Infineon FZ800R33KF1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для модуля IGBT Infineon FZ800R33KF1.

Общее Описание

Infineon FZ800R33KF1 — это мощный IGBT-модуль (транзистор с изолированным затвором) второго поколения в классической и надежной конструкции. Он является частью линейки EconoDUAL™ 3 — одного из самых популярных в мире корпусов для средневольтных и силовых приложений.

Модуль представляет собой полумостовую конфигурацию (Half-Bridge / 2-in-1), что означает, что в одном корпусе интегрированы два IGBT и два обратных диода (антипараллельные диоды). Это позволяет легко строить силовые каскады для преобразователей, инверторов и частотных приводов.

Его ключевые преимущества — высокая мощность, отличный баланс между производительностью и стоимостью, а также проверенная временем и широко распространенная технология. Он предназначен для работы на средних частотах переключения (обычно до 8-12 кГц).

Основные Технические Характеристики

В таблице ниже приведены ключевые параметры при температуре корпуса 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единица измерения | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (2-in-1) | — | Включает 2 IGBT и 2 антипараллельных диода | | Корпус | EconoDUAL™ 3 | — | Стандартный 34-выводный корпус | | Класс напряжения | 3300 | В (V_CES) | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | | Номинальный ток | 800 | А (I_C @ 80°C) | Ток коллектора при T_vj=80°C | | Макс. ток (импульсный) | 1600 | А (I_CM) | — | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.35 | В (тип.) | При I_C=800A, V_GE=15В | | Энергия включения (E_on) | ~1300 | мДж (тип.) | Зависит от условий работы | | Энергия выключения (E_off) | ~1100 | мДж (тип.) | Зависит от условий работы | | Напряжение насыщения диода (V_FM) | ~2.1 | В (тип.) | Падение на антипараллельном диоде | | Макс. температура перехода | 150 | °C (T_vj max) | — | | Напряжение затвора (рекоменд.) | ±15 / +15 | В (V_GE) | Стандартное для IGBT | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | ~8.5 | К/кВт (R_th(j-c)) | На один ключ (IGBT+диод) | | Вес | ~310 | грамм | — |

Ключевые особенности:

• Высокая перегрузочная способность: Модуль рассчитан на высокие импульсные токи.
• Низкая индуктивность силовых выводов: Конструкция корпуса EconoDUAL™ 3 минимизирует паразитную индуктивность в силовой цепи.
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры корпуса.
• Изолированная медная основа: Позволяет устанавливать несколько модулей на общий теплоотвод без изоляционных прокладок.

Типичные Применения

Модуль FZ800R33KF1 используется в областях, требующих высоконадежного преобразования энергии:

• Промышленные частотные преобразователи (ЧРП / ASD) для управления электродвигателями средней и высокой мощности.
• Тяговые инверторы для железнодорожного транспорта и электромобилей.
• Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности.
• Сварка (инверторные источники).
• Системы накопления энергии (СНЭ) и преобразователи для солнечной энергетики.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые Модели

Этот модуль имеет прямые или функциональные аналоги у других производителей, а также модули нового поколения от самой Infineon.

1. Прямые аналоги (Drop-in Replacement)

Эти модули имеют идентичные электрические параметры, корпус и расположение выводов. Они являются полной заменой.

• SEMIKRON: SKiM800GB33T4 (в корпусе SEMITOP® 3, который механически и электрически совместим с EconoDUAL™ 3).
• Fuji Electric: 2MBI800VN-330-50 (серия "V-серия", аналог 2-го поколения IGBT).

2. Функциональные аналоги от Infineon (Новое поколение)

Более современные модули от Infineon в том же корпусе. Они предлагают лучшие характеристики (меньшие потери, более высокая частота), но требуют проверки совместимости по выводам и характеристикам затвора.

• Infineon FZ800R33KF2C: Модуль 3-го поколения (IGBT3/Trench Stop). Имеет более низкие потери, но может требовать корректировки драйвера из-за другой емкости затвора.
• Infineon FF800R33KF2C: Модуль с быстрым диодом (EmCon) в обратной ветви. Подходит для приложений, где важны низкие потери на диоде (например, в PFC-каскадах).
• Infineon F3L800R33KF2C_B27: Модуль 4-го поколения (IGBT4). Значительно более высокие частоты переключения и лучшая эффективность. Механически совместим, но электрические параметры и управление отличаются.

3. Функциональные аналоги от других производителей

Модули с похожими параметрами (3300В, 800А) в совместимом или похожем корпусе. Требуют тщательной проверки datasheet.

• Mitsubishi Electric: CM800DU-33NF (в корпусе, аналогичном EconoDUAL™).
• Hitachi (ныне часть Mitsubishi): Модули серии MBN800SG33.

Важное примечание по замене:

При замене FZ800R33KF1 на аналог, особенно на модуль нового поколения, необходимо учитывать:

1. Распиновка: Хотя корпус один, расположение вспомогательных выводов (датчик NTC, затворы, эмиттеры) может незначительно отличаться.
2. Параметры драйвера: Новые поколения IGBT могут иметь другую рекомендуемую отрицательную отсечку затвора (например, -15 В вместо -5 В у старых модулей) и иную емкость.
3. Динамические характеристики: Более быстрые ключи могут создавать больше перенапряжений при выключении, что может потребовать пересмотра снабберных цепей.

Рекомендация: Всегда используйте последнюю версию официального Datasheet от Infineon или производителя-аналога для проведения окончательной проверки на заменяемость и корректировки схемы управления.