Infineon FS75R12KT3

Отличный выбор! Infineon FS75R12KT3 — это один из самых популярных и надежных IGBT-модулей в своем классе, настоящая «рабочая лошадка» для мощных преобразователей энергии.

Полное описание

FS75R12KT3 — это транзисторный модуль (IGBT-модуль), выполненный по технологии TrenchStop IGBT 3. Он представляет собой полумостовую конфигурацию (Half-Bridge), что означает, что в одном корпусе интегрированы два силовых ключа с верхним и нижним драйверами. Это ключевой элемент для построения инверторов, частотных преобразователей, источников сварочного тока и других мощных импульсных систем.

Основное назначение: Преобразование постоянного тока (DC) в переменный (AC) и наоборот (инвертирование, выпрямление) в мощных промышленных установках.

• Типовые применения:
  • Промышленные частотные преобразователи (ПЧ, ЧПУ) для управления электродвигателями.
  • Сварочные инверторы.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП) большой мощности.
  • Солнечные инверторы.
  • Системы плавного пуска электродвигателей.

Ключевые преимущества:

• Высокая эффективность: Технология TrenchStop 3 обеспечивает низкие потери на проводимость и переключение.
• Встроенный диод: Каждый IGBT снабжен быстрым антипараллельным диодом (Emitter Controlled Diode), что критически важно для индуктивных нагрузок (двигатели).
• Высокая перегрузочная способность: Модуль выдерживает значительные кратковременные токи.
• Низкая индуктивность силовых выводов: Благодаря конструкции корпуса, что снижает перенапряжения при коммутации.
• Изоляция: Корпус модуля обеспечивает электрическую изоляцию (2500 В~) от радиатора, что упрощает монтаж и охлаждение.

Детальные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 в 1: верхний и нижний ключ с диодами | | Класс напряжения | 1200 В | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | | Номинальный ток | 75 А | При T_c = 80°C (I_C @80°C) | | Ток перегрузки | 150 А | Максимальный кратковременный импульсный ток | | Напряжение насыщения | 2,1 В | V_CE(sat) (тип., при ном. токе) - определяет потери на проводимость | | Общие потери при переключении | 4,5 мДж | E_ts - энергия потерь при переключении (ключевой параметр для частоты) | | Температура перехода | -40...+150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла (T_vj max) | | Тепловое сопротивление | 0,25 К/Вт | R_th(j-c) (от кристалла к корпусу) - важно для расчета охлаждения | | Изоляционное напряжение | 2500 В (эфф.) | Между силовыми выводами и основанием (монтажной пластиной) | | Вес | ~120 г | |

Важные электрические характеристики (из даташита):

• Скорость переключения: Позволяет эффективно работать на частотах от 2 до 20 кГц (оптимальный диапазон для большинства силовых инверторов).
• Падение напряжения на диоде: V_F ≈ 1.7 В (тип.).
• Рекомендуемое напряжение драйвера: +15 В / -8 В (или -5...-15 В) для надежного открытия/закрытия.

Парт-номера и совместимые модели

При поиске замены или аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и конфигурацию, корпус и расположение выводов.

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• FS75R12KT3_B15 — тот же модуль, возможно, с отличиями в упаковке или ревизии.
• FS75R12KT3_B11 — предыдущая версия/ревизия. При замене всегда лучше сверяться с актуальными даташитами, так как могут быть незначительные изменения в характеристиках.

2. Функционально совместимые модели (аналоги) от других производителей:

Здесь требуется особая внимательность. Модули должны совпадать по:

• Конфигурации (полумост).
• Напряжению (1200В).
• Току (75А).
• Корпусу и распиновке (чаще всего EconoDUAL™ 3).

| Производитель | Парт-номер аналога | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Fuji Electric | 2MBI75U4B-120 | Очень близкий и популярный аналог. Корпус то же, распиновка идентична или очень похожа. Наиболее частая прямая замена. | | Mitsubishi Electric | CM75DU-12F | Аналогичный модуль в корпусе F-серии. Требуется проверка монтажного чертежа. | | Semikron | SKM75GB12T4 | Модуль в корпусе Semitrans. Внимание! Распиновка и форма корпуса могут отличаться. Требуется адаптация платы/охладителя. | | ON Semiconductor | FGH75T120SMD | Аналог в другом корпусе. Требуется проверка геометрии и распиновки. |

3. Совместимые модели в линейке Infineon (для нового проектирования):

• По мощности (вниз): FS50R12KT3 (50А), FS35R12KT3 (35А) — в том же корпусе, часто совместимы по выводам.
• По мощности (вверх): FS100R12KT3 (100А), FS150R12KT3 (150А) — внимание! Корпус EconoDUAL™ 3, но может иметь другие габариты и отверстия.
• Новое поколение: Модули серии . . . W2T4 (на базе IGBT4) или . . . W3T7 (IGBT7) являются более современными и эффективными преемниками, но требуют проверки совместимости по выводам и условиям управления.

ВАЖНОЕ ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ при замене:

1. Всегда сверяйте монтажные чертежи (mechanical drawing) обоих модулей. Критичны расположение отверстий, высота, положение силовых и управляющих выводов.
2. Проверяйте datasheet на предмет отличий в паразитных индуктивностях, рекомендуемых затворных резисторах и емкостях.
3. Драйверы: Убедитесь, что ваш драйвер способен обеспечить необходимый ток заряда/разряда затвора для нового модуля.

Вывод: FS75R12KT3 — это эталонный, проверенный временем модуль. Его прямым и наиболее удобным аналогом для замены чаще всего является Fuji Electric 2MBI75U4B-120. Для нового проектирования стоит рассмотреть более современные серии.