Infineon Ihw40n65r5xksa1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon IHw40N65R5XKSA1.

Описание и назначение

IHw40N65R5XKSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор с технологией CoolMOS™ G5 от Infineon. Это ключевой компонент, предназначенный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

• Технология CoolMOS™ G5: Пятое поколение суперджанкшенных MOSFET от Infineon. Основные преимущества — чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и оптимальный баланс между динамическими характеристиками (заряд затвора Qg) и эффективностью проводимости. Это позволяет снизить потери на проводимость и переключение, что ведет к повышению КПД и уменьшению тепловыделения.
• Назначение: Используется в силовой части преобразователей, где требуется высокое напряжение и большой ток. Типичные применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS): Корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые преобразователи.
  • Инверторы и приводы двигателей.
  • Сварочное оборудование.
  • Серверное и телекоммуникационное оборудование.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Superjunction (CoolMOS™ G5) | — | | | Корпус | TO-247 | — | Стандартный силовой корпус для монтажа на радиатор. | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 650 | В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 40 | А | Максимальный ток в непрерывном режиме при температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (IDM) | 160 | А | Максимальный кратковременный пиковый ток. | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.045 | Ом | Ключевой параметр! При VGS=10 В и TJ=25°C. Низкое значение минимизирует потери на проводимость. | | Заряд затвора (Qg (тип.)) | 120 | нКл | Общий заряд, необходимый для полного открытия транзистора. Влияет на потери при переключении. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 | В | Минимальное напряжение на затворе для начала открытия транзистора. | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (VGSS) | ±30 | В | | | Динамические характеристики | Быстрое восстановление внутреннего диода | — | Важно для LLC и других топологий с обратным ходом тока. | | Температура перехода (Tj max) | 175 | °C | Максимально допустимая температура кристалла. | | Степень защиты | Оптимизирована для жесткого переключения (Hard Switching) | — | Технология G5 специально улучшена для работы в таких режимах. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Infineon часто выпускает один и тот же кристалл в разных корпусах или с разными префиксами. Для IHw40N65R5XKSA1 основными парт-номерами являются:

1. IPW40N65R5XKSA1 — Прямой и наиболее вероятный аналог. Единственное отличие — первая буква в префиксе (I vs IP). Обычно это обозначает незначительные вариации в упаковке/ленте или несущественные производственные партии. По электрическим параметрам и корпусу (TO-247) это полностью идентичное устройство. В спецификациях Infineon они часто фигурируют вместе.
2. IPP40N65R5 — Еще один очень близкий аналог из той же серии CoolMOS G5. Может иметь незначительные отличия в динамических характеристиках или уровне защиты, но является функциональной и электрически совместимой заменой в большинстве схем. Всегда проверяйте datasheet.
3. SPW40N65R5 — Версия для автомобильной промышленности (AEC-Q101), что подразумевает расширенный температурный диапазон и повышенную надежность. Электрически совместим.

Важно: Буквы в конце (XKSA1) обычно указывают на ревизию кристалла, тип упаковки (катушка/лоток) и могут незначительно влиять на некоторые параметры (например, вариант с "F" в названии может иметь более быстрый внутренний диод). При замене обязательно сверяйтесь с Datasheet.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске замены необходимо учитывать ключевые параметры: VDSS=650В, ID≈40А, RDS(on)≈0.045 Ом, корпус TO-247 и технологию Superjunction.

| Производитель | Модель-аналог | Серия/Технология | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STW40N65M5 | MDmesh™ M5 | Очень близкий аналог по характеристикам и назначению. | | ON Semiconductor | FCH40N65RF | SuperFET® III | Конкурирующая технология, хорошая совместимость. | | Texas Instruments | CSD19536Q5A | NexFET™ | Проверять соответствие по напряжению и току. | | Vishay / Siliconix | SUP40N65E | E-Series (Superjunction) | Прямой конкурент CoolMOS. | | Toshiba | TK40N65W5 | DTMOS V | |

Рекомендации по применению и замене

1. Проверка Datasheet: Перед заменой всегда сравнивайте ключевые параметры из даташита, особенно заряды затвора (Qg, Qgd), характеристики внутреннего диода и зависимости RDS(on) от температуры.
2. Схема управления: Убедитесь, что ваш драйвер затвора может обеспечить достаточный ток для перезаряда конкретного Qg выбранного транзистора.
3. Тепловой режим: Несмотря на низкое RDS(on), при больших токах нагрев значителен. Обязательно используйте качественный радиатор и термопасту.
4. Пайка и монтаж: Соблюдайте рекомендации производителя по температуре пайки для корпуса TO-247.

Вывод: Infineon IHw40N65R5XKSA1 — это высокотехнологичный и эффективный силовой ключ для профессиональных и промышленных решений. Его прямым аналогом является IPW40N65R5XKSA1, а в качестве замены можно рассматривать аналогичные модели от STMicroelectronics (MDmesh M5) и ON Semiconductor (SuperFET III) с тщательной проверкой параметров.