Infineon BUZ325

Артикул: 562747

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon BUZ325

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для силового MOSFET транзистора Infineon BUZ325.

Общее описание

Infineon BUZ325 — это классический N-канальный MOSFET транзистор, изначально разработанный компанией Siemens (позже вошедшей в Infineon). Он принадлежит к поколению мощных полевых транзисторов с управлением по напряжению (логический уровень), которое стало стандартом в конце 80-х — начале 90-х годов.

Ключевые особенности и применение:

Назначение: Предназначен для коммутации больших токов в цепях постоянного тока.
Основные сферы применения:
- Импульсные источники питания (SMPS).
- Управление двигателями (H-мосты, приводы).
- Инверторы (например, в автомобильной аудиотехнике).
- Силовые ключи в реле и контроллерах.
Корпус: Выполнен в надежном и распространенном корпусе TO-220, обеспечивающем хороший теплоотвод при монтаже на радиатор.
Статус: На данный момент модель считается устаревшей (obsolete). Она была заменена более современными аналогами с улучшенными параметрами (меньшее сопротивление открытого канала, более быстое переключение, лучшая защита). Однако она до сих пор может встречаться в ремонте и старом оборудовании.

Технические характеристики (Datasheet Parameters)

Основные электрические параметры при температуре 25°C, если не указано иное:

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-Channel, Enhancement Mode | — | | Корпус | — | TO-220 (пластиковый, с металлической подложкой) | — | | Стойкость "Земля-Сток" | V_DSS | 500 В | Максимальное напряжение сток-исток | | Непрерывный ток стока | I_D | 12 А | При T_c = 25°C | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 48 А | — | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.25 Ом | Типовое значение при V_GS = 10 В | | | | 0.4 Ом | Максимальное значение при V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | Логический уровень, обеспечивает совместимость со многими микроконтроллерами | | Заряд затвора | Q_g | ~30 нКл | Влияет на требования к драйверу затвора | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 75 Вт | При T_c = 25°C (с радиатором) | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | — |

Парт-номера и варианты маркировки

Официальное название от Infineon (Siemens): BUZ325. На корпусе обычно маркируется как:

BUZ325
Иногда с дополнительным кодом партии (например, BUZ325 S3P45).

Важно: Существуют версии в разных корпусах, но наиболее распространен TO-220 (полное название BUZ325-1A или просто BUZ325).

Совместимые модели и прямые аналоги

Поскольку BUZ325 снят с производства, для замены в новых проектах или при ремонте следует использовать современные аналоги. Критерии выбора: N-канал, V_DSS ≥ 500В, I_D ≥ 12А, корпус TO-220 (или SMD-аналоги), логический уровень управления.

Прямые и улучшенные аналоги (от Infineon и других производителей):

Что учитывать при замене:

Напряжение (V_DSS): Должно быть не меньше, чем у оригинала (500В). Лучше с запасом (например, 550-600В).
Ток (I_D): Должен быть не меньше (12А). У современных моделей при том же корпусе ток часто выше.
Сопротивление R_DS(on): Чем меньше, тем лучше (меньше нагрев и потери).
Корпус: Аналоги в TO-220 (или его SMD-версии, например, D²PAK) являются прямыми механическими аналогами.
Затвор: Важно, чтобы пороговое напряжение также было логическим уровнем (2-4В) для совместимости со схемой управления.
Распиновка: Всегда сверяйте распиновку (pinout) нового транзистора. У большинства аналогов в TO-220 стандартная распиновка (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но бывают исключения.

Рекомендация: Для новых разработок не используйте BUZ325. Выбирайте современные MOSFET от Infineon (CoolMOS, OptiMOS), STMicroelectronics или ON Semiconductor с улучшенными динамическими характеристиками и эффективностью.