Infineon FS35R12KT3BOSA1

Infineon FS35R12KT3BOSA1
Артикул: 563308

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon FS35R12KT3BOSA1

Отличный выбор! FS35R12KT3BOSA1 — это высокопроизводительный IGBT-модуль от Infineon, предназначенный для требовательных промышленных применений. Вот подробное описание и технические данные.

Описание и основные особенности

FS35R12KT3BOSA1 — это IGBT-модуль третьего поколения (IGBT3 / TrenchStop 3) в популярном корпусе 62mm (EconoDUAL™ 3).

  • Назначение: Преобразование энергии в мощных трехфазных инверторах и частотных приводах.
  • Топология: Содержит шесть IGBT-транзисторов и шесть антипараллельных диодов быстрого восстановления (FRD), образующих классический трехфазный мост (3-фазный инверторный плеч).
  • Ключевые преимущества поколения IGBT3:
    • Низкие потери проводимости (Vce_sat) и коммутации.
    • Высокая перегрузочная способность по току.
    • Широкий диапазон рабочих температур.
    • Встроенный NTC-термистор для контроля температуры модуля.
    • Кремниевая изоляция основания (SI Baseplate) — обеспечивает высокую электрическую прочность и лучший отвод тепла по сравнению с изоляционными слюдяными прокладками в некоторых старых модулях.

Типичные области применения:

  • Промышленные частотные приводы (AC Drives)
  • Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности
  • Системы возобновляемой энергии (инверторы для солнечных и ветровых установок)
  • Промышленные сварочные аппараты
  • Электроприводы (тяговые инверторы)

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Класс напряжения (VCES) | 1200 В | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | | Номинальный ток (IC @ 80°C) | 35 А | Постоянный ток коллектора при температуре корпуса 80°C | | Максимальный ток (IC @ 25°C) | 70 А | Пиковый ток (обычно при перегрузке) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2.05 В (тип.) | При IC=35A, VGE=15В. Определяет потери проводимости | | Падение напряжения на диоде (VF) | ~1.7 В (тип.) | Прямое падение на встроенном FRD-диоде | | Скорость переключения | Высокая (IGBT3) | Оптимизированы для частот 4-16 кГц | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.45 К/Вт (тип.) | Сопротивление переход-корпус для одного IGBT/диода | | Макс. температура перехода (Tvjop) | +150 °C | Допустимая рабочая температура кристалла | | Модуль NTC-термистора | 10 кОм | Для мониторинга температуры основания | | Сопротивление изоляции (Visol) | 2500 В (эфф.) | Минимальное испытательное напряжение изоляции | | Крепежное усилие | 5.5 Н·м | Момент затяжки винтов монтажа к радиатору | | Вес | ~140 г | |

Важные электрические характеристики (из даташита):

  • Рекомендуемое напряжение на затворе (VGE): +15В / -8...-15В (стандартный режим для полного открытия и надежного закрытия).
  • Энергия включения/выключения (Eon/Eoff): Несколько миллиджоулей (зависит от условий), что указывает на умеренные коммутационные потери.
  • Схема подключения: Стандартная для 6-in-1 модулей: 3 вывода постоянного тока (+DC, -DC), 3 фазных вывода (U, V, W), 7 (или 8) сигнальных контактов для затворов эмиттеров и NTC.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно у одного модуля может быть несколько парт-номеров, отличающихся упаковкой, страной производства или незначительными деталями маркировки. Основной номер — FS35R12KT3.

Прямые аналоги и замены в том же корпусе 62mm:

  1. Аналоги от Infineon (разных поколений и с разными опциями):

    • FS35R12W1T3 — Аналог, но без встроенного NTC-термистора. Ключевое отличие!
    • FS35R12KE3 — Модуль второго поколения (IGBT2 / TrenchStop 2). Старее, с чуть большими потерями. Часто используется как прямая замена при модернизации или ремонте.
    • FS35R12KE3G — Тот же IGBT2, но в корпусе с изолированным основанием (Insulated Baseplate).
    • FS35R12KT3_B11 — Может быть вариантом маркировки с указанием партии или ревизии.
  2. Совместимые/конкурирующие модели от других производителей в корпусе 62mm:

    • Semikron: SKM35GB12T4 (IGBT4) — очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог по посадочному месту и характеристикам.
    • Fuji Electric: 6MBI35S-120 (серия NX) — аналог.
    • Mitsubishi Electric: CM35TU-12T — аналог.
    • ON Semiconductor (Fairchild): FNA35S12001 — аналог.

ВАЖНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ по замене и совместимости:

  • Распиновка (pinout) у модулей разных производителей в корпусе 62mm (EconoDUAL 3) стандартизирована. Это означает, что они, как правило, механически и по подключению взаимозаменяемы.
  • Перед заменой обязательно необходимо:
    1. Сверять datasheet на предмет номинальных токов/напряжений, которые должны быть не ниже.
    2. Проверять наличие/отсутствие NTC (как в случае с FS35R12W1T3). Если в схеме используется датчик температуры, необходимо ставить модуль с NTC.
    3. Учитывать параметры драйвера затвора. Разные поколения IGBT могут иметь отличную входную емкость (Cies) и требуемый заряд затвора (Qg), что может потребовать корректировки сопротивлений в цепи затвора.
    4. Убедиться в совместимости тепловых характеристик (Rth, максимальная температура).

Вывод

Infineon FS35R12KT3BOSA1 — это надежный, проверенный временем модуль, оптимальный для построения мощных трехфазных инверторов на токи до 35А и напряжения до 600-800В DC звена. Его главные конкуренты — Semikron SKM35GB12T4 и аналоги от Fuji/Mitsubishi. При замене ключевое внимание стоит уделить наличию термистора и поколению IGBT, так как это влияет на настройки системы управления и охлаждения.

Товары из этой же категории