Infineon FF150R12MT4

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для модуля IGBT Infineon FF150R12MT4.

Описание

Infineon FF150R12MT4 — это мощный двухуровневый IGBT-модуль (Trenchstop IGBT4), предназначенный для использования в промышленных инверторах и преобразователях средней и высокой мощности.

• Ключевое назначение: Преобразование энергии (AC-DC, DC-AC, DC-DC) в таких применениях, как:
  • Промышленные приводы переменного тока (частотные преобразователи)
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Сварочное оборудование
  • Возобновляемая энергетика (инверторы для солнечных панелей, ветрогенераторов)
• Конструкция: Модуль содержит два полностью независимых силовых ключа (полумодуля), каждый из которых состоит из IGBT-транзистора и антипараллельного диода (FWD). Это позволяет собирать на одном модуле, например, однофазный мостовой инвертор (полумост).
• Технология: Основан на передовой на тот момент 4-й поколении технологии Trenchstop IGBT и Emitter Controlled 4 диодах, что обеспечивает низкие динамические и коммутационные потери, высокую эффективность и надежность.
• Корпус: Стандартный промышленный корпус 62 мм (EconoDUAL™ 3). Это один из самых распространенных форматов, обеспечивающий хороший баланс между мощностью, тепловыми характеристиками и удобством монтажа.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Класс напряжения | 1200 В | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | | Номинальный ток | 150 А | Ток коллектора (I_C) при T_vj=25°C | | Ток при 80°C | 150 А | Характерная особенность IGBT4 — высокий ток при повышенной температуре | | Структура модуля | 2 в 1 (два полумоста) | Два независимых IGBT+FWD в одном корпусе | | Падение напряжения (V_CEsat) | ~1.85 В (тип.) | При номинальном токе, определяет conduction losses | | Коллекторный ток (импульсный) | 300 А | Максимальный кратковременный ток | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 1070 Вт | Суммарная для модуля при T_case=80°C | | Температура перехода (T_vj) | -40 до +175 °C | Максимальная рабочая +150°C (рекомендуется) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 К/Вт (IGBT), 0.27 К/Вт (Diode) | Сопротивление кристалл-корпус | | Встроенные компоненты | NTC-термистор | Для контроля температуры корпуса модуля | | Индуктивность силовых выводов | < 22 нГн | Очень низкая, важна для снижения перенапряжений при коммутации | | Изоляция корпуса | 2500 В (эфф.) | Основная изоляция (корпус-радиатор) |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Модуль имеет один основной парт-номер, но может встречаться в разных вариантах упаковки или с незначительными отличиями в маркировке.

• Основной парт-номер: FF150R12MT4
  • Иногда может указываться с суффиксом, например, FF150R12MT4E (где E может обозначать упаковку или ревизию).

Совместимые модели и аналоги от других производителей

Важно: Полная взаимозаменяемость требует проверки посадочного места (layout), электрических характеристик, характеристик диода и управляющих цепей (напряжение драйвера, внутренние резисторы). Приведенные ниже модули являются функциональными и конструктивными аналогами.

• Semikron: SKM150GB12T4 (на базе IGBT4) или SKM150GB12V1 (более новая серия).
• Fuji Electric: 2MBI150N-120 (серия N, старая) или 2MBI150XV1-120 (серия XV, современная).
• Mitsubishi Electric: CM150TU-12T или CM150TU-12S (серия T/S).
• ON Semiconductor (бывш. Fairchild): В линейке обычно нет прямого аналога в корпусе 62мм, можно искать у других брендов.
• Hitachi / Renesas: Модули серии MBN в корпусе 62мм (например, MBN1500E12H1).

Аналоги от самого Infineon (более новые или другие версии):

• Более новая технология (IGBT7): FF150R12W5T7_B11 (аналог 5-го поколения в корпусе 62мм, но с улучшенными характеристиками). Это рекомендуемая замена для новых проектов, если не требуется полная обратная совместимость по управлению.
• Аналоги с другими токами в том же корпусе и напряжении: FF100R12MT4 (100A), FF200R12MT4 (200A), FF300R12MT4 (300A).
• Предыдущее поколение (IGBT3): FF150R12KS4 (серия KS4).

Ключевые особенности для применения

1. Высокая перегрузочная способность: Поддерживает двукратный номинальный ток в течение короткого времени.
2. Низкие потери: Благодаря технологии Trenchstop IGBT4, что позволяет создавать более компактные и эффективные системы.
3. Корпус EconoDUAL™ 3: Широкий выбор стандартных радиаторов и клипс для монтажа.
4. Встроенный NTC-термистор: Позволяет легко организовать защиту от перегрева.
5. Высокая надежность: Паяные соединения без свинца (Pb-free), рассчитан на длительный срок службы в жестких промышленных условиях.

Рекомендация: При замене вышедшего из строя модуля или выборе для нового проекта настоятельно рекомендуется сначала обращаться к официальным даташитам и консультантам, чтобы учесть все нюансы драйверов, снабберных цепей и теплового режима. Для новых разработок Infineon предлагает более современные решения на базе IGBT7 (например, серия .W5T7).