Infineon FP35R12W2T4

Infineon FP35R12W2T4
Артикул: 563189

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon FP35R12W2T4

Отличный выбор! Infineon FP35R12W2T4 — это очень популярный и надежный IGBT-модуль, который широко используется в силовой электронике.

Описание

Infineon FP35R12W2T4 — это транзисторный модуль (IGBT модуль) третьего поколения (IGBT3, Trench/Fieldstop technology) в классическом корпусе 34mm EconoDUAL™ 3. Он представляет собой полумостовую конфигурацию (Half-Bridge), что означает, что внутри одного модуля находятся два IGBT-транзистора с обратными диодами (антипараллельные диоды), соединенные по схеме "верхний ключ" и "нижний ключ".

Основное назначение: Преобразование электрической энергии в мощных трехфазных инверторах и частотных преобразователях. Типичные применения:

  • Частотные преобразователи (ПЧ) для управления асинхронными электродвигателями
  • Промышленные приводы (станки, насосы, вентиляторы, конвейеры)
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Сварочное оборудование
  • Солнечные инверторы

Ключевые преимущества:

  • Низкие потери проводимости и коммутации: Эффективность и меньший нагрев.
  • Высокая перегрузочная способность: Кратковременно выдерживает значительные превышения тока.
  • Встроенные температурные датчики (NTC термисторы): Для защиты от перегрева.
  • Высокая надежность и долгий срок службы: Благодаря технологии PressFIT (беспаечное соединение выводов) и продвинутой внутренней конструкции.
  • Упрощение монтажа: Все силовые и управляющие элементы в одном компактном корпусе.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 в 1 (два IGBT + два диода) | | Корпус | EconoDUAL™ 3 (34 мм) | Стандартный промышленный корпус | | Коллектор-эмиттер напряжение | VCES = 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать ключ | | Номинальный ток (при Tc=80°C) | IC nom = 35 А | Постоянный ток коллектора | | Пиковый ток | ICP = 70 А | Кратковременная перегрузка | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) ≈ 1.7 В (тип., при ном. токе) | Параметр, определяющий потери проводимости (чем меньше, тем лучше) | | Падение напряжения на диоде | VF ≈ 1.9 В (тип.) | Потери на встроенном обратном диоде | | Скорость переключения | Высокая, оптимизирована для работы на частотах до 8-16 кГц | Типичный диапазон для IGBT3 | | Термистор (NTC) | Встроен | Для контроля температуры основания модуля | | Монтаж | PressFIT (рекомендуется) или пайка | PressFIT исключает пайку и термические напряжения | | Рабочая температура перехода | Tvj = -40...+150 °C | Максимальная температура кристалла | | Температура хранения | Tstg = -40...+125 °C | |


Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот модуль имеет несколько стандартных обозначений и прямых аналогов/заменителей от других производителей.

1. Прямые парт-номера Infineon (аналогичные по характеристикам):

  • FP35R12W2T4_B11 (часто указывается как просто B11 в конце) — стандартная версия.
  • FP35R12W2T4_B11A — вариант с дополнительной внутренней изоляцией для повышенных требований.
  • FP35R12W2T4PB — версия с предварительно нанесенной термопастой на основание.
  • FP35R12W2T4P_B11 — комбинация признаков.

2. Совместимые/Аналогичные модели от других производителей (Прямые или близкие аналоги):

ВАЖНО: При замене всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно по механическим размерам, расположению выводов и электрическим характеристикам.

  • SEMIKRON: SKM75GB12T4 (75А, 1200В, EconoDUAL 3) — более мощный аналог в том же корпусе. Для прямого аналога по току у Semikron обычно есть серия SKM..GB12.. (например, SKM50GB12T4 - 50А).
  • Fuji Electric: 2MBI35S-120 (35А, 1200В, 2-in-1 модуль) — очень близкий функциональный аналог, но в другом корпусе (требует проверки посадочного места).
  • Mitsubishi Electric: CM35TF-12S (35А, 1200В) — аналог в корпусе 34mm.
  • ON Semiconductor (бывш. Fairchild): Серия FGA35S120 и подобные.
  • STMicroelectronics: Модули серии STGxP... (требуют подбора по параметрам).

3. Модули в той же серии EconoDUAL 3 от Infineon (для выбора по току/напряжению):

  • По напряжению 1200В: FPxxR12W2T4, где xx — номинальный ток: 15А, 25А, 35А, 50А, 75А.
  • По напряжению 600/650В: Серия FPxxR06W2T4 (например, FP50R06W2T4).
  • Более новые поколения (IGBT4, IGBT7): Например, серия F3LxxR12W2Tx (IGBT4) или F4-xxR12W2Tx (IGBT7) — они имеют лучшие характеристики, но могут отличаться по цоколевке и требуют проверки совместимости.

Рекомендации по применению и замене:

  1. При замене сгоревшего модуля крайне желательно найти причину поломки (перегрев, перегрузка, КЗ, проблемы драйвера), иначе новый модуль может выйти из строя сразу.
  2. Обязательно используйте термопасту и правильно затягивайте модуль к радиатору с рекомендованным моментом.
  3. Драйверы затворов: Для управления этим IGBT необходимы драйверы с током не менее 2-4А, обеспечивающие отрицательное смещение для надежного запирания (например, серии от Infineon, Texas Instruments, Silicon Labs).
  4. Для точного подбора аналога всегда ориентируйтесь на официальный даташит (datasheet) конкретного модуля.

Товары из этой же категории