Infineon F4-150R12KS4

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели модуля IGBT Infineon F4-150R12KS4.

Описание

Infineon F4-150R12KS4 — это высоковольтный IGBT-модуль четвертого поколения (IGBT4 Trench/Fieldstop technology) в классическом стандартном корпусе 62 мм (Industrie Pack). Он представляет собой полумостовую конфигурацию (Half-Bridge), что означает, что в одном модуле собраны два силовых ключа (верхний и нижний) с общим эмиттером для удобного построения инверторных плеч.

Этот модуль разработан для применения в мощных промышленных системах с высокими требованиями к надежности и эффективности, таких как:

• Промышленные приводы (частотно-регулируемые приводы, АС/DC-преобразователи)
• Системы возобновляемой энергии (инверторы для солнечных и ветровых электростанций)
• Тяговые преобразователи
• Индукционный нагрев и сварка

Ключевые особенности:

• Технология IGBT4: Обеспечивает низкие потери проводимости (Vce_sat) и коммутации, что повышает общий КПД системы.
• Технология диодов Emitter Controlled 4 (EC4): Встроенные антипараллельные диоды с мягким восстановлением и высокой стойкостью к перенапряжениям.
• Низкоиндуктивная конструкция: Способствует снижению перенапряжений при коммутации.
• Керамическая изолирующая подложка (DCB): Обеспечивает высокую электрическую прочность изоляции (≥ 4 кВ) и эффективный отвод тепла.
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры модуля.
• Высокая перегрузочная способность: Модуль способен выдерживать кратковременные токи, значительно превышающие номинальный.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 в 1 (два IGBT с антипараллельными диодами) | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | Максимальное блокирующее напряжение | | Номинальный ток (при T_vj=80°C) | I_C,nom = 150 А | Для каждого IGBT в модуле | | Ток насыщения коллектор-эмиттер | I_C = 300 А (при V_GE=15В, V_CE=2.5В) | Характеристика ключа в открытом состоянии | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~ 1.85 В (тип., при I_C=150А, 25°C) | Прямые потери проводимости | | Пиковый ток (I_CP) | 300 А | Максимальная кратковременная перегрузка | | Напряжение изоляции (V_iso) | ≥ 4000 В (эфф.) | Между базовой платой и силовыми выводами | | Термистор | Встроенный NTC (R_25°C = 10 кОм) | Для контроля температуры | | Температура перехода (T_vj) | -40°C ... +150°C (макс. +175°C) | Рабочий диапазон / максимальная | | Индуктивность внутренней цепи | ≤ 25 нГн | Низкоиндуктивный дизайн | | Вес | ~ 200 г | |

Примечание: Все данные приведены для ознакомления. Для проектирования необходимо использовать официальный даташит.

Парт-номера и Совместимые модели

Модуль F4-150R12KS4 является частью обширного семейства. Совместимость обычно рассматривается в контексте механического форм-фактора, номинального напряжения и тока, а также расположения выводов.

1. Прямые аналоги и парт-номера Infineon:

• F4-150R12KS4 (основной номер для заказа)
• F4-150R12KS4_B11 (вариант с дополнительным контролем качества или упаковкой)
• В более новых сериях Infineon (например, .XT) существуют модули с улучшенными характеристиками, но не всегда с прямой механической заменой.

2. Функциональные и форм-факторные аналоги от других производителей (Требуется проверка даташита и pin-to-pin совместимости!):

• SEMIKRON:
  • SKM 150GB12T4 (серия SEMITRANS 3, IGBT4, 1200В / 150А, Half-Bridge, 62мм)
  • SKM 150GB12V1 (более старая технология IGBT3)
• Fuji Electric:
  • 2MBI150VXB-120-50 (серия X-series, 1200В / 150А, Half-Bridge, аналогичный корпус)
  • 2MBI150U2B-120 (более старая серия U4)
• Mitsubishi Electric:
  • CM150TX-24S (серия T-series, 1200В / 150А, Half-Bridge, корпус 62мм)
• Hitachi (ныне в составе Mitsubishi):
  • Модули серии H-series (например, NF150/...), но требуется тщательная проверка распиновки.

3. Важные замечания по совместимости:

1. Pin-to-Pin (Механическая и электрическая): Указанные аналоги от Semikron, Fuji, Mitsubishi часто имеют полную или очень близкую pin-to-pin совместимость с модулями Infineon в корпусе 62мм. Это означает, что они могут быть установлены на одну и ту же печатную плату или теплоотвод без изменений в конструкции. Однако это всегда необходимо подтверждать по чертежам механических размеров (mechanical drawing) в даташите.
2. Электрические параметры: Номинальные токи и напряжения совпадают, но динамические характеристики (потери при коммутации, время включения/выключения, характеристики диода) могут отличаться. Это может потребовать корректировки драйверов и снабберных цепей.
3. Рекомендация: При замене модуля в существующем оборудовании лучшим выбором является оригинальный модуль Infineon F4-150R12KS4. Если это невозможно, в первую очередь следует рассматривать SEMIKRON SKM 150GB12T4 как наиболее близкий аналог по технологии и распространенности, но с обязательной инженерной верификацией.

Для критически важных применений всегда консультируйтесь с технической поддержкой производителя или инженером-силовиком.