Infineon F3L75R07W2E3B11BOMA1

Отличный выбор! Infineon F3L75R07W2E3B11BOMA1 — это очень популярный и технологичный IGBT-модуль третьего поколения (EconoDUAL™ 3). Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Краткое описание и применение

Модуль F3L75R07W2E3_B11 — это двухключевой IGBT-модуль (полумост) в корпусе EconoDUAL™ 3. Он сочетает в себе высокую эффективность, низкие динамические потери и надежность. Ключевая особенность — использование технологии Trenchstop™ 7 (IGBT7) от Infineon, которая обеспечивает рекордно низкое падение напряжения в насыщении (Vce_sat) и оптимизированные коммутационные потери.

Основные области применения:

• Промышленные приводы переменного тока (AC Drives)
• Преобразователи частоты (Frequency Inverters)
• Источники бесперебойного питания (ИБП/UPS)
• Системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Полная расшифровка партномера F3L75R07W2E3B11BOMA1

• F3: Семейство - EconoDUAL™ 3
• L: Низкие потери (Low Loss)
• 75: Номинальный ток коллектора (Ic nom) = 75 А при Tcase=80°C
• R07: Номинальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces) = 650 В (07 -> 650В, 08 -> 600В устаревшее)
• W2: Конфигурация выводов и тип модуля. W2 — полумост (2 in 1)
• E3: Поколение технологии: E3 = IGBT7 с диодом EmCon7 (оптимизированный на низкие потери)
• B11: Уровень изоляции и тепловые характеристики. B11 — стандартная изоляция (≥ 4 кВ), с теплопроводной изолирующей подложкой.
• BOMA1: Код лота и упаковки (вариант упаковки/поставки).

Важно: Основной, "короткий" партномер — F3L75R07W2E3_B11. Суффикс "BOMA1" часто опускается при поиске аналогов.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (2 in 1) | Два IGBT с антипараллельными диодами | | Корпус | EconoDUAL™ 3 | Стандартный корпус для средних мощностей | | Технология | IGBT7 (Trenchstop™ 7) | 7-е поколение, низкие потери | | Напряжение Vces | 650 В | Максимальное коллектор-эмиттер напряжение | | Номинальный ток Ic (25°C) | 150 А | При температуре корпуса 25°C | | Номинальный ток Ic (80°C) | 75 А | Основной рабочий параметр! При Tcase=80°C | | Максимальный ток Ic (пиковый) | 300 А | Кратковременно (1 мс) | | Падение напряжения Vce(sat) | ~1.55 В (тип.) | Очень низкое значение для IGBT7 (при Ic=75A, Tj=25°C) | | Падение напряжения диода Vf | ~1.35 В (тип.) | Технология EmCon7 (при If=75A, Tj=25°C) | | Максимательная температура перехода Tj | 175 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус Rth(j-c) | 0.25 К/Вт (на ключ) | | | Изоляционное напряжение (мин.) | 4000 В (эфф.) | Между базовой платой и силовыми выводами |

Прямые аналоги и совместимые модели

1. Прямые аналоги от Infineon (разные ревизии/технологии в том же корпусе):

• F3L75R07W2E3_B11 — прямая замена, тот же модуль (основной номер).
• F3L75R07W2E3 — предыдущая версия (возможно, с другими изоляционными свойствами).
• F3L75R07W2H3_B11 — аналог на технологии IGBT4 (H3). Устаревшее поколение, более высокие потери, но может использоваться для ремонта при отсутствии IGBT7. Требует проверки совместимости по управлению!
• F3L75R07W2E3_B5 — вариант с другой изоляцией/теплоинтерфейсом.
• F3L75R07W2S3_B11 — аналог на технологии IGBT3 (S3), значительно устаревший.

2. Совместимые модели от других производителей (Second Source):

Эти модули имеют идентичные или очень близкие механические размеры, расположение выводов и электрические характеристики. Всегда сверяйтесь с даташитами перед заменой!

• Semikron: SKM75GB12E4 (EconoDUAL 3, 75A, 1200V) — по напряжению не подходит! Это аналог по корпусу и току, но на 1200В. Нужно искать модель на 650В.
  • Более точный аналог Semikron: SKM75GB06xED (где x — индекс поколения, 650В). Например, SKM75GB066ED (IGBT4).
• Fuji Electric: 2MBI75X-060 (где X — индекс серии, например, 2MBI75N-060 для IGBT4). Корпус "X系列".
• Mitsubishi Electric: CM75DY-12H (1200В) — не подходит по напряжению. Нужно искать серию CM75DY-xxT для 650В.
• ON Semiconductor: После покупки Fairchild — серия FGB75N60 (но это отдельные транзисторы, не в корпусе EconoDUAL).

Важнейшее замечание по замене: При замене модуля другого поколения (особенно IGBT7 на IGBT4 или наоборот) критически важно проверить:

1. Совместимость драйверов: Напряжение управляющего сигнала, требования к токовым резисторам, скорость нарастания (dv/dt).
2. Параметры ШИМ: Может потребоваться корректировка мертвого времени (dead time) из-за разной скорости переключения.
3. Тепловой расчет: Разные потери могут потребовать проверки системы охлаждения.

Рекомендация: Для гарантированной работы и сохранения заявленных характеристик устройства лучшей заменой является оригинальный модуль F3L75R07W2E3_B11 или его прямой аналог от авторизованного дистрибьютора.