Infineon IDP08E65D1

Отличный выбор! Infineon IDP08E65D1 — это высокоэффективный силовой транзистор в популярном корпусе TO-252 (DPAK), относящийся к современному семейству CoolMOS™ P7. Он предназначен для построения высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Краткое описание

IDP08E65D1 — это N-channel MOSFET с технологией Superjunction, разработанный для работы в качестве ключа в схемах с жестким переключением (hard switching), таких как:

• Импульсные источники питания (SMPS): PFC-каскады (корректор коэффициента мощности), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и обратноходовые топологии.
• Инверторы и приводы двигателей (в маломощных сегментах).
• Преобразователи для освещения (LED драйверы).
• DC-DC преобразователи.

Ключевые преимущества семейства CoolMOS™ P7:

• Очень низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при малой площади кристалла, что снижает проводимые потери.
• Высокая скорость переключения благодаря низким емкостям, что уменьшает динамические потери.
• Оптимизированное качество переключения (Qrr, Eoss) для снижения потерь при переключениях, особенно в PFC-схемах.
• Высокая эффективность и плотность мощности, позволяющая делать блоки питания компактнее.
• Высокая надежность и стойкость к перегрузкам.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-channel MOSFET, Superjunction (CoolMOS™ P7) | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Пластиковый, с теплоотводящей площадкой | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 650 В | Основное рабочее напряжение | | Постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 8.5 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 34 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.38 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 4.3 А, TJ = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.5 В | Тип. 3.8 В | | Заряд затвора (Qg) | ~22 нКл (тип.) | При VGS = 10 В, VDS = 400 В | | Обратный восстановленный заряд (Qrr) | ~0.65 мкКл (тип.) | Низкое значение, важно для PFC | | Энергия включения (Eoss) | ~12.5 мкДж (тип.) | Низкое значение, снижает потери | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | ~50 Вт | Зависит от условий охлаждения | | Диапазон рабочих температур перехода (TJ) | от -55 °C до +150 °C | |

Важные примечания:

• Для надежного открытия затвора рекомендуется напряжение VGS = 10 В (стандартное для большинства драйверов).
• Рабочий ток в реальной схеме сильно зависит от условий охлаждения, частоты переключения и топологии.
• Обязательно использование радиатора или достаточной площади медной полигона на печатной плате для отвода тепла.

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Этот транзистор может встречаться под разными маркировками в зависимости от упаковки и производителя. Прямые функциональные аналоги и совместимые модели подбираются по ключевым параметрам: 650В, ~8-10А, RDS(on) ~0.3-0.5 Ом, корпус TO-252.

1. Прямые аналоги от Infineon (тот же кристалл, другая маркировка/упаковка):

• IPD08E65D1 — аналог в корпусе TO-251 (IPAK). Электрически идентичен, отличается формой выводов.
• IPP08E65D1 — аналог в корпусе TO-220. Для монтажа на внешний радиатор, выдерживает больший ток за счет лучшего охлаждения.

2. Ближайшие аналоги от Infineon (соседние по линейке P7 в том же корпусе):

• IDP06E65D1 — 650В, 6.7А, RDS(on) = 0.55 Ом (менее мощный).
• IDP10E65D1 — 650В, 10.5А, RDS(on) = 0.29 Ом (более мощный).
• IDP08E65D1XKSA1 — полное коммерческое обозначение для заказа.

3. Совместимые модели / конкуренты от других производителей:

При поиске замены важно сверяться не только с электрическими параметрами, но и с распиновкой корпуса и динамическими характеристиками (Qg, Qrr).

• STMicroelectronics:
  • STF8N65M5 (MDmesh™ M5) — 650В, 7.2А, RDS(on) = 0.45 Ом.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP8N65 — 650В, 8А, RDS(on) = 0.45 Ом.
• Power Integration (в составе их систем в корпусе DIP-8):
  • Не является прямым аналогом, но используется в схожих применениях.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP8N65-15 — 650В, 8А, RDS(on) = 0.45 Ом.

Рекомендация по замене: Перед заменой в обязательном порядке необходимо:

1. Скачать и сравнить даташиты обоих компонентов.
2. Обратить внимание на различия в емкостях затвора (Ciss, Coss, Crss) и заряде затвора (Qg), это может потребовать корректировки драйвера затвора.
3. Проверить максимальный импульсный ток (IDM) и заряд восстановления диода (Qrr), если схема критична к этим параметрам (PFC, мостовые схемы).

Вывод: Infineon IDP08E65D1 — это современный, эффективный и надежный MOSFET, отлично подходящий для построения компактных и эффективных блоков питания мощностью примерно до 150-250Вт. При правильном теплоотводе он показывает отличные характеристики.