Infineon IGW60N60H3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IGW60N60H3.

Общее описание

IGW60N60H3 — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в одном корпусе. Он принадлежит к семейству TRENCHSTOP™ 5 H3, разработанному Infineon для достижения оптимального баланса между низкими потерями проводимости (Vce_sat) и низкими коммутационными потерями.

Ключевая идея: Этот транзистор создан для высокочастотных импульсных преобразователей, где важны эффективность и снижение электромагнитных помех. Он является отличной современной заменой для более старых поколений IGBT и часто используется там, где MOSFET-ы на аналогичное напряжение становятся неэффективными из-за высоких потерь проводимости.

Основные области применения:

• Источники сварочного тока (инверторные сварочные аппараты)
• Импульсные блоки питания (SMPS), особенно в мощных сегментах
• Системы бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы двигателей (частотные преобразователи)
• Системы индукционного нагрева

Технические характеристики

Приведены типовые/максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 | В | Класс напряжения | | Ток коллектора (при 100°C) | I_C @100°C | 60 | А | Непрерывный ток, зависит от температуры | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 120 | А | Пиковый кратковременный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1.7 (тип.) | В | При I_C=60A, V_GE=15В. Ключевой параметр низких потерь. | | Падение на диоде | V_F @I_F=60A | 1.9 (тип.) | В | Прямое падение на внутреннем антипараллельном диоде | | Энергия включения | E_on | 1.3 (тип.) | мДж | При I_C=60A, V_CC=400В. Низкие коммутационные потери. | | Энергия выключения | E_off | 0.55 (тип.) | мДж | При I_C=60A, V_CC=400В. Очень низкие потери на выключение. | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 5.3 (тип.) | В | Минимальное напряжение для открытия | | Рекомендуемое напряжение затвора | V_GE | ±15 / ±20 | В | Стандартное для работы. Максимум ±20В! | | Общий заряд затвора | Q_g | 170 (тип.) | нКл | Влияет на требования к драйверу | | Тепловое сопротивление кристалл-корпус | R_thJC | 0.5 | °C/Вт | Важно для расчета системы охлаждения | | Температура перехода | T_j | -55 до +175 | °C | Максимальная рабочая +150°C | | Корпус | - | TO-247 | - | Стандартный мощный 3-выводной корпус |

Особенности семейства TRENCHSTOP™ 5 H3:

• Оптимизация для частот 8-40 кГц: Идеальный баланс Vce_sat и Eoff.
• Прямая замена для предыдущих поколений: Позволяет повысить КПД или частоту коммутации в существующих разработках.
• Высокая стойкость к перенапряжениям: Хорошая способность к работе вне области безопасной работы (RBSOA).

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

При поиске аналогов или замены важно учитывать не только основные параметры (600В, 60А), но и динамические характеристики (Eon/Eoff) и корпус.

Прямые аналоги и аналогичные модели от Infineon:

• IGW60N60H3 (основная модель, TO-247)
• IKW60N60H3 (аналогичные характеристики, но в корпусе TO-247 Plus, часто имеет чуть лучшее тепловое сопротивление)
• IGW60N60T (из предыдущего поколения TRENCHSTOP™ 4, может иметь чуть более высокие потери)
• IGW60N60H3FKSA1 – это полный порядковый номер, который может включать информацию о упаковке (катушка/трубка) и производственной партии.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей:

При замене необходимо сверяться с даташитом и проверять распиновку, характеристики драйвера и динамические параметры в вашей схеме.

| Производитель | Модель | Серия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STGW60H65DFB | Прямой конкурент, аналогичный класс H3, также 600В/60А, TO-247. | | Fuji Electric | 2MBI60N-060 (модуль) | Для модульных решений. Для дискретного аналога нужно искать в сериях N-series. | | ON Semiconductor | FGH60N60SMD | Ультрафаст IGBT, подходит для высокочастотных применений. | | IXYS | IXGH60N60C2D1 | Классический аналог, но может отличаться по динамике. | | Vishay (IR) | IRG60B60KD1 | Аналог от International Rectifier (ныне Vishay). |

Что важно при замене:

1. Корпус и распиновка: TO-247 стандартен.
2. Напряжение и ток: Vces=600В, Ic=60А (при условии сопоставимого охлаждения).
3. Ключевые параметры для динамики: Vce(sat), Eon, Eoff, Qg. Если ваша схема работает на высокой частоте, замена на транзистор с худшими Eon/Eoff может привести к перегреву и выходу из строя.
4. Характеристики внутреннего диода: Для схем с обратной проводимостью (например, мостовые инверторы).
5. Напряжение драйвера: Убедитесь, что драйвер вашей схемы выдает стандартные ±15/20В.

Вывод: IGW60N60H3 — это высокотехнологичный IGBT для требовательных высокочастотных преобразователей. Его прямым и наиболее совместимым аналогом является IKW60N60H3 (в корпусе TO-247 Plus) и модель от STMicroelectronics STGW60H65DFB. При замене на модель другого производителя необходим тщательный анализ параметров под конкретную схему.