Infineon FF800R33KF2C

Отличный выбор! Infineon FF800R33KF2C — это один из флагманских IGBT-модулей для самых требовательных применений в области силовой электроники высокого напряжения.

Описание

FF800R33KF2C — это двухуровневый I-модуль (Half-Bridge) третьего поколения, созданный на базе передовой технологии Trench/Fieldstop IGBT3. Он предназначен для использования в высоковольтных преобразователях частоты, тяговых приводах, промышленных инверторах и системах возобновляемой энергетики.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая мощность: Номинальный ток 800 А и напряжение 3300 В делают его решением для установок мегаваттного класса.
• Технология IGBT3: Обеспечивает оптимальный баланс между низкими динамическими и статическими потерями, что повышает общий КПД системы.
• Низкое падение напряжения насыщения (Vce_sat): Прямо влияет на снижение conduction losses (потерь на проводимость) при высокой токовой нагрузке.
• Высокотемпературная пайка: Все силовые выводы предназначены для пайки, что обеспечивает высокую надежность и стойкость к термоциклированию.
• Встроенный NTC-термистор: Позволяет осуществлять точный температурный мониторинг модуля для защиты и управления системой охлаждения.
• Керамическая изоляция (DCB подложка): Обеспечивает высокую электрическую прочность и эффективный отвод тепла от кристаллов к теплоотводу.
• Корпус EconoDUAL™ 3: Стандартизированный корпус с большими возможностями по току, широко распространенный на рынке, что упрощает механический монтаж и поиск совместимых охладителей.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Двухуровневый модуль (2in1, Half-Bridge) | | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 3300 В | | | Номинальный ток (при T_vj=90°C) | I_C = 800 А | | | Ток импульсный (макс.) | I_CP = 1600 А | | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.35 В (тип., при 800А, 125°C) | Низкие потери проводимости | | Полная рассеиваемая мощность | P_tot = 10200 Вт | Требуется эффективное охлаждение | | Температура перехода (макс.) | T_vj = +150 °C | | | Входная емкость | C_ies = 75 нФ (тип.) | Важно для расчета драйвера | | Заряд затвора | Q_g ~ 10.5 мкКл (тип.) | Определяет требования к драйверу | | Встроенный терморезистор (NTC) | Да, с номиналом 2.5 кОм | Для температурного контроля | | Масса | ~ 1100 г | | | Класс изоляции | 2500 V_rms / 1 мин. | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель Infineon часто использует единую базовую часть номера. Модуль может поставляться в разных вариантах исполнения, что отражается в суффиксе.

• Базовый парт-номер: FF800R33KF2C
  • FF800R33KF2C_B2 — вариант с определенным контролем качества или упаковкой.
  • FF800R33KF2C_B3 — другой вариант исполнения (часто различия в производственной партии или тестировании).

Совместимые и аналогичные модели

При поиске замены или аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и механическое исполнение (корпус EconoDUAL 3), распиновку выводов и характеристики драйвера.

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же корпусе и классе):

• FF800R33KF2C_B5 (другая ревизия)
• FF800R33KF2C_B11
• Более новые модули IKQ серии (например, IKQ75N120CH3 — это отдельные чипы, не модуль), но полноценного прямого аналога в корпусе E3 на IGBT4/IGBT7 для 3300В может не быть, так как линейка развивается.

2. Аналоги от других производителей (требуется тщательная проверка datasheet и чертежей!):

• Mitsubishi Electric: CM800DY-34S (CM800HC-34S). Очень близкий конкурент, аналогичные параметры, корпус может иметь отличия в монтаже.
• Fuji Electric: 2MBI800VXB-330-50. Модуль с похожими характеристиками, но в корпусе, который может быть механически совместим (требует проверки посадочного места и отверстий).
• SEMIKRON: SKiIP800NAB33T4V1. Мощный интеллектуальный модуль (с интегрированным драйвером), но в другом корпусе (SKiIP). Прямой механической заменой не является.

3. Модули для модернизации или редизайна (более новые технологии):

• От Infineon стоит смотреть на серии с технологией IGBT4 (например, в корпусах EconoDUAL™ 3, но часто для напряжений 1200В-1700В). Для 3300В фокус сместился на более крупные корпуса (например, 190x140mm).
• ABB (ныне часть Hitachi Energy): Серия 5SNA (IGBT4 / IGCT).
• При разработке новой системы стоит рассмотреть модули на SiC (карбид кремния) для частотных применений, но они пока не достигают таких токов и напряжений в одном модуле.

Важные замечания по применению:

1. Драйвер: Требуется мощный драйвер, способный выдавать достаточный пиковый ток для заряда/разряда большой затворной емкости. Рекомендуется использовать специализированные драйверы с гальванической развязкой (например, от CONCEPT, Silicon Labs, а также драйверы самого Infineon).
2. Охлаждение: Обязательно применение массивного жидкостного или принудительного воздушного охлаждения. Необходимо рассчитывать тепловое сопротивление всей системы.
3. Монтаж: Критически важно соблюдать момент затяжки силовых и управляющих винтов, указанный в документации. Рекомендуется использовать диэлектрическую термопасту или теплопроводящую прокладку.
4. Защита: Необходима комплексная защита от короткого замыкания (SC), перегрузки по току, перенапряжения и перегрева.

Рекомендация: Перед заменой или использованием всегда обращайтесь к официальному Datasheet на сайте Infineon и монтажным чертежам для точного соответствия.