Infineon IDM08G120C5XTMA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon IDM08G120C5XTMA1.

Общее Описание

Infineon IDM08G120C5XTMA1 — это интегрированный силовой модуль в компактном корпусе DSO-8 (TO-252, DPAK), который объединяет в одном корпусе высоковольтный MOSFET-транзистор и ультрабыстрый диод в одной сборке (Co-Pack). Он является частью линейки CoolMOS™ C7 Gold (G7) от Infineon, разработанной для обеспечения высочайшей эффективности в жёстких коммутационных приложениях.

Ключевая идея: Этот модуль заменяет классическую схему из отдельного MOSFET и внешнего диода (часто диода Шоттки), предлагая оптимизированное, компактное и более эффективное решение. Это особенно критично в схемах с индуктивной нагрузкой, где путь обратного тока (через диод) является таким же важным, как и путь прямого тока (через транзистор).

Основные Технические Характеристики

| Параметр | Значение | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | | Семейство технологии | CoolMOS™ C7 Gold (G7) | Оптимизированы для высокой эффективности и надёжности. | | Корпус | DSO-8 (TO-252-3, DPAK) | Компактный, для поверхностного монтажа (SMD). | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | Высоковольтная серия для работы от сетей 400В, PFC-каскадов, ИБП. | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.80 Ом (макс.) при V_GS=10 В, I_D=1.3 А | Низкое сопротивление для минимизации прямых потерь. | | Прямой ток стока (I_D) при T_C=25°C | 3.4 А | Непрерывный ток через транзистор. | | Импульсный ток стока (I_DM) | 13.6 А | Пиковый ток. | | Встроенный диод | Ультрабыстрый кремниевый диод (Si) | Не диод Шоттки. Имеет прямое напряжение V_SD ~1.7 В. | | Обратный восстановленный заряд диода (Q_rr) | 0.23 мкКл (тип.) | Крайне низкий заряд, что резко снижает коммутационные потери и помехи при выключении. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный уровень для управления. | | Заряд затвора (Q_g) | 9.5 нКл (тип.) | Низкий заряд упрощает управление и снижает потери на переключение. | | Макс. температура перехода (T_J) | +175 °C | Широкий температурный диапазон. | | Класс применения | Жёсткое переключение (Hard Switching) | Оптимизирован для самых требовательных приложений. |

Преимущества и Типичные Применения

Преимущества:

1. Высокая эффективность: Низкие значения R_DS(on) и Q_g минимизируют потери на проводимость и переключение.
2. Высокая надёжность в жёстком переключении: Ультранизкий Q_rr встроенного диода предотвращает опасные выбросы напряжения и снижает тепловыделение.
3. Экономия места (PCB area): Два компонента в одном корпусе.
4. Упрощение схемы и монтажа: Меньше компонентов, выше надёжность системы.
5. Улучшенная стойкость к dv/dt: Технология G7 обеспечивает стабильную работу.

Типичные применения:

• Корректор коэффициента мощности (PFC): Критически важное применение, где низкий Q_rr диода является ключевым фактором.
• Импульсные источники питания (SMPS): Особенно в топологиях Flyback, Forward для промышленных и телекоммуникационных сетей (~400 В).
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Промышленные приводы и инверторы малой мощности.
• Схемы управления индуктивной нагрузкой.

Парт-номера и Совместимые / Альтернативные Модели

Прямые аналоги и парт-номера Infineon:

Модель IDM08G120C5XTMA1 является уникальной комбинацией конкретного MOSFET и диода. Ближайшие аналоги в том же корпусе и с тем же напряжением, но с другими параметрами R_DS(on) и током:

• IDM06G120C5 — сопротивление 0.60 Ом, ток 4.2 А (более мощный).
• IDM10G120C5 — сопротивление 1.00 Ом, ток 2.7 А (менее мощный).
• IPP08G120C5 — Точно такая же кремниевая матрица, но в корпусе TO-220 (THT). Это сквозной монтажный аналог.

Совместимые / Конкурентные модели от других производителей:

Прямых 100% аналогов с таким же Co-Pack от других брендов может не быть. Однако, для замены в схеме можно рассмотреть следующие варианты, но требуется проверка по datasheet и возможная доработка цепи управления:

1. STMicroelectronics: Модели из серии MDmesh™ K5 с отдельным быстрым диодом. Прямого аналога Co-Pack может не быть.
2. ON Semiconductor: Модели из серий SuperFET® III или Fast Recovery FET (FRFET). Некоторые FRFET являются аналогами (например, FCPF10N60F), но с другими параметрами и, как правило, на 600 В.
3. Texas Instruments: Силовые MOSFET в корпусе DPAK.
4. Alpha & Omega Semiconductor (AOS): Модели серии αMOS7 с высоким напряжением.

Важное замечание по замене: При поиске замены необходимо обращать внимание не только на V_DSS=1200В и R_DS(on), но и на наличие встроенного диода и его ключевой параметр Q_rr. Замена на обычный MOSFET без диода потребует добавления внешнего диода, что изменит компоновку платы.

Вывод

Infineon IDM08G120C5XTMA1 — это специализированное, высокоэффективное решение для построения компактных и надежных высоковольтных преобразователей, где важны минимальные коммутационные потери и простота конструкции. Его использование оправдано в промышленных и телекоммуникационных источниках питания средней мощности, особенно в PFC-каскадах.