Infineon BUZ104

Конечно! Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые замены для мощного полевого транзистора Infineon BUZ104.

Описание

Infineon BUZ104 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по классической технологии V-MOS. Он был очень популярен в своей время и до сих пор встречается в ремонте и старых разработках.

• Тип: N-Channel Enhancement Mode MOSFET (МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа).
• Корпус: TO-220. Этот корпус позволяет эффективно рассеивать тепло при использовании радиатора.
• Основное назначение: Предназначен для коммутации больших токов и напряжений в импульсных источниках питания, мощных усилителях класса D, системах управления двигателями и других силовых приложениях.
• Ключевые особенности: Высокое напряжение сток-исток, низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) для своего времени, способность работать с большими токами.

Технические характеристики (кратко)

• Сток-Исток Напряжение (V_DSS): 100 В
• Непрерывный ток стока (I_D) при T_c = 25°C: 30 А
• Импульсный ток стока (I_DM): 120 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.035 Ом (макс.) при V_GS = 10 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2 - 4 В
• Максимальная мощность рассеяния (P_tot): 150 Вт (при температуре корпуса 25°C)
• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC): 0.83 °C/Вт

Технические характеристики (таблица с основными параметрами)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DSS | 100 В | | | Напряжение "Затвор-Исток" | V_GSS | ±20 В | | | Непрерывный ток стока | I_D | 30 А | T_c = 25°C | | Сопротивление откр. канала | R_DS(on) | 0.035 Ом | V_{GS</> = 10 В, ID = 15 А | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 2 - 4 В | VDS = VGS, ID = 1 мА | | Входная емкость | Ciss | 1500 пФ | VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1 МГц | | Время включения | td(on) | 35 нс | | | Время выключения | td(off) | 100 нс | | | Макс. мощность рассеяния | Ptot | 150 Вт | Tc = 25°C | | Диод "Исток-Сток" | - | Есть (встроенный обратный диод) | |}

Парт-номера и совместимые модели

BUZ104 является частью большого семейства транзисторов. Его прямыми аналогами и парт-номерами являются модели с очень близкими или идентичными характеристиками.

Прямые аналоги и парт-номера:

• IRF (International Rectifier): IRF540 (очень известный и распространенный аналог, 100В, 33А, 0.044 Ом)
• STMicroelectronics: STP55NF10 (более современный, 100В, 55А, 0.02 Ом)
• Vishay (Siliconix): SUP50N10-18 (100В, 50А, 0.018 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor): FQP50N10 (100В, 50А, 0.028 Ом)

Совместимые замены (полные или улучшенные):

При поиске замены для BUZ104 можно смело рассматривать более современные транзисторы, которые часто имеют лучшие параметры (меньшее R_DS(on), большую перегрузочную способность) и стоят дешевле.

Важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с цоколевкой (pinout) корпуса, она стандартна для TO-220 (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но в современных схемах могут быть нюансы.

| Производитель | Модель | V_DSS | I_D | R_DS(on) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Infineon | IPP100N10S3-03 | 100 В | 80 А | 0.0035 Ом | Отличная современная замена | | Infineon | IPP100N10S3-05 | 100 В | 80 А | 0.0048 Ом | Отличная современная замена | | Infineon | IRF1010E | 60 В | 75 А | 0.012 Ом | Подходит, если напряжение в схеме ниже | | Infineon | IRF3205 | 55 В | 110 А | 0.008 Ом | Очень популярен, но напряжение ниже | | STMicroelectronics | STP75NF10 | 100 В | 75 А | 0.0095 Ом | Очень хорошая замена | | ON Semiconductor | FDP100N10 | 100 В | 80 А | 0.009 Ом | Хорошая современная замена | | Vishay | SUP100N10-18 | 100 В | 100 А | 0.018 Ом | Мощная замена |

Важные замечания по замене:

1. Напряжение: Замена должна иметь напряжение V_DSS не меньше, чем у оригинала (100В). Можно больше.
2. Ток: Ток I_D у замены должен быть не меньше. Чем больше, тем лучше (и обычно надежнее).
3. Сопротивление: R_DS(on) у современной замены, как правило, значительно ниже, что приводит к меньшим потерям и нагреву.
4. Корпус: Убедитесь, что корпус замены такой же (TO-220). Обратите внимание на наличие и расположение теплоотвода (таблетки), если он изолирован от стока.

Вывод: BUZ104 — классический, но устаревший MOSFET. Для его замены сегодня существует множество более совершенных, мощных и часто более дешевых моделей, таких как IPP100N10S3-03 от Infineon или STP75NF10 от STMicroelectronics.