Infineon FZH111

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon FZH111.

Общее описание

Infineon FZH111 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS). Его основное предназначение — работа в качестве силового ключа в топологиях типа Flyback (обратноходовый преобразователь) и Forward (прямоходовый преобразователь) на частотах переключения до нескольких сотен кГц.

Главные преимущества технологии CoolMOS™, воплощенные в FZH111:

• Крайне низкое сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)) при заданном напряжении сток-исток. Это минимизирует проводимые потери и нагрев.
• Высокая скорость переключения благодаря низким емкостям, что снижает динамические потери.
• Высокая эффективность и надежность, позволяющие создавать более компактные и холодные блоки питания.

Основные технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые значения при Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единица измерения | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 600 | В | Максимальное рабочее напряжение. | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 1.8 (макс.) | Ом | При Vgs = 10 В, Id = 0.25 А. Ключевой параметр для потерь на проводимость. | | Максимальный постоянный ток стока (Id) | 0.25 | А | При Tc = 25°C. | | Максимальный импульсный ток стока (Idm) | 1.0 | А | Пиковый ток в импульсном режиме. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 | В | Тип. 4.0 В. | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (Vgs) | ±30 | В | Абсолютный максимум. | | Общий заряд затвора (Qg) | 3.5 (тип.) | нКл | Низкое значение, облегчает управление и снижает потери на переключение. | | Время нарастания (tr) | 8.0 (тип.) | нс | Характеризует быстродействие. | | Время спада (tf) | 18 (тип.) | нс | Характеризует быстродействие. | | Корпус | TO-252 (DPAK) | — | Популярный корпус для поверхностного монтажа (SMD) с хорошим отводом тепла. | | Класс применения | CoolMOS™ CE | — | Семейство для экономичных решений с отличным соотношением цена/качество. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно компонент имеет несколько вариантов маркировки в зависимости от производителя и логистических кодов.

• Основной парт-номер Infineon: FZH111
• Полный номер для заказа (Ordering Code): Часто включает информацию о упаковке, например:
  • FZH111TA (на ленте и катушке, стандартная поставка для автоматического монтажа).
• Маркировка на корпусе (SMD Code): На корпусе DPAK обычно наносится короткий код, например, FZH111 или его часть.

Совместимые модели / Прямые аналоги

Прямые аналоги — это транзисторы с максимально близкими характеристиками (напряжение, ток, сопротивление, корпус, распиновка). При замене необходимо сверять datasheet, особенно параметры динамических характеристик (Qg, емкости) и пороговое напряжение.

Наиболее близкие аналоги от других производителей:

1. STMicroelectronics:

   • STP2N60 (600В, 1.8А, Rds(on) ~ 2.5 Ом, TO-220/DPAK) — классический аналог, но технология менее совершенная, чем CoolMOS™.
   • STD2N60 (в корпусе DPAK).
   • Более современные аналоги из серии MDmesh™, например, STD2N60M2 (имеет лучшие динамические характеристики).

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FQP2N60 (600В, 2А, TO-220).
   • FQPF2N60 (в корпусе TO-220F).
   • Из серии SuperFET® или MOSFET HV — требуют подбора по параметрам.

3. Vishay / Siliconix:

   • SiHF2N60E (600В, 2А, DPAK) — аналог по основным статическим параметрам.

4. International Rectifier (IR):

   • IRFBC40 (600В, 6.2А, TO-220) — значительно больший ток, но может работать в схемах, рассчитанных на FZH111, с большим запасом. Требует проверки по управлению затвором.

Важное замечание по совместимости:

• FZH111 принадлежит к специализированному семейству CoolMOS™, которое оптимизировано для работы в квазирезонансных (QR) и широкодиапазонных (wide input) обратноходовых преобразователях.
• При замене на "обычный" MOSFET (например, STP2N60) в такой схеме возможно снижение общей эффективности (КПД) из-за более высоких динамических потерь, даже если статические параметры (Vds, Id, Rds(on)) схожи.
• Рекомендуется искать замену в пределах того же технологического семейства: у Infineon это, например, FZHxx или IPxx серии для похожих применений (IPx60 — серия для промышленных применений).

Типовые области применения

• Импульсные источники питания (SMPS) малой и средней мощности (<100 Вт):
  • Адаптеры для ноутбуков, мониторов, бытовой электроники.
  • Встроенные блоки питания для аудио/видео техники.
  • Вспомогательные источники питания (standby power) в более мощных системах.
• Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) в маломощных сегментах.
• Электронные балласты для освещения.
• Силовые ключи в инверторах и преобразователях постоянного тока.

Вывод: Infineon FZH111 — это высокоэффективный, надежный MOSFET для современных компактных блоков питания. При поиске замены следует отдавать предпочтение современным аналогам от ведущих производителей, обращая внимание не только на "цифры" в даташите, но и на технологию изготовления (CoolMOS™, SuperFET®, MDmesh™ и т.д.).