Infineon IGW30N60H3

Отличный выбор! IGW30N60H3 — это очень популярный и надежный силовой транзистор от Infineon. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание

IGW30N60H3 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TRENCHSTOP™ IGBT 3. Это гибридное устройство, сочетающее в себе простоту управления затвором, характерную для MOSFET, и высокую плотность тока и низкое напряжение насыщения (Vce(sat)) классического IGBT.

Ключевая идея и преимущества: Он создан для высокочастотных ключевых применений (например, инверторы, ИБП, сварочное оборудование). По сравнению с обычными IGBT предыдущих поколений, IGW30N60H3 имеет значительно более высокую скорость переключения и меньшие потери на переключение (Eon/Eoff), что позволяет работать на частотах в десятки кГц. По сравнению с MOSFET на аналогичное напряжение, он имеет меньшее падение напряжения в открытом состоянии при высоких токах.

Основная сфера применения:

• Источники сварочного тока (инверторные сварочные аппараты)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Частотные преобразователи (ЧП) малой и средней мощности
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления двигателями

Технические характеристики

Здесь приведены ключевые параметры при комнатной температуре (25°C), если не указано иное.

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES = 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток коллектора | I_C = 30 А | При T_c = 25°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM = 60 А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения | V_CE(sat) = 1.65 В | Типовое, при I_C=30A, V_GE=15В | | Падение напряжения на диоде | V_EC = 1.5 В | Типовое, при I_E=30A | | Энергия включения | E_on = 0.55 мДж | При I_C=30A, V_CE=400В, R_G=2.2 Ом | | Энергия выключения | E_off = 0.35 мДж | При I_C=30A, V_CE=400В, R_G=2.2 Ом | | Напряжение затвор-эмиттер | V_GE = ±20 В | Максимальное (рабочее обычно +15В/-5...-15В) | | Заряд затвора | Q_g = 63 нКл | Общий заряд, влияет на требования к драйверу | | Тепловое сопротивление | R_thJC = 0.75 °C/Вт | Корпус-кристалл (критично для расчета радиатора) | | Температура перехода | T_j = -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая +150°C | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный 3-выводной корпус |

Part-номера (артикулы) и упаковки

• IGW30N60H3 — основной номер детали.
• Часто поставляется на катушках или в антистатических трубках. Уточняемый суффикс может указывать на упаковку (например, Tape & Reel).

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены важно смотреть не только на электрические параметры (Vces, Ic), но и на динамические (Eon/Eoff, Qg) и тип технологии.

1. Прямые аналоги от Infineon (тот же кристалл, схожие характеристики):

• IKW30N60H3 — практически тот же транзистор, но в корпусе TO-247 Plus (с выводами увеличенного сечения для лучшего отвода тока и тепла). Является рекомендуемой модернизацией для новых разработок.
• IGW30N60T — более старая модель из предыдущего поколения IGBT. Имеет бóльшие потери на переключение.
• IGW30N60H3 в корпусе TO-247 — это базовая версия.

2. Аналоги от других производителей (функциональные замены):

Нужно внимательно сравнивать даташиты, особенно параметры драйвера затвора и динамические характеристики.

| Производитель | Модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Fairchild / ON Semiconductor | FGH30N60LSD | N-канальный MOSFET, 600В, 30А. Внимание: Это чистый MOSFET, другая логика управления (только +V на затвор) и характеристики. Может потребовать пересчета драйвера. | | STMicroelectronics | STGW30H60DF | IGBT с быстрым диодом, 600В, 30А. Хороший функциональный аналог по технологии. | | IXYS | IXGH30N60BD1 | Быстрый IGBT, 600В, 30А. | | Vishay | IRG4PH30UD | Старый, но популярный IGBT в аналогичных применениях. Параметры хуже. |

3. Важные замечания по совместимости:

• Технология: Замена обычным IGBT (например, старыми IRG4PC40U) может привести к перегреву и выходу из строя на высоких частотах из-за больших потерь на переключение.
• Драйвер затвора: Напряжение управления IGW30N60H3 стандартное: +15В для открытия, -5...-15В для надежного закрытия. При замене на MOSFET (которому обычно не нужно отрицательное напряжение) схему драйвера нужно пересматривать.
• Корпус: Аналог в корпусе TO-3P (например, STGW30H60DF в корпусе TO-247) часто является механически и электрически совместимой заменой. TO-247 Plus (IKW...) также совместим по посадочному месту, но имеет более толстые выводы.

Рекомендация: При замене в ремонте, если стоял IGW30N60H3, лучшим выбором будет он же, либо IKW30N60H3. При новой разработке стоит рассмотреть более новые серии, например, IKW40N65H5 (650В, 40А, 5-е поколение) или аналоги с еще более высокими характеристиками. Всегда сверяйтесь с актуальными даташитами.