Infineon IKFW50N60DH3

Отличный выбор! IKFW50N60DH3 — это мощный и надежный транзистор от Infineon, широко используемый в силовой электронике. Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание и основные особенности

IKFW50N60DH3 — это N-канальный MOSFET транзистор с изолированным затвором (IGBT в названии — это историческое обозначение серии, но по структуре это "Superjunction" MOSFET), выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ C3: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении. Это приводит к значительно меньшим потерям на проводимость и, как следствие, к более высокой энергоэффективности и меньшему нагреву.
• Высокое напряжение: Напряжение сток-исток 600 В делает его идеальным для работы в сетях 220/380В.
• Высокий ток: Непрерывный ток стока 50 А позволяет применять его в мощных преобразователях.
• Корпус TO-247: Классический и широко распространенный корпус для силовых компонентов, обеспечивающий хороший отвод тепла.
• Быстрое переключение: Оптимизирован для работы на высоких частотах (десятки кГц), что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов) в схемах.
• Встроенный обратный диод (Body Diode): Имеет быстрое время восстановления, что важно для индуктивных нагрузок и схем с обратной связью (например, в мостовых инверторах).
• Основные применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно корректоры коэффициента мощности (PFC).
  • Инверторы (например, для солнечных панелей, ИБП, приводов двигателей).
  • Сварочное оборудование.
  • Индукционный нагрев.

Технические характеристики (основные параметры при Tj=25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 В | Максимальное допустимое | | Непрерывный ток стока | I_D | 50 А | При T_C=25°C | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 200 А | Кратковременный импульс | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 0.060 Ом (макс.) | Ключевой параметр, V_GS=10 В | | | | 0.045 Ом (тип.) | | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора | Q_g | 120 нКл (тип.) | Влияет на драйвер затвора | | Входная емкость | C_iss | 3000 пФ (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 300 Вт | На идеальном радиаторе | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | Рабочий диапазон | | Крутизна | g_fs | 45 См (тип.) | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный номер производителя (MPN): IKFW50N60DH3XKSA1. Обычно в поиске и заказе используется краткая форма IKFW50N60DH3.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей

Важно: Полная взаимозаменяемость должна проверяться по datasheet с учетом конкретной схемы, особенно параметров Qg, Ciss и характеристик встроенного диода.

| Производитель | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STW50N60DM2 | Очень близкий аналог по параметрам (600В, 50А, RDS(on)~0.065 Ом), технология MDmesh™ DM2. Часто используется как прямая замена. | | ON Semiconductor / Fairchild | FCH50N60F | Мощный MOSFET (600В, 50А, RDS(on)~0.062 Ом). Хорошая альтернатива. | | IXYS (Littelfuse) | IXFH50N60P3 | Высоковольтный MOSFET с похожими характеристиками. | | Vishay / Siliconix | SUP50N06-09 (или серия) | Нужно искать модели на 600В и с близким RDS(on). | | Toshiba | TK50A60W | Транзистор из серии, подходящий по току и напряжению. |

Совместимые/похожие модели от Infineon (внутри семейства)

Можно рассматривать как альтернативу в новых разработках или при модернизации:

• IKFW50N60DT (из семейства CoolMOS™ D3) — более новая версия с улучшенными динамическими характеристиками.
• IPP50R600CP (из семейства CoolMOS™ CP) — в корпусе TO-220, на меньшую мощность, но с очень низким RDS(on).
• SPW50N60C3 — также технология C3, в корпусе TO-247.
• Для более требовательных применений: модели из серий CoolMOS™ C7, P7, G7 (например, IPW50R600P7) — имеют лучшие показатели по эффективности и скорости, но могут отличаться по цоколевке и требованиям к драйверу.

Рекомендации по применению и замене

1. Проверка Datasheet: Перед заменой всегда сравнивайте ключевые параметры, особенно V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g и C_iss.
2. Драйвер затвора: Из-за значительной входной емкости (C_iss) необходим достаточно мощный драйвер затвора, способный быстро заряжать и разряжать затвор (пиковый ток драйвера 1-2А и более).
3. Охлаждение: При работе на высоких токах обязателен качественный теплоотвод (радиатор). Рекомендуется использовать термопасту и изоляционные прокладки при необходимости.
4. Пайка: Корпус TO-247 предназначен для монтажа на печатную плату или непосредственно на радиатор. Соблюдайте температурный режим пайки.

Вывод: IKFW50N60DH3 — это проверенный временем, эффективный и мощный MOSFET для серьезных силовых применений. Его прямые аналоги, такие как STW50N60DM2, являются наиболее безопасным выбором для замены в ремонте или новых проектах.