Infineon F4-75R06W1E3

Отличный выбор! Infineon F4-75R06W1E3 — это один из самых популярных и сбалансированных IGBT-модулей на рынке для среднемощных применений. Вот подробное описание и технические данные.

Описание

Infineon F4-75R06W1E3 — это транзисторный модуль IGBT/диод третьего поколения (IGBT3, Trench/Field Stop technology) в классическом промышленном корпусе 62 мм (серия EconoDUAL™ 3).

• Назначение: Предназначен для использования в качестве силового ключа в инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании и системах промышленного привода.
• Конфигурация: Содержит два независимых IGBT-транзистора с обратными диодами (полумосты), соединенных в топологии "два в одном" (2-in-1). Это позволяет собрать из одного модуля, например, однофазный мостовой инвертор или из трех модулей — трехфазный инвертор (мост).
• Ключевые преимущества:
  • Низкие потери: Технология IGBT3 обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями на проводимость (Vce_sat) и низкими коммутационными потерями.
  • Высокая перегрузочная способность: Короткозамкнутый эмиттер и устойчивость к перегрузкам по току.
  • Надежность: Керамическая изолирующая подложка (DCB), обеспечивающая высокую электрическую прочность и хороший отвод тепла.
  • Удобство монтажа: Винтовые клеммы для силовых и управляющих контактов.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 2x IGBT с диодами (полумост) | Topology: 2-in-1 | | Корпус | EconoDUAL™ 3 (62mm) | Стандартный промышленный | | Класс изоляции | 2500 В (мин.) | Напряжение изоляции м/д базовой платой и чипами | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток (при T_c=80°C) | I_C,nom = 75 А | Для каждого IGBT | | Ток насыщения коллектора | I_CP = 150 А | Пиковый кратковременный ток (1 мс) | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) ≈ 1.7 В | Типовое, при номинальном токе | | Прямое напряжение диода | V_F ≈ 1.9 В | Типовое, для встроенного обратного диода | | Температура перехода | T_vj max = +175 °C | Максимально допустимая | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) ≈ 0.25 К/Вт | На один ключ (суммарно на модуль ~0.125 К/Вт) | | Входная емкость | C_ies ≈ 4.2 нФ | Для выбора драйвера |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Модуль имеет различные парт-номера в зависимости от уровня изоляции и маркировки. Совместимые модели — это аналоги от других производителей или более новые версии от Infineon.

1. Прямые аналоги и варианты маркировки Infineon:

• F4-75R06W1E3_B11 — стандартный вариант.
• F4-75R06W1E3 (без суффикса) — базовая версия.
• Модули с маркировкой "E4" вместо "E3" (например, F4-75R06W1E4) относятся к четвертому поколению IGBT (IGBT4). Они имеют более низкие потери и часто являются прямой и улучшенной заменой для E3, но перед заменой необходимо свериться с даташитами по драйверам и характеристикам.
• EconoDUAL™ 3 — это общее название семейства корпусов, по которому также можно искать аналоги.

2. Совместимые / Аналогичные модели от других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI75N-060 (серия N-series, очень популярный аналог). Близкий вариант — 2MBI75U4B-060.
• Mitsubishi Electric: CM75DU-12NFH или более новые CM75DU-12NFH (серия NFH).
• SEMIKRON: SKM75GB12T4 (серия GB12T4).
• ON Semiconductor: FGH75N60 (в похожем корпусе, но требуют проверки распиновки).

3. Новые поколения и аналоги в других корпусах (от Infineon):

• .E4 (IGBT4): F4-75R06W1E4 (прямой апгрейд).
• .E5 (IGBT5): Может быть представлен в других сериях (например, 75A в корпусе 34mm).
• В корпусе 34mm (EconoDUAL™ 2): Модули на 75A/600V в этом компактном корпусе (например, серия IGW75T...), но они меньше по размеру и имеют другую механику.

Важные замечания по применению и замене

1. Проверка распиновки (Pin-to-Pin): Перед заменой на аналог обязательно сверьтесь с распиновкой (расположение клемм G1, E1, G2, E2, P(+), N(-), DCB). У Fuji и Mitsubishi она часто, но не всегда, совпадает с Infineon. У Semikron могут быть отличия.
2. Характеристики драйвера: Разные модули, даже с одинаковыми электрическими параметрами, могут иметь разные рекомендации по сопротивлению в цепи затвора (Rg), что критично для динамических характеристик и защиты.
3. Тепловой интерфейс: При замене модуля необходимо полностью очистить и нанести новую теплопроводную пасту на основание.
4. Момент затяжки: Строго соблюдайте момент затяжки силовых и управляющих клемм, указанный в даташите (обычно 1.5 - 2.0 Н·м для силовых, 0.5 - 0.6 Н·м для управляющих).

Рекомендация: Всегда для окончательного выбора аналога или замены используйте официальные даташиты (datasheet) от производителей.