Infineon IDH10G120C5XKSA1

Отличный выбор! Infineon IDH10G120C5XKSA1 — это высокоэффективный силовой полупроводниковый модуль, один из флагманов в линейке CoolSiC™ MOSFET от Infineon. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

IDH10G120C5XKSA1 — это полный мостовой модуль (Half-Bridge x2) на основе транзисторов SiC MOSFET (карбид кремния) с номинальным напряжением 1200 В и током 10 А (при 25°C). Он предназначен для построения высокочастотных и высокоэффективных импульсных преобразователей, где критичны минимальные потери на переключение и проводимость.

Ключевая особенность: Модуль интегрирует в одном корпусе два независимых полумоста, что позволяет легко строить двухфазные или параллельные схемы, либо использовать его в трёхфазных инверторах (понадобится два таких модуля). Все ключи имеют отдельные выводы для максимальной гибкости управления.

Основные сферы применения:

• Зарядные станции для электромобилей (EV Charging)
• Источники питания серверов и телекоммуникаций (Server PSU)
• Солнечные инверторы (PV Inverters)
• Промышленные приводы (Industrial Drives)
• Системы бесперебойного питания (UPS)

Детальные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация модуля | Half-Bridge x2 (2x полумост) | Два независимых ключа в каждом плече | | Технология | CoolSiC™ MOSFET Gen.5 (C5) | Поколение с оптимизированными характеристиками | | Корпус | EASY 2B | Классический корпус для силовых модулей | | Номинальное напряжение | V_DS = 1200 В | Напряжение сток-исток | | Номинальный ток (постоянный) | I_D@25°C = 10 А | При температуре корпуса 25°C | | Номинальный ток (постоянный) | I_D@80°C = 6.5 А | При температуре корпуса 80°C | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on), typ = 240 мОм | При V_GS=15В, T_j=25°C | | Заряд затвора (полный) | Q_g, typ = 30 нКл | Малое значение, упрощает драйвер | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th), typ = 4.5 В | | | Внутренние диоды | Есть, SiC Body Diode | Высокоскоростные, с малым Q_rr | | Обратный восстановленный заряд (Q_rr) | Очень низкий (порядка 0.1 мкКл) | Ключевое преимущество SiC перед IGBT и Si MOSFET | | Максимальная температура перехода | T_j, max = 175 °C | | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | R_thJC = 1.5 К/Вт | На один полумост (Half-Bridge) | | Рекомендуемое напряжение затвора | Включение: +15В / Выключение: 0...-5В | Стандартно для SiC MOSFET |

Преимущества:

1. Высокая эффективность: Минимальные потери на переключение и проводимость.
2. Высокая частота работы: Позволяет увеличить частоту коммутации (десятки-сотни кГц), уменьшая габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
3. Низкие динамические потери: Практически нулевой заряд обратного восстановления (Q_rr) внутреннего диода.
4. Высокая рабочая температура: До 175°C.
5. Упрощенная схема управления: По сравнению с IGBT не требует сложных схем подавления перенапряжений при выключении (snubber).

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

При поиске аналогов или для замены важно учитывать конфигурацию (2 x Half-Bridge), напряжение (1200В), ток (10А) и технологию (SiC MOSFET).

1. Прямые аналоги и модификации в рамках Infineon CoolSiC™:

• IDH10G120C5 — базовая часть номера. Может встречаться с разными суффиксами, обозначающими корпус, упаковку или версию.
  • IDH10G120C5XKSA1 — полный номер, где XKSA1 указывает на конкретную версию/упаковку.
• Модули той же конфигурации (Half-Bridge x2) и поколения (C5), но на другие токи:
  • IDH06G120C5 — 6А (более слабый)
  • IDH16G120C5 — 16А (более мощный)
  • IDH20G120C5 — 20А (более мощный)
  • IDH30G120C5 — 30А (более мощный)

2. Совместимые / конкурирующие модели от других производителей (аналоги по функции и параметрам):

Поиск аналога требует тщательной проверки распиновки (pin-to-pin compatibility) и характеристик.

• STMicroelectronics:
  • STPSC20H12 — это не модуль, а дискретный диод, полного аналога в модуле 2xHalf-Bridge может не быть. ST часто использует корпуса ACEPACK.
• Wolfspeed (Cree):
  • CAB450M12XM3 — модуль на 1200В, 45А, но в корпусе 62мм. Не является прямым pin-to-pin аналогом, но решает те же задачи.
  • Серия CCSXXXM12CM2 — например, для меньших токов. Требуется проверка конфигурации.
• ROHM Semiconductor:
  • Серия BSMXXXD12P3C007 — например, BSM180D12P3C007 (на 1200В, 180А). ROHM также производит модули в стандартных корпусах, но нужен подбор по конфигурации.
• Microchip (Microsemi):
  • Серия MSCSMXXXAM120CT — силовые модули SiC MOSFET. Требуется поиск по параметрам.
• ON Semiconductor:
  • NVXXXK120MNT1 — дискретные элементы. Аналоги в корпусе EASY 2B от ON Semiconductor могут иметь другую маркировку (например, серия NXV).

Важное предупреждение: Перед заменой на модель другого производителя обязательно необходимо:

1. Сравнить распиновку (pinout) корпуса EASY 2B.
2. Сверить электрические характеристики (R_DS(on), Q_g, V_GS(th)).
3. Проверить рекомендации по схеме управления драйвером (сопротивление в затворе, напряжения).

3. Альтернативные технологии (не SiC, но для тех же применений):

• Si IGBT + Диод: Модули серии IKWXXN120 от Infineon. Дешевле, но частота работы ниже, потери выше. Например, IKW40N120CS6XKSA1.
• Si Superjunction MOSFET: Для напряжений до 600-900В. На 1200В SiC значительно эффективнее.

Где найти информацию:

• Официальная страница продукта на сайте Infineon: Поиск по "IDH10G120C5XKSA1".
• Даташит (Datasheet): Основной документ с полными характеристиками.
• Руководство по применению (Application Note) для CoolSiC™ MOSFET Gen.5: Содержит схемы драйверов, рекомендации по монтажу и расчётам.

Этот модуль представляет собой современное, высокотехнологичное решение для построения эффективных и компактных силовых преобразователей.