Infineon FS35R12W1T4

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового модуля Infineon FS35R12W1T4.

Описание

Infineon FS35R12W1T4 — это полностью трехфазный силовой модуль (PIM) в классическом корпусе EconoPIM™ 2 (34-контактный). Он предназначен для построения силовой части инверторов и частотно-регулируемых приводов (ЧРП) средней мощности.

Ключевые особенности:

• Интеграция: В одном модуле объединены 6 IGBT-транзисторов с быстрыми антипараллельными диодами, образующие трехфазный мостовой инвертор, а также тормозной транзистор (Chopper) с диодом и транзистор верхнего плеча драйвера шины DC+ (NTC).
• Технология: Используются Trenchstop™ IGBT 4 поколения, что обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями на проводимость и коммутацией, а также высокой стойкость к КЗ.
• Назначение: Преобразование постоянного тока (DC) в трехфазный переменный (AC) для управления асинхронными или синхронными электродвигателями. Типичные области применения: промышленные приводы, насосы, вентиляторы, компрессоры, сервоприводы.
• Упрощение конструкции: Значительно сокращает количество компонентов, монтаж и площадь на плате по сравнению с дискретными решениями, повышая надежность системы.
• Изоляция: Корпус обеспечивает электрическую изоляцию (до 2500 В~) от радиатора, что упрощает тепловой монтаж.

Основные технические характеристики

Электрические параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | Рабочее напряжение DC-шины до ~800 В | | Номинальный ток коллектора (I_{C nom}) | 35 А | При T_case = 80°C | | Ток коллектора (I_C @100°C) | 25 А | При T_case = 100°C | | Ток тормозного IGBT (I_{C chop}) | 21 А | | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.65 В | Тип. при I_C=35А, V_GE=15В | | Падение на диоде (V_F) | ~1.9 В | Тип. при I_F=35А | | Скорость нарастания напряжения (dV/dt) | ±10 кВ/мкс | Стойкость к коммутационным помехам | | Входная емкость (C_ies) | 3.2 нФ | Влияет на требования к драйверу | | Заряд затвора (Q_g) | 430 нКл | Важный параметр для расчета драйвера | | Термистор NTC | 10 кОм | Для контроля температуры радиатора |

Тепловые и механические параметры:

| Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C (макс. +175°C) | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 0.45 К/Вт (на IGBT) | | Момент затяжки винтов | 1.0 - 1.5 Н·м (для силовых контактов) | | Класс изоляции | 2500 В~ (50 Гц, 1 мин.) | | Вес | ~85 г |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Указанный номер — это базовый Ordering Code (OC). Полный парт-номер формируется с учетом упаковки и варианта маркировки.

• Основной номер для заказа: FS35R12W1T4_BOMA1
  • BOMA1 — вариант упаковки (лоток) и маркировки.

Совместимые и аналогичные модели от Infineon (прямые аналоги в том же корпусе):

• По напряжению и току (EconoPIM™ 2):

  • FS50R12W1T4 — 50А, 1200В (более мощный аналог).
  • FS25R12W1T4 — 25А, 1200В (менее мощный аналог).
  • FS35R12W1T7 — Может иметь отличия в характеристиках диодов или уровне изоляции (T7 вместо T4).
  • FS35R12KE3 — Более старая модель на IGBT 3-го поколения (E3). Часто используется как функциональный аналог, но с другими динамическими параметрами.

• В других корпусах (функциональные аналоги, но требуется переразводка платы):

  • FS35R12KE3G (в корпусе EconoPIM™ 3).
  • FS35R12W1T7_B11 (в корпусе EconoPACK™ 2).

Совместимые модели от других производителей (функциональные аналоги):

Важно: Прямой механической и электрической замены от других брендов в корпусе EconoPIM™ 2 часто не существует. Однако можно подобрать модуль с аналогичными параметрами в том же или совместимом корпусе. При замене обязательна проверка datasheet, распиновки и механических чертежей.

• Semikron: SKM35GB12T4 (серия SEMITRANS 3) — очень близкий функциональный аналог в похожем корпусе, часто используется как альтернатива.
• Fuji Electric: 7MBR35SB120 (серия 7MBR) — аналогичный модуль в корпусе, совместимом по монтажным отверстиям и частично по распиновке (требуется проверка!).
• MITSUBISHI ELECTRIC: PM35RSF120 — модуль в похожем корпусе.
• ON Semiconductor: NXV35B12T4 (обычно производится на бывших мощностях Fairchild).

Ключевые рекомендации по применению

1. Драйвер затвора: Требуется 6-канальный драйвер с током не менее 2-3А (пиковый) для обеспечения быстрой коммутации. Рекомендуется использовать буферные каскады (buffer).
2. Защита: Обязательна реализация защиты от КЗ, перегруза и перегрева (используя NTC). IGBT 4-го поколения имеют короткое время стойкости к КЗ (около 5 мкс).
3. Теплоотвод: Необходим качественный радиатор с теплопроводной пастой или изолирующей прокладкой. Расчет теплового режима обязателен.
4. Цепочки снабберов: Для подавления выбросов напряжения на длинных проводах или при высоких dV/dt могут потребоваться снабберные RC-цепи на DC-шине.

Для окончательного выбора аналога всегда сверяйтесь с актуальными даташитами (datasheet) и консультируйтесь с инженерами по применению.