Infineon BUZ73

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по аналогам для полевого транзистора Infineon BUZ73.

Описание

Infineon BUZ73 — это классический N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор), выполненный по технологии High Voltage Lateral MOSFET (позволяющей достигать высокого напряжения сток-исток). Это один из самых известных и широко использовавшихся "рабочих лошадок" в силовой электронике 80-90х годов и до сих пор встречается в ремонте и некоторых новых разработках.

Ключевые особенности и применение:

• Высокое напряжение: Основная ниша — схемы, работающие от сетевого напряжения (220В), где требуется запас по напряжению.
• Средняя мощность: Рассчитан на значительные токи, что позволяет использовать его в импульсных источниках питания, инверторах, контроллерах двигателей, преобразователях.
• Технология Lateral (латеральный, поперечный): Отличается от более современных вертикальных (V-MOS) структур. Имеет более высокое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и большую паразитную емкость, что ограничивает частоту переключения (обычно до 100-200 кГц). Обладает высокой стойкостью к перегрузкам по току и безопасной рабочей областью (SOA).
• Корпус: Выполнен в классическом, легко монтируемом корпусе TO-220, обеспечивающем хороший теплоотвод.

Области применения (типичные):

• Выходные ключи импульсных блоков питания (БП) для ПК, мониторов, аудиоаппаратуры.
• Преобразователи напряжения (инверторы 12/220В).
• Управление электродвигателями (H-мосты, контроллеры).
• Ступенчатые стабилизаторы напряжения.

Основные технические характеристики (ТТХ)

Приведены абсолютные максимальные и типовые параметры при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 500 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока | I_D | 9 А | Максимальный ток в открытом состоянии. | | Импульсный ток стока | I_DM</ | 36 А | Максимальный кратковременный импульсный ток. | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.6 Ом (макс.) | При V_GS=10 В, I_D=4.5 А. Ключевой параметр, определяет потери на нагрев. | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±20 В | Затвор очень чувствителен к статическому электричеству! | | Мощность рассеяния | P_tot | 75 Вт | При температуре корпуса 25°C. На практике требует радиатора. | | Скорость переключения | t_d(on), t_r, t_d(off), t_f | Суммарно ~100-200 нс | Относительно невысокая для современных стандартов. | | Емкость "затвор-исток" (входная) | C_iss | ~1000 пФ | Высокая емкость, требует достаточного тока драйвера для быстрого переключения. | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера и прямые аналоги

BUZ73 выпускался многими производителями. Прямые аналоги (полные замены) имеют тот же корпус и полностью совпадающие ключевые параметры (500В, 9А, TO-220).

От Infineon (и бывшей Siemens):

• BUZ73A (модификация с улучшенными характеристиками, часто используется как взаимозаменяемая)
• BUZ72 (близкий аналог, но на 400В)
• SPP9N60S5 (более современный аналог от Infineon на 600В, но с лучшими характеристиками)

Другие производители (прямые аналоги):

• STMicroelectronics: STP9NB50, STP9NK50Z (более новые, но близкие по параметрам)
• Fairchild (ON Semiconductor): FQP9N50C
• International Rectifier: IRF740 (очень популярный аналог, 400В 10А), IRF840 (500В 8А)
• Vishay: IRF840
• NXP (Philips): BUZ73

Совместимые модели и современные аналоги для замены

При замене, особенно в ремонте, часто можно использовать более современные и совершенные транзисторы, которые превосходят BUZ73 по ключевым параметрам (ниже Rds(on), выше частота). Важно проверять цоколевку (распиновку)!

Рекомендации по замене:

1. По напряжению и току: Аналог должен иметь V_DSS не ниже 500В и I_D не менее 9А.
2. По корпусу: Чаще всего нужен корпус TO-220.
3. Более современные и эффективные аналоги (рекомендуемые для замены):
   • STP9NK50ZFP / STP9NK50Z (STMicro) - 500В, 9А, Rds(on)=0.65 Ом, имеет встроенный защитный диод.
   • IRFBC40 (International Rectifier) - 600В, 6.2А. Очень распространен, часто подходит.
   • IRF840 (разные производители) - 500В, 8А, Rds(on)=0.85 Ом. Классика, почти всегда в наличии.
   • FQP9N50C (ON Semi) - 500В, 9А, Rds(on)=0.73 Ом.
   • 2SK2837 (Toshiba) - 500В, 10А.
   • Из более новых и эффективных (с меньшим Rds(on)):
     • STP10NK60ZFP (600В, 10А, Rds(on)=0.65 Ом) - отличная замена с запасом.
     • IRFB9N60A (600В, 9.3А, Rds(on)=0.78 Ом).
     • FCP11N60 (600В, 11А, Rds(on)=0.45 Ом) - существенно лучше по потерям.

Важное замечание: Перед заменой, особенно в импульсных БП, желательно:

• Проверить схему на наличие снабберных цепей (RC-цепочки).
• Убедиться, что драйвер затвора обеспечивает достаточный ток для заряда/разряда входной емкости нового транзистора (у современных аналогов она может быть другой).
• В большинстве случаев прямая замена на IRF840, IRFBC40 или STP9NK50Z проходит успешно.