Infineon FF600R12KE4_E

Конечно, вот подробное описание модуля IGBT Infineon FF600R12KE4_E, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon FF600R12KE4_E — это высокомощный IGBT-модуль второго поколения (TrenchStop IGBT2) в классическом корпусе 62 мм (EconoDUAL™ 3). Он предназначен для использования в промышленных инверторах и частотных преобразователях среднего и высокого напряжения, системах возобновляемой энергии (например, солнечные и ветряные инверторы), тяговых приводах и мощных источниках питания.

Этот модуль представляет собой полумостовую конфигурацию (2-in-1), то есть содержит два IGBT-ключа с антипараллельными диодами в одном корпусе. Такая компоновка идеально подходит для построения одной фазы трехфазного инвертора (нужно три таких модуля).

Ключевые особенности:

• Высокая мощность и эффективность: Комбинация низких потерь проводимости и коммутации.
• Высокая перегрузочная способность: Способен выдерживать значительные токи перегрузки.
• Низкая индуктивность силовой петли: Конструкция корпуса EconoDUAL 3 оптимизирована для минимизации паразитной индуктивности, что снижает перенапряжения при коммутации.
• Изоляция: Керамическая подложка (DCB) обеспечивает электрическую изоляцию между силовыми элементами и радиатором (теплоотводом) с напряжением изоляции до 4000 В.
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры модуля.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 2-in-1 (полумост) | Два IGBT + два диода | | Класс корпуса | 62 мм, EconoDUAL™ 3 | Стандартный промышленный корпус | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES = 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток коллектора (при T_vj=80°C) | I_{C nom} = 600 А | Для каждого IGBT | | Пиковый ток коллектора | I_CM = 1200 А | Максимальная кратковременная перегрузка | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) ≈ 1.75 В (тип.) | При I_C=600А, определяет потери проводимости | | Падение напряжения на диоде | V_F ≈ 1.9 В (тип.) | При I_F=600А | | Макс. температура перехода | T_vj max = 150 °C | Для IGBT и диода | | Термическое сопротивление, переход-корпус | R_th(j-c) ≈ 0.025 К/Вт (на ключ) | | | Напряжение изоляции | V_iso = 4000 В (эфф.) | Между чипами и базовой пластиной | | Встроенный датчик температуры | NTC-термистор | Сопротивление при 25°C: 10 кОм | | Вес | ~ 270 г | |

Электрические характеристики (при 25°C, если не указано иное):

• Потери мощности на модуль: P_tot ≈ 2400 Вт (при T_vj=150°C)
• Выходная мощность (приблизительно): До 250 - 350 кВт в трехфазной инверторной схеме (зависит от условий охлаждения и топологии).

Парт-номера (Part Numbers) и маркировка

• Основной полный номер: FF600R12KE4_E

  • FF: Серия EconoDUAL 3
  • 600: Номинальный ток 600А
  • R12: Обратное напряжение 1200В
  • KE4: Поколение IGBT2, низкие потери, с NTC
  • _E: Экологически чистый, без свинца (RoHS)

• Номер для заказа (Ordering Code): Обычно совпадает с основным: FF600R12KE4_E

• Маркировка на корпусе модуля: Помимо основного номера, наносится серийный номер (S/N) и код даты производства.

Совместимые модели и аналоги

При замене или поиске аналога необходимо учитывать конфигурацию (2-in-1), ток (600А), напряжение (1200В), корпус (62мм) и расположение выводов.

1. Прямые аналоги от Infineon (разных поколений):

• FF600R12KE3 (E3) — Предыдущее поколение IGBT. Имеет более высокие динамические потери. Часто используется как функциональная замена, но требует проверки теплового режима и драйверов.
• FF600R12KE3HOSA1 / FF600R12KE3_B11 — Варианты того же модуля KE3.
• FF600R12ME4_B11 — Более новое поколение (M7, MicroPIM). Имеет улучшенные характеристики, но не является прямым механическим аналогом (другой корпус и форма выводов). Требует переделки платы и системы охлаждения.

2. Аналоги от других производителей (Second Source):

Производители, выпускающие совместимые модули в корпусе 62мм:

• Fuji Electric:
  • 2MBI600VN-120-50 — Очень близкий аналог по характеристикам и габаритам.
• Mitsubishi Electric:
  • CM600DU-12NFH — Мощный модуль с аналогичными параметрами.
• SEMIKRON:
  • SKiM600GD12E4 — Модуль в схожем корпусе, но с возможными отличиями в креплении и расположении выводов. Требует проверки.
• Hitachi (ныне часть Mitsubishi):
  • Модули серии MBN600D12E4.
• ON Semiconductor (IXYS):
  • MII600-12E4 — Прямой конкурентный аналог.

3. Важные замечания по замене:

1. Проверка даташита: Перед заменой всегда необходимо сверять распиновку (pinout), расположение крепежных отверстий и механические габариты.
2. Параметры драйвера: Разные поколения IGBT (KE3, KE4) могут иметь отличия в рекомендуемых напряжениях затвора, резисторах управления (R_g) и требованиях к драйверу.
3. Тепловой интерфейс: При замене необходимо заменить термопасту или термопрокладку.
4. NTC-термистор: Уточните характеристики встроенного термистора (сопротивление, кривая B) для корректной работы системы защиты.

Вывод: Infineon FF600R12KE4_E — это мощный, надежный и широко распространенный модуль для промышленных применений. Его прямым функциональным и механическим аналогом чаще всего является Fuji 2MBI600VN-120-50 или предыдущее поколение Infineon FF600R12KE3. При замене на модель другого производителя обязателен инженерный анализ.