Infineon IDH10G65C5XKSA1

Отличный выбор! Infineon IDH10G65C5XKSA1 — это высоковольтный, высокоскоростной IGBT-транзистор с кремниевым диодом в одном корпусе, разработанный для индукционного нагрева и резонансных преобразователей. Вот подробное описание и технические данные.

Описание и назначение

Infineon IDH10G65C5XKSA1 — это часть специализированной серии IDH, расшифровывающейся как Induction Device Highspeed. Ключевые особенности:

• Технология: IGBT 5-го поколения (Trenchstop 5) с мягким и быстрым обратным восстановлением диода (Emitter Controlled 5 Diode - EC5).
• Ключевое преимущество: Оптимизирован для работы в резонансных схемах (ZCS - Zero Current Switching и ZVS - Zero Voltage Switching), где критически важны низкие коммутационные потери, особенно при выключении (tail current).
• Основное применение:
  • Системы индукционного нагрева (промышленные плавильные печи, закалка, пайка).
  • Резонансные преобразователи мощности (LLC, серия-резонансные инверторы).
  • Ультразвуковые генераторы.
• Корпус: TO-247, что обеспечивает хороший отвод тепла и удобство монтажа.

Технические характеристики (кратко)

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 650 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @ 100°C): 20 А
• Ток коллектора (импульсный, I_CP): 40 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat) тип.): 1.7 В (при I_C=10A)
• Общие потери на переключение (E_ts тип.): 1.45 мДж (при I_C=10A, V_CC=400V) — ключевой параметр для эффективности в резонансе.
• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC): 0.65 К/Вт
• Максимальная температура перехода (T_J): +175 °C
• Встроенный диод: Быстрый антипараллельный диод (EC5) с мягким восстановлением.

Полные технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 650 В | | | Ток коллектора (непрерывный) | I_C | 20 А | T_C = 100°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CP | 40 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1.7 В (тип.) | I_C = 10 А, V_GE=15 В | | Общая энергия переключения | E_ts | 1.45 мДж (тип.) | I_C = 10 А, V_CC = 400 В, T_j=150°C | | Энергия обратного восстановления диода | E_rr | 0.65 мДж (тип.) | I_F = 10 А, di_F/dt = 400 A/µs, T_j=150°C | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | R_thJC | 0.65 К/Вт | | | Температура перехода | T_j | -55 ... +175 °C | | | Температура хранения | T_stg | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот компонент может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки, маркировки или партии. Основные парт-номера для IDH10G65C5XKSA1:

• SP001384759 — внутренний номер Infineon для заказа.
• На самой детали может быть нанесена маркировка: IDH10G65C5 или ее сокращение.

Совместимые и аналогичные модели (прямые и функциональные аналоги)

При замене необходимо учитывать не только электрические параметры, но и оптимизацию для резонансных схем.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии IDH):

• IDH10G65C5 — базовая модель, тот же чип, может отличаться только упаковкой/маркировкой.
• IDH08G65C5 — аналог на 15А (меньший ток).
• IDH15G65C5 — аналог на 30А (больший ток).
• IDH20G65C5 — аналог на 40А (еще больший ток).
• IDH10G120C5 — модель на 1200В для сетей 3-фазного 380В.

2. Функциональные аналоги от других производителей (для резонансных схем):

Поиск следует вести по параметрам: Vces=600-650В, Iс=20-25А, низкие коммутационные потери (Ets), корпус TO-247. Конкретные серии, оптимизированные для ZVS/ZCS:

• STMicroelectronics: Серия STGW или SGH (например, SGH20N60C3FD, но необходимо проверять графики потерь).
• Fuji Electric: Серия H-серии или R-серии для мягкого переключения.
• ON Semiconductor: Модели из серий NGT или FGH (например, FGH20T65SHD).
• Mitsubishi Electric: Серия CM или SM.

Важное предупреждение: Перед заменой на аналог от другого производителя обязательно необходимо:

1. Сравнить ключевые параметры: V_CE(sat), E_ts, E_rr.
2. Проверить характеристики встроенного диода.
3. Свериться с разводкой выводов (pinout) корпуса TO-247, она может отличаться!
4. Учесть рекомендации по драйверу затвора (требуемые V_GE, заряды).

Вывод

Infineon IDH10G65C5XKSA1 — это специализированный, высокоэффективный IGBT для требовательных применений в индукционном нагреве и резонансных преобразователях. Его главные козыри — низкие коммутационные потери 5-го поколения и мягкий встроенный диод, что напрямую влияет на КПД и надежность всего инвертора. При замене предпочтительнее выбирать модели из той же серии IDH от Infineon.