Infineon IGW30N60TP

Infineon IGW30N60TP
Артикул: 563762

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IGW30N60TP

Отличный выбор! IGW30N60TP — это очень популярный и надежный транзистор от Infineon. Вот подробное описание, характеристики и информация о совместимости.


Краткое описание

IGW30N60TP — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247. Он принадлежит к третьему поколению (TrenchStop 3) IGBT от Infineon, что обеспечивает оптимальный баланс между низким напряжением насыщения (Vce(sat)), высокой перегрузочной способностью и отличной устойчивостью к коротким замыканиям.

Ключевые преимущества:

  • Высокое напряжение: 600 В — идеально для работы в сетях 220/380 В.
  • Низкие потери проводимости: Благодаря технологии TrenchStop.
  • Встроенный ультрабыстрый обратный диод (FWD): Упрощает схемотехнику и улучшает работу в инверторных и импульсных схемах.
  • Высокая перегрузочная способность: До 120 А при коротком замыкании (SC).
  • Прямое подключение к драйверам: Оптимизирован для работы с современными драйверами микроконтроллеров.

Основные области применения:

  • Силовые инверторы (в т.ч. для солнечной энергетики)
  • Сварочные аппараты (инверторные)
  • Приводы двигателей переменного тока (частотные преобразователи)
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Индукционные нагреватели

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение (Vces) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (Ic) при 100°C | 30 А | При температуре корпуса 100°C | | Импульсный ток коллектора (Icp) | 60 А | Максимальный импульсный ток | | Ток короткого замыкания (Isc) | 120 А (тип.) | Длительность до 10 мкс | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | 1,75 В (тип.) @ Ic=30A | Низкое падение напряжения в открытом состоянии | | Энергия включения (Eon) | 0,95 мДж (тип.) | Параметр для расчета динамических потерь | | Энергия выключения (Eoff) | 0,35 мДж (тип.) | Параметр для расчета динамических потерь | | Пороговое напряжение затвора (Vge(th)) | 5,5 В (тип.) | Стандартное для IGBT | | Рабочая температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная +175°C | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0,65 К/Вт | Чем меньше, тем лучше теплоотвод | | Тип корпуса | TO-247 | Стандартный, удобный для монтажа на радиатор | | Встроенный диод | Есть | Ультрабыстрый, обратного восстановления |


Парт-номера и прямые аналоги

Парт-номер Infineon:

  • SP000000001 — это внутренний код, но основной коммерческий номер — именно IGW30N60TP.

Прямые аналоги и совместимые модели (с максимально близкими параметрами):

1. От Infineon (разные поколения/линейки):

  • IGW30N60H3 — более новая модель из поколения H3. Имеет улучшенные динамические характеристики. Часто является рекомендуемой заменой.
  • IGW30N60T — модель без встроенного диода. Внимание! Неполная совместимость, требуется внешний диод.
  • IKW30N60T — в корпусе TO-247 Plus (немного другие размеры выводов). Электрически близок.

2. От других производителей (проверенные аналоги):

  • STMicroelectronics: STGW30N60M2, STGW30N60DF2 (с диодом). Очень популярные и доступные аналоги.
  • Fairchild/ON Semiconductor: FGH30N60LSD, FGH30N60SFD (с диодом).
  • IXYS: IXGH30N60B3D1.
  • Vishay: IRG4PH30UDPBF.

3. Аналоги в других корпусах (электрически совместимые, но с другой распиновкой/охлаждением):

  • IGW30N60TP в TO-247 — это базовая версия.
  • IGW30N60TP в TO-262 (меньший корпус, для менее мощных решений).

Важные замечания по замене и совместимости

  1. Ключевые параметры для проверки: При замене обязательно сверяйте:

    • Vces (600 В)
    • Ic при нужной температуре (30А @ 100°C)
    • Наличие встроенного диода (суффикс "D" или "FP" у многих производителей).
    • Напряжение насыщения Vce(sat) — влияет на нагрев.
    • Динамические параметры (Eon/Eoff) — особенно важны для высокочастотных схем.
  2. Поколения IGBT: Модели "T", "H3", "M2" относятся к разным технологическим поколениям. Более новые обычно лучше, но в некоторых старых схемах может потребоваться корректировка драйвера (особенно резистора в затворе Rg).

  3. Перед заменой всегда изучайте datasheet конкретного аналога и сравнивайте ключевые характеристики с оригиналом в контексте вашей схемы.

Вывод: IGW30N60TP — это эталонный, проверенный временем компонент для мощных импульсных устройств на 600В. На рынке существует множество его прямых и полных аналогов от ведущих производителей, что делает его замену и поиск беспроблемными.

Товары из этой же категории