Infineon FZ800R12KS4_B2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для модуля IGBT Infineon FZ800R12KS4_B2.

Общее описание

FZ800R12KS4_B2 — это высоковольтный, высокотоковый IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) в классическом корпусе 62mm (EconoDUAL™ 3). Это один из «рабочих лошадок» Infineon для мощных силовых преобразовательных устройств.

Основное назначение: Применяется в качестве силового ключа в инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП), промышленных приводах, системах возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы) и тяговых преобразователях.

Ключевые особенности:

• Технология IGBT4 (Trench/Field Stop): Обеспечивает оптимальный баланс между низким напряжением насыщения (Vce_sat) и высокими скоростями переключения, что минимизирует потери на проводимость и переключение.
• Корпус EconoDUAL™ 3: Стандартизированный корпус с отличным соотношением мощности к размеру, широко распространен на рынке.
• Встроенный диод (NTC): Модуль содержит терморезистор для контроля температуры основания (подложки), что критически важно для системы защиты и управления охлаждением.
• Высокая надежность: Предназначен для тяжелых промышленных условий эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Класс напряжения (VCES) | 1200 В | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | | Номинальный ток (IC при 100°C) | 800 А | Постоянный ток коллектора при температуре корпуса 100°C | | Ток в импульсе (ICM) | 1600 А | Максимальный импульсный ток (обычно при t<1мс) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2.25 В (тип.) | При IC=800A, VGE=15V. Определяет потери на проводимость. | | Конфигурация чипов | Транзистор + антипараллельный диод | 2 в 1 (полумаост) | | Тип диода | Emitter Controlled 4 (EC4) | Высокоэффективный диод, оптимизированный для работы с IGBT4 | | Макс. рабочая температура перехода (Tvjop) | +150 °C (макс. +175°C) | Рекомендуемая для длительной работы | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.015 К/Вт (тип.) | Сопротивление кристалл-корпус для IGBT | | Индуктивность контура (LS) | < 15 нГн | Низкая внутренняя паразитная индуктивность | | Рекомендуемое напряжение затвора | +15 В / -10 В | Стандартное для включения/выключения и защиты от сбоев | | Монтаж | Винтовое соединение (M6) | Для силовых и управляющих выводов | | Вес | ~ 360 г | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный основной номер Infineon: FZ800R12KS4_B2

Этот модуль имеет несколько вариаций и парт-номеров, которые могут указывать на разные уровни тестирования, упаковку или незначительные ревизии. При поиске на сайтах дистрибьюторов или в спецификациях можно встретить:

• FZ800R12KS4 (базовая версия, часто подразумевает ревизию "_B2" или более раннюю "_B3")
• FZ800R12KS4_B3 (предыдущая ревизия, в основном аналогична по параметрам)
• FZ800R12KS4_C (может обозначать вариант упаковки или лота)

Важно: При замене всегда рекомендуется проверять буквенный суффикс в спецификации производителя оборудования. Модули с суффиксом "_B2" и "_B3" часто являются взаимозаменяемыми, но для гарантии совместимости в критичных применениях лучше уточнять у Infineon.

Совместимые и аналогичные модели

При поиске аналога или замены необходимо учитывать напряжение, ток, корпус, расположение выводов (pinout) и монтажные отверстия.

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же корпусе 62mm):

• FZ800R12KE3 (с технологией IGBT3) — более старая генерация, может требовать корректировки параметров драйвера.
• FZ750R12KS4 (750A, 1200V) — модуль на ступень ниже по току, если нагрузка позволяет.
• FZ600R12KS4 (600A, 1200V) — модуль на две ступени ниже по току.
• Модули серий FZxxxR12KT3, FZxxxR12KP3 — другие модели на 1200В в корпусах разной мощности.

2. Аналоги от других производителей (Second Source):

Многие производители выпускают модули в формате 62mm (EconoDUAL 3), которые являются механическими и электрическими аналогами. Внимание! Перед заменой обязательна проверка даташитов по:

• Распиновке (pinout) управляющих затворов/эмиттеров.
• Толщине и геометрии основания (изолированное или нет).
• Параметрам драйвера (емкость затвора, рекомендуемые резисторы).

Наиболее известные производители и возможные аналоги:

• SEMIKRON:
  • SKM800GB12T4 (IGBT4) — наиболее близкий прямой аналог.
  • SKM800GB12E4
• Fuji Electric:
  • 2MBI800VXB-120-50 (X-Series)
  • Модели серии 2MBI800UXB-120
• Mitsubishi Electric:
  • CM800HB-12S (H-Series)
• Hitachi (ныне часть Mitsubishi):
  • Модули в корпусе 62mm с аналогичными характеристиками.

Важные замечания по замене:

1. Изоляция: Убедитесь, что тип изоляции (например, керамическая DCB подложка) и ее характеристики (напряжение изоляции) соответствуют требованиям схемы.
2. Драйвер: Параметры драйвера (ток заряда/разряда затвора, сопротивление в цепи затвора Rg) должны быть пересчитаны/проверены под конкретный модуль, даже если он является аналогом.
3. Теплоотвод: Геометрия основания (ровность, покрытие) должна обеспечивать качественный тепловой контакт. Рекомендуется использовать новую теплопроводную пасту или пад.

Рекомендация: Для замены в ремонте оптимальным и самым безопасным вариантом является поиск точно такого же парт-номера (FZ800R12KS4_B2). Если это невозможно, то в первую очередь следует рассматривать прямой аналог от SEMIKRON (SKM800GB12T4), а затем — аналоги других брендов с обязательной тщательной сверкой даташитов и, желательно, консультацией со специалистом по силовой электронике.