Infineon FP35R12KT4_B15

Конечно, вот подробное описание модуля Infineon FP35R12KT4_B15, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

Infineon FP35R12KT4_B15 — это полностью изолированный интеллектуальный силовой модуль (IPM — Intelligent Power Module), предназначенный для управления трехфазными двигателями в мощных приложениях. Он объединяет в одном компактном корпусе (Transistor Module, 35 мм) силовые ключи (IGBT с диодами обратного хода), драйверы низкой стороны, защитные цепи и интерфейс управления.

Ключевые особенности:

• Высокая интеграция: Содержит 6 IGBT с антипараллельными диодами, 3 драйвера для нижних ключей, схему самопитания (bootstrap), защиту от перегрузки по току, короткого замыкания, недо- и перенапряжения, а также температурную защиту.
• Надежность и безопасность: Встроенные функции защиты значительно повышают надежность системы, предотвращая повреждение модуля и двигателя в аварийных ситуациях.
• Упрощение разработки: Благодаря интегрированным драйверам и защитам, разработчику не требуется создавать сложные внешние схемы управления и защиты, что сокращает время выхода на рынок и площадь платы.
• Изолированный корпус: Позволяет монтировать модуль непосредственно на радиатор без изолирующей прокладки, что улучшает тепловые характеристики.

Основные области применения:

• Промышленные приводы переменного тока
• Частотные преобразователи (инверторы)
• Сервоприводы
• Насосы, вентиляторы, компрессоры
• Автоматизация и робототехника

Технические характеристики

Здесь приведены ключевые параметры. Полные данные следует смотреть в официальном даташите.

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Номинальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | Рабочее напряжение до ~800В DC-шины | | Номинальный ток коллектора (IC @ 100°C) | 35 А | Для каждого IGBT/диода внутри модуля | | Максимальный импульсный ток (ICM) | 70 А | | | Падение напряжения на IGBT (VCE(sat) тип.) | 1.85 В | @ IC=35A, VGE=15В | | Падение напряжения на диоде (VF тип.) | 2.10 В | @ IF=35A | | Сопротивление "кристалл-радиатор" (Rth(j-c)) IGBT/Diode | 0.45 / 0.65 К/Вт | | | Сопротивление "корпус-радиатор" (Rth(c-f))* | 0.12 К/Вт | *Зависит от монтажа и пасты | | Максимальная температура перехода (Tvj(max)) | 150 °C | | | Встроенные функции защиты | Защита от КЗ, перегрузки по току, перенапряжения/недонапряжения питания драйвера, перегрева | Температурный датчик с сигналом FO (Fault Output) | | Логический интерфейс | 3.3В / 5В / 15В | Совместим с большинством микроконтроллеров и DSP | | Тип корпуса | Transistor Module, 35mm (T-Module) | Размеры: ~107 x 45 x 17 мм. Стандартный форм-фактор. | | Вес | ~90 г | |

Парт-номера (Part Numbers) и маркировка

• Полное название: FP35R12KT4_B15

  • FP: Семейство Intelligent Power Modules (EconoPIM™ + 6pack).
  • 35: Номинальный ток 35А.
  • R12: IGBT с напряжением 1200В.
  • K: Поколение/технология IGBT (K-series, Trenchstop 4).
  • T4: Тип корпуса и конфигурация (T-Module, 35mm, 6-in-1).
  • _B15: Вариант исполнения/версия (часто указывает на логический уровень 3.3В и улучшенные характеристики).

• Маркировка на корпусе: Обычно наносится полное имя FP35R12KT4_B15, а также серийный номер (лот) и дата производства.

Совместимые модели и аналоги

При поиске замены необходимо учитывать номинальные параметры (ток, напряжение), тип корпуса, логический интерфейс и расположение выводов (pinout).

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же корпусе T-Module 35mm):

• FP35R12KT4: Базовая версия без суффикса _B15. Может иметь отличия в логических уровнях или порогах защиты. Требуется проверка даташита.
• FP35R12W2T4_B11 / FP35R12W2T4_B15: Модули серии W2 (более старое поколение IGBT). Совместимы по корпусу и выводам, но имеют другие электрические и тепловые параметры.
• FP30R12KT4 / FP40R12KT4: Модули на 30А и 40А в том же корпусе и с тем же напряжением. Могут использоваться в системах с запасом по току или при пересчете теплового режима.

2. Аналоги от других производителей (требуют тщательной проверки pinout и характеристик):

• Mitsubishi Electric:
  • PM30RL1A120 (30А, 1200В) или PM50RL1A120 (50А, 1200В) в корпусе DIP-IPM. Внимание! Корпус и pinout отличаются (DIP-IPM vs T-Module). Требуется переразводка платы.
• Fuji Electric:
  • 6MBP30RA120 (30А, 1200В) - также в другом корпусе (DIP-IPM).
• ON Semiconductor (бывш. Fairchild):
  • FNB41560 (15А, 600В) - аналог по функционалу, но для другого диапазона напряжения.
• STMicroelectronics:
  • STGIPS20C60 (20А, 600В) - SLLIMM-модуль, другой форм-фактор и мощность.

Важное замечание по совместимости: Модули в корпусе T-Module 35mm (как FP35R12KT4) часто имеют механическую и электрическую взаимозаменяемость в пределах одного поколения и производителя (Infineon). Однако модули в корпусах DIP-IPM (Mitsubishi, Fuji) или SLLIMM (ST) не являются прямыми аналогами и требуют полного перепроектирования силовой части платы.

Рекомендация: При замене всегда в первую очередь проверяйте официальный даташет на конкретную модель и сравнивайте:

1. Распиновку (Pin Assignment Diagram).
2. Номинальные значения напряжения и тока.
3. Характеристики встроенного драйвера и защиты (пороги срабатывания, время задержки).
4. Габаритные чертежи (Mechanical Drawing).