Infineon D126B45C

Артикул: 562791

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon D126B45C

Отличный выбор! Infineon D126B45C — это высококачественный силовой транзистор из серии CoolMOS™, который широко используется в импульсных источниках питания (SMPS) благодаря своим выдающимся характеристикам.

Описание

Infineon D126B45C — это N-канальный MOSFET с суперстепенью (Superjunction) технологии CoolMOS™ C6. Ключевая особенность этой серии — революционно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при сохранении высокой скорости переключения. Это достигается за счет уникальной вертикальной структуры суперстепени.

Основное назначение: Компонент предназначен для использования в качестве ключевого элемента в импульсных источниках питания (например, в блоках питания для ПК, серверов, промышленного оборудования), а также в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC) и преобразователях LLC. Он идеально подходит для топологий, работающих на жестком переключении (hard switching).

Основные преимущества:

Высокий КПД: Низкие динамические и статические потери.
Высокая надежность: Отличный баланс между скоростью переключения и устойчивостью к перенапряжениям.
Оптимизация для работы на частотах до 100 кГц и выше.

Технические характеристики (кратко)

Тип: N-канальный MOSFET, Superjunction (CoolMOS™ C6)
Корпус: TO-220 (изолированный или нет, зависит от модификации в заказе)
Напряжение сток-исток (VDS): 450 В
Ток стока (ID) при 25°C: 12.6 А (непрерывный)
Ток стока (ID) при 100°C: 8.0 А (непрерывный)
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.45 Ом (макс.) при VGS = 10 В (ключевой параметр в названии модели: 45 = 0.45 Ом, C = поколение C6)
Заряд затвора (Qg): 18 нКл (тип.) — низкий заряд для снижения потерь на управление.
Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 3.0 - 5.0 В

Парт-номера и прямые аналоги (Direct Replacements)

Это компонент с конкретным заводским номером. Прямыми аналогами являются другие бренды, выпускающие MOSFET с аналогичными или очень близкими характеристиками в том же корпусе TO-220.

От Infineon (самые близкие по семейству и характеристикам):

SPP11N60C3 (600В, 0.45 Ом, 11А) — более высокое напряжение.
IPP60R045C7 (600В, 0.045 Ом, 35А, корпус TO-220 FullPAK) — из другого, более нового семейства (C7), но часто используется в схемах похожего назначения.
IRFB11N50A (от International Rectifier, ныне Infineon) — исторический аналог.

Аналоги от других производителей:

STMicroelectronics: STP11NK50Z (500В, 0.45 Ом, 11А), STW11NK100Z.
Fairchild/ON Semiconductor: FCP11N60 (600В, 0.45 Ом, 11А).
Vishay/Siliconix: SPP11N60C3.
Power Integration (в составе своих чипов).

Важное замечание: Хотя электрические характеристики могут быть очень близки, всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно по динамическим параметрам (заряды, паразитные емкости), так как они напрямую влияют на работу схемы на высокой частоте.

Совместимые модели (в контексте ремонта/замены в БП)

При поиске замены в конкретном блоке питания (например, ATX) логика следующая:

Ищем оригинал (Infineon D126B45C) — это лучший вариант.
Ищем аналог с близкими или лучшими параметрами: Напряжение не менее 450В (лучше 500-600В для запаса), ток не менее 12А, и RDS(on) примерно 0.45 Ом или меньше. Меньшее сопротивление — обычно лучше (меньше нагрев), но может потребовать проверки цепи управления.

Популярные модели для замены в БП, часто встречающиеся на практике:

FQP12N50C / FQA12N50C (Fairchild/ON Semi) — 500В, 12А, 0.45 Ом.
STP12NK50Z (STMicro) — 500В, 12А, 0.45 Ом.
P12NK50ZFP (STMicro) — 500В, 12А, 0.45 Ом (в корпусе TO-220FP, изолированный).
KSE12N50 (Fairchild) — 500В, 12А, 0.45 Ом.
2SK3562 (Toshiba) — 500В, 12А, 0.45 Ом.