Infineon DZ950N44K
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon DZ950N44K
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon DZ950N44K.
Общее описание
Infineon DZ950N44K — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247 Plus (3-выводной). Он принадлежит к серии TRENCHSTOP™ 5, которая является одной из самых передовых и эффективных технологий Infineon. Этот IGBT оптимизирован для применения в инверторах, импульсных источниках питания, системах плавного пуска и промышленных приводах, где требуется высокий КПД, надежность и устойчивость к перегрузкам.
Ключевая особенность: Микросхема содержит не только сам IGBT, но и антипараллельный ультрабыстрый диод (Emitter Controlled Diode) в одном корпусе, что упрощает проектирование мостовых схем.
Технические характеристики (основные)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 4400 В | Классическое напряжение для сетей 690В (3-фазные 400В) с запасом. | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 9.5 А | Номинальный постоянный ток. | | Ток коллектора (ICP) импульсный | 19 А | Кратковременная перегрузка. | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | ~2.15 В (тип.) | При IC = 9.5А, VGE=15В. Показывает низкие потери проводимости. | | Напряжение на диоде (VF) | ~2.5 В (тип.) | Прямое падение напряжения на внутреннем диоде. | | Энергия выключения (Eoff) | Низкая (специфично) | Благодаря технологии TRENCHSTOP™ 5, обеспечивает низкие коммутационные потери. | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0.65 К/Вт | Показывает хорошую способность отводить тепло. | | Температура перехода (Tvj) | -40 до +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | Стандартное для большинства IGBT. Рабочее обычно ±15В. |
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги в других корпусах
Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах или с разной маркировкой. Для DZ950N44K основными парт-номерами являются:
- DZ950N44K (TO-247 Plus 3-pin) — основной номер, под которым устройство наиболее известно.
- DZ950N44KXKSA1 — полный порядковый номер для заказа, включающий информацию о упаковке (обычно на катушке/в трее).
Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)
При поиске замены или аналога важно смотреть на напряжение (VCES), ток (IC), корпус и технологию.
1. Прямые аналоги от Infineon (в том же семействе TRENCHSTOP™ 5):
- IKW95N44CTXKSA1 — Ближайший аналог в корпусе TO-247 3-pin. Имеет практически идентичные электрические параметры (4400В, 9.5А). Это наиболее вероятная замена.
- Серии IKW40N65CT5, IKW75N65CT5 и т.д. — Аналоги по току и корпусу, но с напряжением 650В. Подходят для сетей 220/380В, но не для 690В. Внимание: Напряжение ниже (650В vs 4400В).
2. Функциональные аналоги от других производителей:
Здесь требуется тщательная проверка даташитов, так как параметры могут незначительно отличаться.
- Fuji Electric: Серия 2MBI100XB-440 (модули) или поиск дискретных IGBT на 4400В, 10А.
- ON Semiconductor (Fairchild): FGH40N60 или более новые серии на 600В (для приложений с меньшим напряжением).
- IXYS (Littelfuse): Серия IXGH40N60 или аналогичные высоковольтные IGBT.
- STMicroelectronics: Серия STGW40H65DFB (650В) или поиск в каталоге по параметрам 4400В.
3. Важные замечания по совместимости:
- Корпус: TO-247 и TO-247 Plus имеют одинаковый монтажный отпечаток, но Plus имеет более длинные выводы и может быть немного выше. Это важно для радиаторов и изоляции.
- Характеристики: При замене обязательно сравнивайте:
- VCE(sat) и Eoff (влияют на нагрев).
- Емкость затвора (Cies, Cres, Coes) и заряд затвора (Qg) — критично для драйвера.
- Параметры внутреннего диода (trr, IFSM).
Рекомендация: Для критичных применений всегда используйте оригинальную модель DZ950N44K или официально рекомендованный Infineon аналог IKW95N44CT. Для ремонта существующей платы, где стоял DZ950N44K, лучшим выбором будет именно он или IKW95N44CT. При выборе аналога от другого производителя необходим инженерный анализ на основе полных даташитов.