Infineon FT150R12KE3_B5

Отличный выбор! Infineon FT150R12KE3_B5 — это один из самых популярных и надежных IGBT-модулей на рынке силовой электроники. Вот подробное описание, характеристики и информация о совместимости.

Описание

Infineon FT150R12KE3_B5 — это двухключевой IGBT-модуль (Dual, Half-Bridge) третьего поколения (IGBT3, TrenchStop) на номинальное напряжение 1200 В и ток 150 А. Он является частью легендарной серии EconoDUAL™ 3 — отраслевого стандарта корпуса для мощных инверторов.

Ключевые особенности и применение:

• Назначение: Предназначен для построения силовых каскадов в трехфазных инверторах, частотно-регулируемых приводах (ЧРП), источниках бесперебойного питания (ИБП), промышленных выпрямителях и системах возобновляемой энергетики.
• Технология: Использует передовую технологию TrenchStop IGBT3, которая обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями проводимости (Vce_sat) и коммутационными потерями, что ведет к высокой общей эффективности.
• Корпус EconoDUAL™ 3: Стандартизированный корпус с низкой индуктивностью силовых выводов, что критически важно для устойчивой работы на высоких токах. Имеет изолированное основание для простого монтажа на общий радиатор.
• Встроенные диоды: Каждый IGBT снабжен быстрым антипараллельным диодом (Emitter Controlled Diode), оптимизированным для работы в инверторном режиме.
• Термистор: В корпус интегрирован отрицательный температурный коэффициент (NTC) для контроля температуры основания модуля.

Основные преимущества:

• Высокая надежность и долгий срок службы благодаря передовой технологии и конструкции.
• Низкие динамические потери при переключении.
• Прямая пайка основания (DBC) на керамическую подложку обеспечивает отличную термоциклическую стойкость.
• Стандартный корпус упрощает замену и проектирование системы охлаждения.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура модуля | 2 x IGBT с антипараллельными диодами (Half-Bridge) | | | Корпус | EconoDUAL™ 3 (100 x 140 мм) | | | Номинальное напряжение коллектор-эмиттер | Vces = 1200 В | | | Номинальный ток коллектора (при Tc=80°C) | Ic_nom = 150 А | | | Максимальный импульсный ток коллектора | Icm = 300 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Vce(sat) = 2.05 В (тип., при Ic=150A, Vge=15V) | Низкое, снижает потери на проводимость | | Падение напряжения на диоде | Vf = 1.7 В (тип., при If=150A) | | | Время включения / выключения | ton = 85 нс, toff = 400 нс (тип.) | Указывается в даташите для конкретных условий | | Энергия включения / выключения | Eon = 30 мДж, Eoff = 75 мДж (тип.) | Важно для расчета коммутационных потерь | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) = 0.12 К/Вт (на ключ) | | | Максимальная температура перехода | Tj_max = +150 °C | | | Изоляционное напряжение (основание-выводы) | Visol = 2500 В (эфф.) | | | Встроенный датчик температуры | Термистор NTC (10 кОм при 25°C) | | | Рекомендуемое напряжение затвора | Vge = ±15 В | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

У одного и того же физического модуля могут быть разные парт-номера в зависимости от уровня тестирования, упаковки или незначительных модификаций. Основные из них:

• FT150R12KE3_B5 — Базовый и самый распространенный номер. Буква "B" в суффиксе часто указывает на улучшенную версию или ревизию.
• FT150R12KE3 — Более старый/основной номер, без суффикса "B5". Как правило, взаимозаменяем с версией B5, но всегда лучше сверяться с даташитами.
• FT150R12KE3G — Буква "G" на конце может указывать на "безгалогенную" версию или иной экологический стандарт. Прямая совместимость по электрическим параметрам.

Важно: При замене всегда проверяйте маркировку на корпусе модуля.

Совместимые и конкурирующие модели (прямые аналоги)

Модули в корпусе EconoDUAL™ 3 с аналогичными характеристиками (1200В / ~150А) от других производителей часто являются механическими и электрическими аналогами, но требуют проверки распиновки и характеристик!

От других производителей:

• SEMIKRON: SKM150GB12T4 (IGBT4) — один из самых популярных прямых аналогов.
• Fuji Electric: 2MBI150U2B-120 или 2MBI150U4B-120 (серия U4 — новее).
• Mitsubishi Electric: CM150TU-24NFH.
• ON Semiconductor (Fairchild): FZ150R12KE3 (прямой наследник после приобретения линейки у International Rectifier).

Внутри линейки Infineon:

• Более новые поколения (для новых проектов):
  • FF150R12RT4 (IGBT4, TrenchStop 4) — имеет более низкие потери.
  • FS150R12KE3 (IGBT3, корпус EconoDUAL™ 3 с дополнительными силовыми выводами).
• На ту же мощность, но другой корпус:
  • IKW75N120T2 (одиночный Transistor IGBT, 75А, 1200В) — для других топологий.

Критические замечания при замене:

1. Распиновка (Pinout): Хотя корпус стандартный, расположение управляющих выводов (затвор, эмиттер) может отличаться у разных производителей! Это самое важное при замене.
2. Характеристики затвора: Емкость, рекомендуемое сопротивление в цепи затвора (Rg). Несоблюдение может привести к нестабильной работе или повреждению.
3. Динамические параметры: Разные поколения IGBT (IGBT3, IGBT4, IGBT7) имеют разную скорость переключения и потери. Это может потребовать корректировки драйвера и снабберных цепей.
4. Даташит: Всегда, перед заменой, сравнивайте ключевые страницы даташитов обоих модулей.

Вывод: Infineon FT150R12KE3_B5 — это классический, проверенный временем модуль, являющийся эталоном надежности в своем классе. При поиске аналога в первую очередь стоит рассматривать модели в корпусе EconoDUAL™ 3 с пометкой 1200V / 150A, уделяя особое внимание распиновке и параметрам драйвера.