Infineon FZ3600R17HP4_B2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для модуля IGBT Infineon FZ3600R17HP4_B2.

Описание и применение

FZ3600R17HP4_B2 — это высокомощный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в классическом промышленном корпусе 62 мм (также известном как "IHM/62mm"). Это устройство 4-го поколения (Trench/Fieldstop 4, IGBT4) от Infineon, оптимизированное для работы на высоких частотах переключения.

Ключевые особенности:

• Высокочастотное переключение: Специально разработан для применений, где важна эффективность на повышенных частотах (например, в современных инверторах и частотных приводах), что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Низкие динамические потери: Технология IGBT4 обеспечивает оптимальный баланс между напряжением насыщения (Vce(sat)) и энергиями переключения (Eon/Eoff), что снижает тепловыделение.
• Высокая надежность: Корпус с керамической изоляцией (DCB substrate), обеспечивающей высокое изоляционное напряжение (≥ 4 кВ) и хороший отвод тепла. Цифра "_B2" в конце номера часто указывает на конкретную ревизию или вариант исполнения, улучшающий параметры или надежность.
• Встроенные компоненты: Модуль включает в себя обратные диоды (антипараллельные диоды Emitter), что упрощает построение силовых мостовых схем.

Основные области применения:

• Промышленные частотные приводы (AC Drives) средней и высокой мощности.
• Преобразователи частоты для насосов, вентиляторов, компрессоров.
• Системы рекуперативного торможения.
• Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности.
• Промышленные инверторы и источники сварочного тока.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Класс напряжения (VCES) | 1700 В | Максимальное коллектор-эмиттер напряжение | | Номинальный ток (IC @ 80°C) | 3600 А | Постоянный ток при температуре корпуса 80°C | | Максимальный ток (IC nom @ 25°C) | 5200 А | Пиковый/импульсный ток (обычно указывается для Tc=25°C) | | Конфигурация чипа | 2 в 1 (Dual) | Полумост (Half-Bridge): два IGBT с диодами в одном модуле | | Технология IGBT | Trench/Fieldstop 4 (IGBT4) | 4-е поколение, оптимизировано для частотного переключения | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~ 2.35 В (тип.) | При номинальном токе, типичное значение | | Падение напряжения на диоде (VF) | ~ 1.7 В (тип.) | Типичное значение для встроенного обратного диода | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~ 4.5 мК/Вт (тип.) | Сопротивление кристалл-корпус (на один IGBT) | | Максимальная температура перехода (Tvj max) | +175 °C | Для IGBT и диода | | Изоляционное напряжение (Visol) | ≥ 4000 Вэфф. | Между силовыми выводами и основанием (корпусом) | | Вес | Приблизительно 1200 г | |

Важные электрические характеристики (из даташита):

• Энергия включения (Eon): ~ 4500 мДж (тип.)
• Энергия выключения (Eoff): ~ 2400 мДж (тип.)
• Энергия восстановления диода (Erec): ~ 3200 мДж (тип.)
• Рекомендуемое напряжение затвора (VGE): ±15 В
• Заряд затвора (QG): ~ 12 000 нКл (тип.)

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно у таких модулей есть основной номер и различные суффиксы, обозначающие уровень качества, упаковку или ревизию.

• Основной парт-номер: FZ3600R17HP4_B2
  • Может также встречаться как FZ3600R17HP4B2 (без нижнего подчеркивания).
• Номер для заказа (Ordering Code): Часто совпадает с основным номером, но может иметь префиксы/суффиксы для лотка, тубы и т.д. (например, в спецификациях Infineon).
• Старый/альтернативный номер: Для данного модуля прямого предшественника в корпусе 62мм с технологией IGBT3 может не существовать, так как это мощная и современная разработка.

Совместимые и аналогичные модели

Совместимость определяется по ключевым параметрам: корпус (62mm), конфигурация (2-in-1 Half-Bridge), напряжение (1700V) и ток (~3600A).

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же корпусе и классе):

• FZ3600R17HP4 (базовая версия без суффикса _B2). Модули с суффиксом _B2 обычно являются прямой заменой базовой версии с возможными незначительными улучшениями в технологии пайки или характеристиках.
• FZ3600R17KE3 (более новое поколение IGBT7 в корпусе 62mm). Обладает значительно лучшими характеристиками (ниже потери, выше частота), но требует проверки совместимости по управлению затвором и механическому монтажу. Является перспективной модернизацией.

2. Аналоги от других производителей (требуется тщательная проверка даташитов и механики):

• SEMIKRON: SKiiP 3622 GB17E4-3DU (силовые модули с интегрированным радиатором и датчиками) или модули в стандартном корпусе, например, из линеек SEMiX или SKiM. Требуется подбор по току/напряжению.
• Mitsubishi Electric (Vincotech): Модули серии CM или VM в корпусе 62mm (например, CM-XXX-H-17-...). Нужно искать конкретную модель с током ~3600А.
• Fuji Electric: Модули серии 7MBP в корпусе 62mm (например, 7MBPXXXVA-17-...).
• Hitachi (ныне часть Mitsubishi): Модули серии M в схожем корпусе.

3. Важные замечания по совместимости:

• Механическая: Все аналоги из списка выше используют корпус 62mm, что обеспечивает совместимость по монтажным отверстиям и расстояниям. Однако высота и расположение вспомогательных (затворных) выводов могут отличаться! Это критически важно.
• Электрическая: Напряжения затвора, рекомендации по драйверам, внутренние индуктивности могут различаться. При замене на модель другого производителя необходима полная перепроверка схемы управления.
• Термическая: Тепловое сопротивление (Rth) и мощность потерь могут отличаться, что требует перерасчета системы охлаждения.

Рекомендация: Для замены в ремонте оптимальным и безопасным выбором является оригинальный модуль FZ3600R17HP4_B2 или его базовая версия FZ3600R17HP4. Для модернизации или при отсутствии оригиналов следует сначала рассматривать современный аналог FZ3600R17KE3 (IGBT7) от Infineon, а затем — аналоги от других производителей, проводя тщательный сравнительный анализ по даташитам.