Infineon DD175N34K

Артикул: 562815

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon DD175N34K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon DD175N34K.

Общее описание

Infineon DD175N34K — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он принадлежит к семейству высокоэффективных низковольтных MOSFET, разработанных для приложений, где критически важны минимальные потери на проводимость и переключение.

Ключевая особенность — супернизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)), что делает его идеальным выбором для:

Высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS), особенно в синхронных выпрямителях на стороне низкого напряжения (низкая сторона).
DC-DC преобразователей в телекоммуникационном, серверном и промышленном оборудовании.
Цепей управления двигателями и инверторов.
Приложений, требующих высокой эффективности и управления большими токами.

Корпус TO-247 обеспечивает отличный отвод тепла, что позволяет рассеивать значительную мощность.

Технические характеристики (основные)

Ключевые преимущества:

Сверхнизкое RDS(on): Прямо влияет на снижение потерь проводимости (потерь в открытом состоянии).
Высокая эффективность переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
Высокая стойкость к лавинным пробоям (100% тестирование): Надежность в жестких условиях работы.
Высокая максимальная рабочая температура перехода (Tj max): 175°C.

Парт-номера и аналоги (Cross-Reference)

Прямые аналоги и парт-номера могут различаться в зависимости от производителя и доступности. Ниже приведены наиболее близкие по характеристикам модели.

1. Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-247):

IPP075N15N5 — 150 В, 75 А, ~7.5 мОм. Более высокое напряжение, но схожий токовый класс.
IPP110N20N5 — 200 В, 110 А, ~11 мОм.
Для замены в схемах на 34В критически важно именно низкое RDS(on). Более близкие по RDS(on) модели от Infineon часто выпускаются в корпусах TO-220 или D²PAK (например, IPP040N10N5 — 100В, 40А, ~4.0 мОм), но они рассчитаны на меньший ток из-за корпуса.

2. Аналоги от других производителей (очень близкие по ключевым параметрам):

Vishay (Siliconix): SQP175N34-10 — практически полный аналог (34В, 175А, ~1.0 мОм, TO-247).
ON Semiconductor: FDP2552 — 40В, 150А, ~2.2 мОм, TO-247. Немного выше RDS(on).
STMicroelectronics: STP160N4F7 — 40В, 160А, ~1.6 мОм, TO-247.
Nexperia: В линейке MOSFET для силовых применений, но модель с такими экстремальными параметрами (175А/1.3мОм) в TO-247 может иметь другой номер (например, PSMN4R0-40YS — 40В, 100А, 4.0 мОм, D²PAK).

Важно: При замене необходимо сверять не только основные параметры (VDSS, ID, RDS(on)), но и динамические характеристики (Qg, Ciss, Coss, Crss), так как они влияют на работу драйвера и частоту переключения. Также необходимо учитывать распиновку (pinout) корпуса.

Совместимые модели для замены (в порядке убывания рекомендуемости)

Приоритет 1: Максимально близкие аналоги

Vishay SQP175N34-10 — лучшая альтернатива, практически идентичные характеристики.

Приоритет 2: Модели с близкими или лучшими параметрами (проверить наличие и цену)

Infineon OptiMOS 6/7 в TO-247: Если в вашем проекте допустимо обновление, ищите более новые поколения OptiMOS (например, на 40В или 60В) с еще более низким RDS(on) при схожем токе. Номера будут начинаться с IPP...N....
STMicroelectronics STP160N4F7 — хороший баланс параметров.

Приоритет 3: Модели с допустимыми компромиссами (если основная задача — ток, а не минимальные потери)

ON Semiconductor FDP2552 или аналогичные с током 150-200А и RDS(on) в районе 2-3 мОм.

Критическое замечание по замене: Всегда обращайтесь к даташитам (datasheet) обоих компонентов (оригинального и заменяемого) и проверяйте схему на соответствие, особенно в высокочастотных преобразователях. В силовых цепях замена без полного анализа может привести к снижению КПД, перегреву или выходу из строя.