Infineon FZ600R12KE3

Отличный выбор! Infineon FZ600R12KE3 — это высоконадежный и мощный IGBT-модуль, один из самых популярных в своем классе. Вот подробное описание, характеристики и информация по совместимости.

Описание модуля FZ600R12KE3

FZ600R12KE3 — это двухуровневый IGBT-модуль (Half-Bridge / 2-in-1) третьего поколения (IGBT3, Trench/Fieldstop technology). Он предназначен для построения мощных преобразователей частоты, инверторов, источников бесперебойного питания (ИБП) и систем возобновляемой энергии.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая мощность: Рассчитан на ток 600А и напряжение 1200В, что делает его пригодным для приводов мощностью в сотни кВт.
• Низкие потери: Технология Trench/Fieldstop обеспечивает низкое падение напряжения в состоянии насыщения (Vce_sat) и высокую эффективность переключения.
• Встроенные диоды: Каждый IGBT оснащен антипараллельным диодом с быстрым восстановлением (Emitter Controlled Diode - EC Diode), что позволяет работать в инверторных схемах без необходимости установки внешних диодов.
• Высокая перегрузочная способность: Модуль выдерживает значительные кратковременные перегрузки по току.
• Медно-керамическая изоляция (Al₂O₃ - Alumina): Обеспечивает отличную электрическую изоляцию и эффективный отвод тепла от кристаллов к теплоотводу, а также высокую механическую прочность.
• Встроенный NTC-термистор: Позволяет контролировать температуру модуля для организации защиты от перегрева.
• Основное применение: Промышленные частотные преобразователи, мощные ИБП, тяговые преобразователи, инверторы для солнечной и ветровой энергетики.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (2-in-1) | Два IGBT с антипараллельными диодами | | Коллектор-Эмиттер напряжение | Vces = 1200 В | Максимальное блокирующее напряжение | | Номинальный ток (при Tc=80°C) | Ic = 600 А | Постоянный ток коллектора | | Ток импульсный (макс.) | Icm = 1200 А | Кратковременная перегрузка | | Падение напряжения (Vce_sat) | ~2.35 В (тип.) | При Ic=600A, Vge=15В | | Напряжение насыщения диода | ~2.55 В (тип.) | При If=600A | | Мощность рассеяния | ~2670 Вт | При условии правильного охлаждения | | Температура перехода (макс.) | Tvj max = 150 °C | | | Температура хранения | от -40 до +125 °C | | | Термическое сопротивление | Rth(j-c) = 0.012 К/Вт | На один IGBT+диод | | Входная емкость | Cies = 45 нФ (тип.) | | | Встроенный датчик температуры | NTC-термистор | Сопротивление: 2.5 кОм при 25°C | | Вес | ~ 330 г | | | Монтаж | Винтовое соединение (M6) | Для силовых и управляющих выводов | | Изоляция | Керамическая (Al2O3) | Выдерживает > 4 кВ (системная изоляция) |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

При поиске замены или аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и механическую конструкцию (корпус, расположение выводов). FZ600R12KE3 выполнен в очень распространенном корпусе EconoDUAL™ 3 (ширина модуля ~ 61 мм, высота ~ 140 мм).

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии или новее):

• FZ600R12KE3 (базовая модель, IGBT3)
• FZ600R12KE3G (вероятно, "зеленая" упаковка или незначительная ревизия)
• FZ600R12KE3_H3 (может обозначать версию для конкретного дистрибьютора)
• FZ600R12KS4 (Модуль четвертого поколения IGBT4 (Trench/Fieldstop). Имеет лучшие динамические характеристики и меньшие потери. Часто рекомендуется как модернизация).
• FZ600R12KT4 (Аналог KS4, возможно, с отличиями в характеристиках диода).

2. Совместимые модели от других производителей (в корпусе EconoDUAL™ 3):

Здесь важна полная проверка datasheet, особенно распиновка управляющих выводов!

• SEMIKRON: SKiM600GB12E4 (также IGBT4, очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог).
• Fuji Electric: 2MBI600VXA-120-50 или 2MBI600VA-120-50.
• Mitsubishi Electric: CM600DU-12NFH (более старая серия, требует проверки).
• Hitachi: Не имеет прямого аналога в этой линейке.
• Danfoss Silicon Power: Не является прямым аналогом по корпусу.

3. Кросс-ссылочные номера (в каталогах дистрибьюторов):

Эти номера могут использоваться для поиза на сайтах поставщиков:

• Infineon Order Code: FZ600R12KE3
• Infineon Package: EconoDUAL™ 3

Важные замечания по замене и совместимости:

1. Поколение IGBT: Замена на модуль более нового поколения (например, на FZ600R12KS4 или SKiM600GB12E4) обычно дает преимущества в КПД и может потребовать корректировки драйвера (изменение сопротивления в цепи затвора Rg) для оптимального управления и подавления перенапряжений.
2. Распиновка (Pinout): Несмотря на одинаковый корпус, расположение выводов затвора и эмиттера (контакты 1, 2, 3, 4 на управляющей платформе) может отличаться! Обязательно сверьтесь с монтажной схемой (layout) в даташите перед установкой аналога.
3. Характеристики диода: Параметры встроенного обратного диода (время восстановления, мягкость) влияют на коммутационные потери и ЭМС. Замена на модуль с другими диодами может потребовать настройки.
4. NTC-термистор: Сопротивление и характеристика NTC должны быть проверены, если в системе используется точный тепловой контроль.

Рекомендация: При замене вышедшего из строя модуля идеальным вариантом является использование оригинала (FZ600R12KE3). Если он недоступен, первым кандидатом на замену является модуль того же поколения от Infineon или FZ600R12KS4 / SEMIKRON SKiM600GB12E4. Перед установкой всегда проводите визуальное сравнение распиновки и изучайте раздел Application Notes в даташите нового модуля.