Infineon DDB6U100N12R

Infineon DDB6U100N12R
Артикул: 562858

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon DDB6U100N12R

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon DDB6U100N12R.

Описание

Infineon DDB6U100N12R — это N-канальный мощный MOSFET транзитор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 6 100V. Он предназначен для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые особенности и применение:

  • Высокая эффективность: Благодаря чрезвычайно низкому сопротивлению открытого канала (RDS(on)) и улучшенным динамическим характеристикам, что минимизирует потери на нагрев.
  • Быстрое переключение: Оптимизирован для работы на высоких частотах (десятки-сотни кГц), что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов, конденсаторов).
  • Надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям и широким диапазоном рабочих температур.
  • Типичные применения:
    • Системы питания серверов, телекоммуникаций и промышленного оборудования (синхронные выпрямители, преобразователи DC-DC).
    • Источники бесперебойного питания (ИБП).
    • Высокочастотные инверторы и приводы двигателей.
    • Сварочное оборудование.

Корпус DDB (TO-263-7, D²PAK-7) имеет 7 выводов, что позволяет разделить силовые и управляющие цепи, уменьшить паразитную индуктивность и улучшить теплоотвод (большая медная площадка).


Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | | | Технология | OptiMOS™ 6 | | | Корпус | DDB (TO-263-7, D²PAK-7) | | | Напряжение "сток-исток" (VDS) | 100 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (ID) | 180 А | При Tc = 25°C | | Ток стока (ID) | 125 А | При Tc = 100°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.6 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 60 А | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 2.1 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 60 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.3 - 3.7 В | Тип. 3.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~140 нКл (тип.) | VGS = 10 В, важный параметр для расчета драйвера | | Макс. температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Встроенный | Параметры: VSD = 100 В, IS = 180 A |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный полный парт-номер для заказа: DDB6U100N12R. Иногда в спецификациях или на сайтах дистрибьюторов могут указывать с дополнительными суффиксами, обозначающими упаковку (например, на ленте и в катушке).

Прямые аналоги и совместимые модели (Cross-Reference)

При поиске замены важно сверять не только основные параметры (VDS, ID, RDS(on)), но и динамические характеристики (Qg, Ciss), корпус и цоколевку.

От Infineon (технология OptiMOS™ 6, аналогичные характеристики):

  • IPP6U100N12R — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (с изолированной площадкой). Имеет схожие электрические параметры, но другой корпус для монтажа на радиатор винтом.
  • В семействе OptiMOS™ 6 100V Infineon предлагает транзисторы с разным RDS(on) и в разных корпусах (PQFN, SuperSO8, etc.). Например, BSC100N12NS (в корпусе SuperSO8) имеет сопоставимое RDS(on), но меньший ток из-за компактного корпуса.

Аналоги от других производителей (конкуренты в сегменте 100В MOSFET):

  • Vishay (Siliconix): Модели серии SFD10N10x (например, в корпусе PowerPAK® 8x8) могут быть функциональными аналогами по параметрам, но требуют проверки распиновки.
  • ON Semiconductor (ныне onsemi): Модели из серии NTMFSxHxxx или FDBLxxxx (например, в корпусе D²PAK-7) с напряжением 100В и низким RDS(on).
  • STMicroelectronics: Модели из серии STxHNxxx (например, в корпусе PowerFLAT 8x8 HV).
  • Alpha & Omega Semiconductor (AOS): Модели серии AOTxxx (например, AOT290 в корпусе TO-220) или в D²PAK.

Важное замечание: Указанные модели от других брендов являются функциональными аналогами в своем классе, но не pin-to-pin совместимыми без проверки. Перед заменой обязательно необходимо:

  1. Сравнить даташиты по ключевым параметрам (VDS, ID, RDS(on), Qg, VGS(th)).
  2. Убедиться в полной совместимости по корпусу и цоколевке (pinout).
  3. Проверить рекомендации по схеме управления (драйверу), так как различия в заряде затвора (Qg) могут потребовать корректировки.

Рекомендация: Для максимальной гарантии совместимости и сохранения заявленных характеристик в существующей схеме лучшей заменой является прямой аналог от Infineon в том же корпусе или модель из того же семейства OptiMOS™ 6.

Товары из этой же категории