Infineon FS75R12KE3_B9

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для модуля IGBT Infineon FS75R12KE3_B9.

Описание

FS75R12KE3_B9 — это IGBT-модуль третьего поколения (IGBT3, Trench/Fieldstop) в популярном промышленном корпусе EconoDUAL™ 3. Это двухключевой модуль (полумост, 2 in 1) с интегрированными диодами обратного восстановления (антипараллельные диоды).

Основное назначение: Используется в качестве силового ключа в инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании и других системах промышленной силовой электроники, рассчитанных на среднее напряжение и высокие токи.

Ключевые особенности:

• Технология IGBT3: Обеспечивает хороший баланс между низкими динамическими потерями (переключение) и низким напряжением насыщения (Vce_sat), что важно для эффективной работы.
• Корпус EconoDUAL™ 3: Стандартизированный корпус с клеммами под пайку или пресс-фит, обеспечивающий хороший теплоотвод и механическую прочность.
• Встроенные NTC-термисторы: Позволяют осуществлять температурный мониторинг модуля для защиты от перегрева.
• Высокая перегрузочная способность: Способен выдерживать кратковременные токи, значительно превышающие номинальный.
• Низкоиндуктивная конструкция: Способствует снижению перенапряжений при коммутации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Ключевая архитектура | Полумост (2 in 1) | Два IGBT с антипараллельными диодами | | Корпус | EconoDUAL™ 3 | Стандартный промышленный корпус | | Коллектор-эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый ключ | | Номинальный ток (при T_c=80°C) | I_{C nom} = 75 А | Постоянный ток коллектора | | Пиковый ток | I_CP = 150 А | Максимальная кратковременная перегрузка | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) ~ 2.1 В (тип., при номинальном токе) | Определяет проводимостные потери | | Падение напряжения на диоде | V_F ~ 1.7 В (тип.) | Потери на встроенном обратном диоде | | Энергия включения/выключения | E_on ~ 10 мДж, E_off ~ 7 мДж (тип.) | Определяют коммутационные потери | | Температура перехода | T_vj max = +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Температура хранения | T_stg = от -40 до +125 °C | | | Встроенная температурная защита | NTC-термистор | Сопротивление: ~10 кОм при 25°C | | Вес | ~ 175 г | | | Монтаж | Винтовое соединение (клеммы), крепление к радиатору | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Модули часто имеют несколько обозначений в зависимости от уровня серийного номера, упаковки или незначительных ревизий. Основные парт-номера для этого модуля:

• FS75R12KE3_B9 — Основной и полный номер модели. "B9" в конце часто указывает на версию/ревизию.
• FS75R12KE3 — Базовое обозначение без указания ревизии. Часто подразумевает ту же модель.
• SP001724259 — Уникальный идентификатор Infineon (также может быть нанесен на упаковку).

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены важно учитывать не только электрические параметры, но и механическую совместимость (корпус, расположение выводов) и характеристики драйвера.

1. Прямые аналоги в том же корпусе (EconoDUAL 3):

• От Infineon (новые поколения):
  • FS75R12W2T4_B11 — Более современный модуль 4-го поколения IGBT4. Имеет лучшие динамические характеристики (меньше потерь на переключение) при схожих номинальных токах и напряжении. Является рекомендуемой модернизацией.
  • FS75R12KE3G (с суффиксом "G") — Может обозначать "зеленую" (без галогенов/свинца) версию или другую ревизию.
• От других производителей (Функциональные и конструктивные аналоги):
  • Semikron: SKM75GB12T4 (IGBT4) — Один из самых популярных прямых аналогов по корпусу и параметрам.
  • Fuji Electric: 2MBI75S-120 (серия NX) — Аналог в корпусе Fuji.
  • Mitsubishi Electric: CM75TU-12H — Аналог в корпусе Mitsubishi.

2. Важные замечания по совместимости:

• Распиновка: Все модули в корпусе EconoDUAL™ 3 имеют стандартизированное расположение силовых и управляющих выводов. Это означает, что при замене на другой модуль в том же корпусе (например, Semikron SKM75GB12T4) можно использовать ту же печатную плату и схему подключения.
• Параметры драйвера: Хотя корпус одинаков, разные поколения IGBT (3, 4, 7) могут иметь отличия в рекомендуемых напряжениях затвора, резисторах затвора (Rg) и требуемом токе драйвера. При замене на модуль другого поколения необходимо проверить и, скорее всего, скорректировать параметры цепи управления затвором.
• Электрические параметры: Все перечисленные аналоги имеют номинал 1200В / 75А, но значения потерь (Eon/Eoff, Vce_sat) различаются. Это может повлиять на КПД и тепловой режим системы.

Вывод

Infineon FS75R12KE3_B9 — надежный, проверенный временем силовой модуль для средне- и высокомощных преобразователей. При его замене или разработке нового оборудования оптимальным выбором с точки зрения производительности и доступности сегодня являются его прямые потомки — Infineon FS75R12W2T4_B11 или Semikron SKM75GB12T4, которые предлагают улучшенные характеристики при сохранении полной механической и электрической (по выводам) совместимости.