Infineon FP100R12KT4_B11

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для модуля Infineon FP100R12KT4_B11.

Общее описание

Infineon FP100R12KT4_B11 — это высоковольтный, высокотоковый IGBT-модуль в корпусе Trench/Fieldstop 4 (транзисторный полумост). Он является частью серии K4, известной своей высокой надежностью, низкими динамическими потерями и прочной конструкцией, предназначенной для тяжелых промышленных условий.

Ключевые особенности:

• Назначение: Преобразователи частоты (ЧРП), источники бесперебойного питания (ИБП), промышленные приводы, системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы).
• Топология: Полумост (2 в 1). В одном модуле собраны два IGBT-транзистора с обратными диодами, что позволяет строить силовые плечи инвертора.
• Технология: IGBT 4-го поколения с технологией Trench/Field Stop, что обеспечивает оптимальный баланс между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высоким быстродействием.
• Корпус: Стандартный промышленный корпус 62mm, обеспечивающий хороший теплоотвод и механическую прочность.
• Изоляция: Высоковольтная электрическая изоляция (≥2500 В) между силовыми выводами и основанием радиатора, что позволяет монтировать несколько модулей на общий теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Класс напряжения (VCES) | 1200 В | Максимальное коллектор-эмиттер напряжение | | Номинальный ток (IC @ 80°C) | 100 А | Непрерывный ток коллектора при температуре корпуса 80°C | | Ток коллектора (IC @ 25°C) | 200 А | Пиковый/импульсный ток (обычно указывается для холодного корпуса) | | Конфигурация чипов | Полумост (2 в 1) | Два IGBT + два диода в одном модуле | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.85 В (тип.) | При номинальном токе, определяет conduction losses | | Падение на диоде (VF) | ~2.1 В (тип.) | Прямое падение напряжения на антипараллельном диоде | | Время переключения | Низкое | Характеристики поколения IGBT4 (точные значения в даташите) | | Термическое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.25 К/Вт (на IGBT) | Сопротивление кристалл-корпус, ключевой параметр для расчета охлаждения | | Макс. температура перехода (Tvj(max)) | +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Изоляционное напряжение (Visol) | ≥2500 В (эфф.) | Между силовыми выводами и основанием (монтажной платой) | | Вес | ~190 г | | | Монтаж | Винтовой (SCREW) | Для силовых и управляющих выводов |

Для проектирования критически важно использовать официальный даташит (Infineon Data Sheet), так как там содержатся полные характеристики, графики, зависимости и условия безопасной работы (SOA).

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Модуль может иметь различные парт-номера в зависимости от упаковки, маркировки или дистрибьютора. Основные из них:

• FP100R12KT4_B11 — Основной и полный номер по каталогу Infineon.
• SP001740246 — Возможный внутренний или упаковочный номер.
• Часто в заказах используется именно FP100R12KT4 (без суффикса _B11, который может указывать на ревизию или вариант исполнения).

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и косвенные замены)

При поиске замены необходимо учитывать напряжение, ток, конфигурацию корпуса и расположение выводов.

1. Прямые аналоги в серии K4 (наиболее близкая замена):

• FP100R12KT4 (без суффикса или с другими, например, _B5) — Тот же модуль, возможна небольшая ревизия.
• FP100R12KT4_B5 — Предыдущая или альтернативная версия того же модуля. Внимание: Всегда нужно проверять соответствие распиновки и характеристик по даташитам.
• FP100R12KT4G (если существует) — Возможное обозначение "зеленого" (безгалогенного) исполнения.

2. Аналоги в других сериях Infineon (с проверкой даташита!):

• FP100R12W3T4_B11 — Модуль из серии W3 (топология 3-фазного моста, 6 в 1). Не является прямой заменой по корпусу и выводам, но может быть использован в переразработанной схеме для 3-фазного привода.
• FP100R12KT3 — Модуль предыдущего поколения IGBT3 (Trench/Fieldstop 3). Характеристики близки, но динамические потери выше. Может подойти как аналог в ремонте, но с потерей КПД.
• Модули серий E4, P4 — Более новые или специализированные серии от Infineon, требуют тщательного сравнения.

3. Аналоги от других производителей (Кросс-референс):

• SEMIKRON: SKM100GB12T4 — Очень популярный и распространенный аналог. Имеет схожие характеристики (1200В, 100А, IGBT4, корпус 62mm). Часто используется как основная альтернатива. Распиновка может отличаться — необходима проверка!
• Fuji Electric: 2MBI100VXB-120-50 — Модуль в схожем формате.
• Mitsubishi Electric: CM100TX-24S — Аналог от другого ведущего производителя.
• ON Semiconductor (Fairchild): FGA100NH120FTD — Пример аналогичного модуля.

Важные замечания по замене и ремонту:

1. Даташит — закон! Перед заменой всегда сверяйтесь с официальными даташитами обоих модулей (оригинала и аналога).
2. Распиновка (Pinout): Крайне важно, чтобы расположение силовых (C1/E1, C2/E2) и управляющих (G1/E1, G2/E2) выводов полностью совпадало.
3. Геометрия корпуса: Размеры, положение монтажных отверстий и высота должны быть идентичны для установки на тот же радиатор.
4. Характеристики переключения: Разные поколения IGBT и производители имеют отличия в скорости нарастания тока (di/dt), задержках включения/выключения. Это может потребовать корректировки драйвера (сопротивления в затворе Rg).
5. Рекомендуется: При ремонте лучше всего использовать оригинальный номер FP100R12KT4_B11. Если его нет в наличии, наиболее безопасным прямым аналогом считается SEMIKRON SKM100GB12T4 после тщательной проверки по пунктам выше.

Данное описание является обзорным. Для инженерных расчетов и замены всегда используйте актуальную официальную документацию от Infineon.