Infineon DD90N16K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon DD90N16K.

Общее описание

Infineon DD90N16K — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он предназначен для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, солнечных инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевая особенность этой серии — рекордно низкое значение сопротивления открытого канала (Rds(on)) при напряжении 150В, что напрямую ведет к снижению тепловыделения и повышению общего КПД системы.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Примечание / Условие | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement mode | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Структура | Транзистор с вертикальным затвором (Trench) | | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус с тремя выводами | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 150 В | Максимальное напряжение отключения | | Ток стока (Id) | 90 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток стока импульсный (Id_pulse) | 360 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | < 8.5 мОм | Ключевой параметр! При Vgs=10 В, Id=45 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.5 - 4.0 В | Тип. 3.2 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 90 нКл | При Vgs=10 В (типовое, важно для расчета драйвера) | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 330 Вт | При Tc=25°C | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | Максимальная рабочая +175°C | | Температура хранения | от -55 до +150 °C | |

Основные преимущества:

• Сверхнизкое Rds(on): Обеспечивает минимальные потери на проводимость.
• Высокая эффективность переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Хорошая надежность в жестких условиях работы.
• Оптимизирован для работы с высокими частотами: Подходит для современных высокочастотных преобразователей.

Part Numbers (Парт-номера и аналоги)

Официальный полный парт-номер от Infineon: DD90N16K. Однако, в зависимости от упаковки (трубка, трей) могут использоваться суффиксы. Полное обозначение в спецификации: IPD90N16K5.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (на замену):

При поиске аналога важно смотреть на три ключевых параметра: Vds=150В, Id ~90А, Rds(on) ~8-9 мОм и корпус TO-247.

• STMicroelectronics: STH90N15K5, STW90N15K5 (150В, 90А, ~9 мОм)
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP90N15 (150В, 90А, ~9 мОм) — может быть снят с производства.
• Vishay (Siliconix): Существуют аналоги, но требуется тщательный подбор по даташиту (например, серия Supreme MOSFET).
• IXYS (Littelfuse): Аналоги в линейке высоковольтных MOSFET.

Важное примечание по совместимости: Несмотря на схожие электрические параметры, всегда необходимо:

1. Сравнивать полные даташиты, особенно графики зависимостей Rds(on) от тока и температуры, заряда затвора (Qg) и динамических характеристик.
2. Проверять распиновку (pinout) корпуса TO-247. У большинства производителей она стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но бывают исключения.
3. Учитывать особенности монтажа и теплоотвода, так как тепловое сопротивление (Rth) может отличаться.

Типовые области применения

1. Силовые блоки питания (SMPS): В качестве ключевых транзисторов в корректорах коэффициента мощности (PFC) и силовых каскадах (например, в топологии "полумост").
2. Солнечные инверторы: В DC-AC преобразователях.
3. Сварочное оборудование: В инверторных блоках.
4. Промышленные приводы и управление двигателями: В ШИМ-инверторах.
5. Высокоэффективные DC-DC преобразователи: В синхронных выпрямителях и понижающих/повышающих каскадах большой мощности.

Вывод: Infineon DD90N16K — это высококачественный, мощный и эффективный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для задач, требующих работы с напряжением до 150В и большими токами. При замене аналогами необходимо проводить тщательный инженерный анализ даташитов.