Infineon EBUZ21

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового полевого транзистора (MOSFET) Infineon EBUZ21.

Общее описание

Infineon EBUZ21 — это N-канальный MOSFET в компактном корпусе TSDSON-8 (PG-TSDSON-8) с флип-чип технологией. Он принадлежит к серии OptiMOS™ 5, которая известна своим исключительно низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокими показателями эффективности.

Этот транзистор разработан для синхронного выпряления в импульсных источниках питания (особенно на вторичной стороне) и для приложений управления нагрузкой (Load Switch) в системах с низким напряжением. Его ключевая задача — минимизировать потери на проводимость и повысить общий КПД устройства.

Основные области применения:

• Синхронное выпряление в AC/DC и DC/DC преобразователях (например, в адаптерах ноутбуков, серверных блоках питания).
• Управление питанием на материнских платах (загрузочные шины процессора, память).
• Силовые ключи в системах с батарейным питанием.
• Высокочастотные преобразователи (благодаря низким динамическим характеристикам).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement mode | | Семейство | OptiMOS™ 5 | 40 В | | Корпус | PG-TSDSON-8 | 3x3 мм, флип-чип, с открытой термопадой | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 40 В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток стока (I_D) при T_C=25°C | 100 А | Зависит от условий охлаждения | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ~0.7 мОм (макс.) при V_GS=10 В | Ключевой параметр, определяющий потери. Минимальное значение ~0.55 мОм. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 1.8 - 2.8 В | Тип. 2.35 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~27 нКл (тип.) при V_GS=10 В | Низкое значение, что упрощает управление и снижает коммутационные потери | | Макс. температура перехода (T_j) | +175 °C | | | Упаковка | Лента на катушке (Tape & Reel) | Стандартно 4000 шт. |

Ключевые преимущества:

• Сверхнизкое R_DS(on): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и нагрев.
• Высокая токовая нагрузка: В компактном корпусе способен коммутировать токи до 100А.
• Отличные динамические характеристики: Низкие Q_g и Q_gd для быстрого переключения.
• Эффективный отвод тепла: Корпус с открытой термопадой снижает тепловое сопротивление.

Парт-номера (Part Numbers) и варианты

Официальное полное обозначение включает в себя информацию о лотке и упаковке. Основные варианты:

• EBUZ21R10E - Базовый парт-номер. "R10" указывает на низкое R_DS(on).
• SP001384771 - Внутренний идентификатор Infineon / номер для заказа.
• EBUZ21R10EXTMA1 - Стандартный вариант в ленте (Tape & Reel). Именно этот номер чаще всего используется при заказе.

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога необходимо учитывать: корпус (TSDSON-8), напряжение 40В, сверхнизкое R_DS(on) и высокий ток.

1. Прямые аналоги от Infineon (из той же серии/семейства):

• BUK7S1R0-40H - Очень близкий аналог в корпусе LFPAK (Power-SO8). Имеет схожие электрические параметры, но другой форм-фактор.
• IPP040N04S4-04R0 (ранее от International Rectifier, теперь Infineon) - Аналог в корпусе SuperSO8. Мощный и популярный вариант.
• Другие транзисторы из линейки OptiMOS™ 5 40V в корпусах с хорошим охлаждением (например, SuperSO8, LFPAK88, DirectFET).

2. Аналоги от других производителей:

• Vishay / Siliconix:
  • SQJ414EP-T1_GE3 - N-канальный, 40В, 2.2 мОм, в корпусе PowerPAK® SO-8. Менее эффективен, но распространен.
  • SiR414DP-T1-GE3 - В корпусе PowerPAK 1212-8, с очень низким R_DS(on).
• ON Semiconductor:
  • NTMFS4H10N - 40В, ~0.9 мОм, в корпусе SO8-FL.
• STMicroelectronics:
  • STL160N4F7 - 40В, ~0.7 мОм, в корпусе PowerFLAT 5x6.

3. Для новых разработок (более современные аналоги):

• Infineon OptiMOS™ 6 40V или Infineon OptiMOS™ 7 40V - Прямые наследники с еще более низким R_DS(on) и улучшенными характеристиками. Например, IRL40SC228 (OptiMOS™ 7, 25В) для схожих применений с более низким напряжением.
• Vishay TrenchFET® Gen IV - Конкурирующая серия с высокими показателями.

Важное предупреждение: Перед заменой всегда необходимо:

1. Сверять распиновку (pinout) корпуса TSDSON-8 — она может отличаться у разных производителей.
2. Проверять электрические характеристики по даташиту, особенно графики зависимости R_DS(on) от тока и температуры.
3. Учитывать особенности монтажа (открытая термопада требует правильной пайки на тепловую площадку на плате).

Рекомендуется использовать официальные средства подбора аналогов на сайтах производителей (Infineon, Vishay, ON Semi) или в базах данных дистрибьюторов (например, LCSC, Mouser, Digi-Key).