Infineon Igw50n60h3fksa1

Отличный выбор! IGW50N60H3FKSA1 — это высоковольтный, высокоскоростной транзистор IGBT с кремниевым диодом в одном корпусе (co-pack), разработанный Infineon для требовательных применений, где важны эффективность и надежность.

Полное описание

IGW50N60H3FKSA1 — это IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) третьего поколения (TrenchStop™ 3) в корпусе TO-247. Ключевая особенность — встроенный антипараллельный диод с мягким и быстрым восстановлением (Emitter Controlled 3 Diode - EC3D). Это делает его идеальным для схем, где требуется обратный путь для тока (например, в мостовых инверторах).

Основное назначение: Преобразование энергии в импульсных режимах с высокой частотой переключения. Типичные применения:

• Инверторы для сварочных аппаратов
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы двигателей (частотные преобразователи)
• Системы плазменной резки
• Индукционные нагреватели

Преимущества технологии TrenchStop™ 3 и диода EC3D:

• Низкие потери проводимости (V_CE(sat)): Высокая эффективность в открытом состоянии.
• Низкие потери переключения: Быстрое включение/выключение, что позволяет работать на повышенных частотах.
• Мягкая характеристика диода: Значительно снижает выбросы обратного восстановления (Reverse Recovery - trr, Qrr), что уменьшает электромагнитные помехи (EMI) и нагрузку на соседние компоненты.
• Высокая стойкость к короткому замыканию (SCWT): 5 мкс при 400 В, что повышает надежность системы.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES = 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток коллектора (непрерывный) | I_C = 50 А | При T_c = 25°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM = 100 А | - | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) = 1.75 В (тип.) | При I_C = 50 А, V_GE = 15 В | | Падение напряжения на диоде | V_F = 1.9 В (тип.) | При I_F = 50 А | | Энергия включения (E_on) | 2.0 мДж (тип.) | При I_C = 50 А, V_CC = 400 В | | Энергия выключения (E_off) | 0.45 мДж (тип.) | При I_C = 50 А, V_CC = 400 В | | Заряд обратного восстановления диода (Q_rr) | 0.60 мкКл (тип.) | При I_F = 50 А, di/dt = 400 A/µs | | Напряжение затвор-эмиттер | V_GE = ±20 В (макс.) | Стандартное управление: +15В / -5...-15В | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC = 0.45 К/Вт | - | | Температура перехода | T_J = -55 ... +175 °C | Максимальная +175°C | | Корпус | TO-247 | С изолированным фланцем (Isolated) |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки, маркировки или логистических кодов.

• Основной заказной номер: IGW50N60H3FKSA1
• Также может обозначаться: IGW50N60H3 (сокращенно, без суффикса упаковки)
• Код на корпусе: Обычно наносится как W50N60H3

Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога важно смотреть не только на вольт-амперные характеристики (600В / 50А), но и на технологию (TrenchStop 3 + диод EC3D) и динамические параметры (E_on/E_off, Q_rr).

Прямые аналоги от Infineon (в той же серии):

• IGW40N60H3FKSA1 — менее мощный (40А), все остальные параметры идентичны.
• IGW75N60H3FKSA1 — более мощный (75А), в корпусе TO-247.
• Серия IKW... (например, IKW50N60H3) — тот же кристалл, но в корпусе TO-247 Plus (с увеличенными выводами для лучшего теплоотвода).

Функциональные аналоги от других производителей (требуется проверка по даташиту!):

• STMicroelectronics: Серия STGW или IHW (например, STGW50H60DF, IHW50N60R3). Нужно искать модели со встроенным диодом.
• Fuji Electric: Серия 2MBi (например, 2MBI50N-060).
• ON Semiconductor: Серия NGTB или FGH (например, NGTB50N60FLWG, FGH50N60SMD).
• IXYS (Littelfuse): Серия IXGH или IXGX.

ВАЖНО: Перед заменой обязательно сверяйтесь с даташитами, особенно разделы:

• Распиновка (pinout) корпуса.
• Характеристики диода (V_F, Q_rr, t_rr).
• Зависимости ключевых параметров от температуры и тока.
• Рекомендуемые параметры драйвера затвора.

IGW50N60H3FKSA1 является сбалансированным и популярным решением, предлагающим отличный компромисс между эффективностью, скоростью и стоимостью для мощных преобразователей средней частоты.