Infineon FS50R12KT4B11BOSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для модуля Infineon FS50R12KT4B11BOSA1.

Общее описание

Infineon FS50R12KT4B11BOSA1 — это двухуровневый IGBT-модуль (2-Level), предназначенный для использования в мощных трехфазных инверторах и преобразователях частоты. Он представляет собой полный трехфазный мост (6 в 1), собранный в одном корпусе, что значительно упрощает конструкцию силовой части и улучшает ее надежность.

Ключевые особенности:

• Компактная интеграция: В одном модуле собраны 6 IGBT-транзисторов с обратными диодами, образующие классический трехфазный мост.
• Низкие потери: Используются современные IGBT-чипы серии T4 (IGBT4), оптимизированные для частот переключения до нескольких кГц, и диоды Emitter Controlled 4 (EC4), что обеспечивает высокий КПД.
• Высокая надежность: Керамическая изолирующая подложка Al₂O₃ (Alumina) с паяным соединением (AlSiC baseplate) обеспечивает хороший отвод тепла и долгий срок службы.
• Легкость в применении: Встроенные NTC-термисторы для контроля температуры, низкоиндуктивная конструкция для снижения перенапряжений при коммутации.

Типичные области применения:

• Промышленные приводы переменного тока (AC Drives)
• Преобразователи частоты для двигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности
• Солнечные инверторы
• Системы промышленной автоматизации

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 6 в 1 (Трехфазный мост) | | | Класс напряжения | 1200 В | | | Номинальный ток (IC @ 100°C) | 50 А | Ток коллектора при температуре 100°C | | Ток импульсный (ICM) | 100 А | | | Технология IGBT | T4 (IGBT4) | Низкие потери на переключение | | Технология диода | EC4 (Emitter Controlled 4) | Мягкое восстановление, низкие потери | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.75 В (тип.) | При номинальном токе | | Падение на диоде (VF) | ~1.9 В (тип.) | | | Макс. рабочая температура перехода (Tvjop) | +150 °C | | | Макс. температура хранения (Tstg) | от -40 до +125 °C | | | Термическое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.25 К/Вт (тип.) | На один IGBT/диод | | Сопротивление изоляции (Visol) | 2500 В (эфф.) | | | Встроенный NTC-термистор | Да | Для контроля температуры основания | | Материал изолятора | Керамика Al₂O₃ (оксид алюминия) | | | Материал основания | AlSiC (алюминий-карбид кремния) | Малый КТР, высокая надежность | | Вес | ~160 г | | | Монтаж | Винтовой | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Модуль имеет несколько стандартных парт-номеров, которые могут встречаться в спецификациях или на упаковке. FS50R12KT4B11BOSA1 — это полный заводской номер, но часто используются его сокращения.

Основные парт-номера:

• FS50R12KT4 — основное краткое обозначение серии.
• FS50R12KT4BOMA1 — альтернативный парт-номер (отличается суффиксом BOMA1 вместо BOSA1, обычно указывает на различия в упаковке или версии документации).
• FS50R12KT4_B11 — вариант написания.

Совместимые и аналогичные модели от Infineon:

При поиске замены или аналога важно учитывать не только электрические параметры (50А/1200В), но и механический корпус (EASY 1B). Модули в одинаковом корпусе имеют совместимые габариты и расположение контактов.

1. Прямые аналоги в том же корпусе EASY 1B:

   • FS50R12KT3 — Предыдущее поколение на чипах IGBT3. Может использоваться как аналог, но с чуть более высокими потерями.
   • FS50R12KE3 — Более раннее поколение (E3). Требует проверки совместимости по характеристикам.
   • FS50R12W1T4 — Модуль серии W1 (с низкоиндуктивными силовыми выводами), но на чипах T4. Механически совместим, но выводы могут отличаться.
   • FS50R12W1T7 — Аналогичный модуль на более новой технологии IGBT7 (T7), которая предлагает существенно более низкие потери. Является модернизационной заменой.

2. Аналоги от других производителей (требуют тщательной проверки datasheet и механики):

   • SEMIKRON: SK50GD12T4 — Модуль в схожем корпусе (GD) с технологией IGBT4.
   • Fuji Electric: 6MBI50VA-120 — Классический модуль в корпусе, близком по размерам.
   • Mitsubishi Electric: CM50TY-12H — Популярный модуль в корпусе, который часто используется как аналог.

Важные замечания по замене и применению:

1. Всегда сверяйтесь с Datasheet! Перед заменой необходимо сравнить не только номиналы, но и расположение выводов (pinout), характеристики внутренних термисторов, рекомендуемые параметры драйверов.
2. Поколения чипов: Модули на IGBT4 (T4) и IGBT7 (T7) имеют разные рекомендации по драйверам (напряжение управления, резисторы в затворе). Замена на более новое поколение обычно улучшает параметры системы.
3. Механика: Корпус EASY 1B является стандартным, но крепежные отверстия и высота должны быть проверены.
4. Пайка/Прижим: Модуль предназначен для монтажа на радиатор через теплопроводящую пасту или пад. Не допускается пайка основания.

Данный модуль является надежным и проверенным решением для построения силовых каскадов средней мощности. При выборе аналога приоритет следует отдавать модулям Infineon в том же корпусе, особенно серии W1T7 для новых разработок.