N50, STP10N50, STP8N50 (номенклатура ST: 12А, N-канал, 500В)
• Fairchild/ON Semiconductor: FQP12N50, FQP10N50, FQP8N50
• Vishay/Siliconix: IRF740 (400В, но часто используется как аналог), IRF840 (500В, 8А)
• International Rectifier (IR): IRF740, IRF840, IRFB11N50A
• Philips (NXP): BUZ102 (8А, 500В, из той же серии)
• IXYS: IXFH12N50

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом, особенно по пороговому напряжению (V_GS(th)), емкостям и времени переключения, если схема высокочастотная.

Совместимые / Взаимозаменяемые модели (подбор по ключевым параметрам)

Для замены BUZ103 в большинстве случаев подойдет любой N-канальный MOSFET в корпусе TO-220 со следующими характеристиками:

• V_DSS ≥ 500 В (можно больше: 550В, 600В, но не меньше).
• I_D ≥ 12 А (можно больше: 16А, 20А).
• R_DS(on) сопоставимое или меньше (например, 0.3 - 0.5 Ом при 10В).

Современные, более совершенные аналоги (часто с лучшими параметрами):

Эти модели имеют более низкое R_DS(on), лучшую скорость переключения и могут быть более предпочтительны в новых разработках.

1. SuperMOS / CoolMOS от Infineon:
   • SPP12N50C3 (более современный аналог от Infineon)
   • IPP12N50N (технология N-Channel CoolMOS)
2. STMicroelectronics (серия MDmesh):
   • STP12N50K5 (с низким Rds(on) и зарядом затвора)
   • STW12N50K5 (в корпусе TO-247)
3. ON Semiconductor (серия QFET, SuperFET):
   • FCP12N50 (быстрый переключающий QFET)
   • NTP12N50 (аналоговая серия)
4. Vishay (серия Power MOSFET):
   • SUP12N50-21 (с улучшенными динамическими характеристиками)

Важные замечания при замене:

1. Изолированный фланец: Если в оригинальной схеме использовался BUZ103S (с изоляцией), его аналогом будет, например, STP12N50FP или любая модель с суффиксом FP (Fullpack), IS (Isolated) в корпусе TO-220F.
2. Цепочки затвора: В быстрых схемах при замене на более современный транзистор может потребоваться корректировка номиналов резистора в цепи затвора (R_G) из-за разной входной емкости.
3. Радиатор: Более эффективные современные транзисторы могут иметь меньший нагрев при той же нагрузке.

Таким образом, BUZ103 остается надежным и проверенным решением, но для новых проектов часто выбирают его современные аналоги с улучшенными характеристиками.