Infineon IDV15E65D2

Отличный выбор! Infineon IDV15E65D2 — это высокоэффективный силовой полупроводниковый прибор, широко используемый в импульсных источниках питания. Вот подробное описание и технические данные.

Описание

IDV15E65D2 — это MOSFET-транзистор с ультарнизким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) в корпусе TO-252 (DPAK). Ключевые особенности, которые делают его популярным:

• Супер-Junction технология (CoolMOS™): Разработка Infineon, которая обеспечивает исключительно низкие потери на проводимость и переключение, что позволяет создавать более эффективные и компактные блоки питания.
• Высокое напряжение сток-исток (VDS): 650В. Это делает его пригодным для работы в сетях 85-265В (входное выпрямленное напряжение ~400В) с хорошим запасом прочности.
• Низкое RDS(on): Всего 0.19 Ом (при 10В на затворе). Минимизирует нагрев при передаче больших токов.
• Быстрое переключение: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss), что снижает динамические потери.
• Корпус DPAK: Один из самых распространенных SMD-корпусов для силовых ключей, обеспечивающий хороший отвод тепла через контактную площадку на печатной плате.

Основное применение:

• Импульсные источники питания (SMPS) малой и средней мощности (до 200-300Вт): зарядные устройства, блоки питания для бытовой электроники, ПК, серверов.
• PFC-каскады (корректор коэффициента мощности).
• Обратноходовые (Flyback) и прямоходовые (Forward) преобразователи.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 650 В | - | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.19 Ом | V_GS = 10 В, I_D = 7.5 А | | | | 0.23 Ом | V_GS = 4.5 В, I_D = 5 А | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | 15 А | При T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока | I_DM | 60 А | - | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.8 - 3.8 В | I_D = 250 мкА | | Общий заряд затвора | Q_g | 45 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Выходная емкость | C_oss | 110 пФ (тип.) | V_DS = 25 В | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 74 Вт | При T_C = 25°C | | Диапазон рабочей температуры p-n перехода | T_J | от -55 до +150 °C | - | | Тип корпуса | - | TO-252-3 (DPAK) | SMD, с контактной площадкой |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор производится Infineon, но может встречаться под разными маркировками в зависимости от упаковки или логистических цепочек. Основной номер — IDV15E65D2.

Также к этой же самой детали относятся:

• SPP15N65C3 (более старое обозначение от Infineon, может встречаться на рынке).
• На корпусе обычно нанесена маркировка: IDV15E65D2 или укороченный вариант.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

При поиске замены или аналога важно смотреть на основные параметры: V_DSS ≥650В, I_D ≥15А, низкое R_DS(on) и корпус TO-252 (DPAK).

Прямые или очень близкие аналоги (сопоставимые по ключевым параметрам):

| Производитель | Модель | V_DSS | I_D | R_DS(on) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STF15N65M2 | 650 В | 15 А | 0.19 Ом | Очень близкий аналог, популярен | | ON Semiconductor | FDPF15N65NZ | 650 В | 15 А | 0.19 Ом | Прямой конкурент | | Fairchild/ON Semi | FCP15N65NZ | 650 В | 15 А | 0.19 Ом | SuperFET, аналог | | Vishay/Siliconix | SUD15N65-2 | 650 В | 15 А | 0.19 Ом | - | | Power Integration | - | - | - | - | Используют в своих сборках, но не продают отдельно |

Аналоги с улучшенными параметрами (более низкое R_DS(on)):

• Infineon IPD15N65S2 (0.12 Ом) — более новая серия, эффективнее.
• STMicroelectronics STF15N65M5 (0.13 Ом).

Аналоги с немного другими параметрами (всегда проверяйте схему!):

• 12N65 / 13N65 / 14N65 — транзисторы на меньший ток (12-14А), могут работать в том же посадочном месте, но с большим нагревом при полной нагрузке.
• 18N65 / 20N65 — транзисторы на больший ток (18-20А), как правило, с чуть большим R_DS(on), но лучшим запасом по току. Физически совместимы по корпусу.

Важное предупреждение при замене:

Перед заменой всегда необходимо:

1. Проверить распиновку (pinout) корпуса. У большинства DPAK она стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но бывают исключения.
2. Убедиться, что динамические параметры (особенно заряды Qg, Qgd) не радикально отличаются, так как это может повлиять на работу драйвера и привести к перегреву или пробою. Прямые аналоги из списка выше, как правило, безопасны для замены.

Таким образом, Infineon IDV15E65D2 — это надежный и эффективный "рабочий" транзистор для силовой электроники, имеющий множество аналогов на рынке.